〇YuanHsuan Jhang¹、 Reio Mochida²、 Katsuaki Tanabe^2,3、 Keizo Takemasa⁴、 Mitsuru Sugawara⁴、 Satoshi Iwamoto^1,2、 Yasuhiko Arakawa^1,2 (1.IIS, UT、2.NanoQuine, UT、3.Kyoto Univ.、4.QD Laser, Inc)

16:30 〜 16:45

[14p-B4-10] シリコンフォトニクススローライトLiDARの検討

〇馬場俊彦¹、小山二三夫²、西山伸彦²、小林功郎³ (1.横国大・院工、2.東工大・未来産技研、3.JST)

16:45 〜 17:00

[14p-B4-11] Siフォトニック結晶導波路を用いたコヒーレントLiDAR送受信性能の見積もり

〇阿部紘士¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

17:00 〜 17:15

[14p-B4-12] 光マルチプレクサと回折格子による光集積回路型光スキャナーの実現

〇井上大介¹、市川正¹、河崎朱里¹、山下達弥¹ (1.豊田中研)

17:15 〜 17:30

[14p-B4-13] 光偏向器応用に向けたSiフォトニック結晶導波路構造の探索

〇竹内萌江¹、竹内梧朗¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

17:30 〜 17:45

[14p-B4-14] 表面回折格子装荷フォトニック結晶スローライト偏向器

〇(M1)建部知紀¹、近藤圭祐¹、竹内萌江¹、馬場俊彦¹ (1.横国大)

17:45 〜 18:00

[14p-B4-15] Siフォトニック結晶変調器による二つの変調信号間のビート周波数の観測

〇雛倉陽介¹、古角優弥¹、阿部紘士¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[15a-P8-1~12] 3.15 シリコンフォトニクス

2016年9月15日(木) 09:30 〜 11:30 P8 (展示ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[15a-P8-1] 残留歪とマイクロ構造を用いたSOI上Ge成長膜の２軸伸張歪の温度特性

〇石田悟己¹、加古敏^1,2、小田克矢³、岩本敏^1,2、荒川泰彦^1,2 (1.東大生産研・先端研、2.東大ナノ量子機構、3.日立研開)

09:30 〜 11:30

△ [15a-P8-2] SbドープアモルファスGeの局所溶融横方向液相エピタキシャル成長によるn型Ge細線の作製と評価

〇冨田崇史¹、岡博史¹、小山真広¹、田中章吾¹、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工)

09:30 〜 11:30

[15a-P8-3] ひずみSiGeを用いたSi上Ge層のバンドエンジニアリング

〇西村道治¹、石川靖彦¹ (1.東大院工)

09:30 〜 11:30

[15a-P8-4] 高濃度n型ドープGeマイクロディスクの共振フォトルミネセンス

〇橋本秀明¹、徐学俊¹、澤野憲太郎¹、丸泉琢也¹ (1.都市大総研)

09:30 〜 11:30

[15a-P8-5] Ca原子層を介したSi(111)基板上Geエピタキシャル成長

〇安武裕輔^1,2、深津晋¹ (1.東大院総合、2.JSTさきがけ)

09:30 〜 11:30

[15a-P8-6] GOI上歪み円形マイクロブリッジの発光特性

〇大野剛嗣¹、徐学俊¹、澤野憲太郎¹、丸泉琢也¹ (1.都市大総研)

09:30 〜 11:30

[15a-P8-7] 微結晶シリコン導波路におけるキャリア寿命測定

〇前川佑一¹、武井亮平²、庄司雄哉¹、水本哲弥¹、亀井利浩² (1.東工大、2.産総研)

09:30 〜 11:30

[15a-P8-8] MMI導波路型シリコン2×2光スイッチの作製

〇藤原裕士¹、石川敦¹、松本敦²、松島裕一¹、石川浩¹、宇高勝之¹ (1.早大理工、2.情報通信研究機構)

09:30 〜 11:30

[15a-P8-9] 1×2波面制御型Si波長選択光スイッチ

〇中村文¹、村松喬介、津田裕之¹ (1.慶應大)

09:30 〜 11:30

[15a-P8-10] 高速シリコン2×2マッハツェンダ型光スイッチの特性評価

〇浅川奨¹、嶋田裕介¹、末廣大輔¹、清水叶¹、松島裕一²、石川浩¹、宇髙勝之¹ (1.早大理工、2.早大GCS機構)

09:30 〜 11:30

[15a-P8-11] 方向性結合型Si偏波分離素子の設計

〇酒井滋彬¹、岩本直隆¹、津田裕之¹ (1.慶應大工)

09:30 〜 11:30

[15a-P8-12] TMモードの利用による矩形共振器型SOI屈折率センサの高感度化

〇(M1)藤原健¹、高久寛基¹、 Manuel Mendez-Astudillo¹、岡山秀彰^1,2、中島啓幾¹ (1.早大先進研、2.沖電気工業)

セッション一覧

3 光・フォトニクス » 3.15 シリコンフォトニクス

[14a-B4-1~5] 3.15 シリコンフォトニクス

[14a-B4-1] シリカクラッドフォトニック結晶導波路の入出射構造の最適化

[14a-B4-2] 櫛形PN接合型Si光変調器におけるイオン注入による横方向不純物分布の影響

▲ [14a-B4-3] High-speed silicon optical modulator using α-Si:H strip loaded waveguide

[14a-B4-4] 波形p-n接合を導入したSiフォトニック結晶スローライト変調器

[14a-B4-5] Siフォトニック結晶スローライト変調器の光-電気位相整合

[14p-B4-1~15] 3.15 シリコンフォトニクス

[14p-B4-1] InP-Si MOS構造光変調器の作製と評価

△ [14p-B4-2] 貼り合わせInGaAsP/Si ハイブリッド MOS型光変調器に関する検討

▲ [14p-B4-3] InGaAsP variable optical attenuator on III-V CMOS photonics platform

[14p-B4-4] フォトニック結晶型InGaAsP-EA変調器における動作エネルギーの見積もり

[14p-B4-5] 直接貼付InP/Si基板上結晶成長膜のInPテンプレート膜厚依存性

[14p-B4-6] 直接貼付InP/Si 基板上GaInAsP ダブルヘテロレーザの発振特性

[14p-B4-7] 広い波長範囲を有するシリコンフォトニック波長可変レーザ

△ [14p-B4-8] エバネッセント型ハイブリッドシリコン量子ドットレーザ

▲ [14p-B4-9] 10 Gbps Direct Modulation of Quantum Dot Lasers on Silicon

[14p-B4-10] シリコンフォトニクススローライトLiDARの検討

[14p-B4-11] Siフォトニック結晶導波路を用いたコヒーレントLiDAR送受信性能の見積もり

[14p-B4-12] 光マルチプレクサと回折格子による光集積回路型光スキャナーの実現

[14p-B4-13] 光偏向器応用に向けたSiフォトニック結晶導波路構造の探索

[14p-B4-14] 表面回折格子装荷フォトニック結晶スローライト偏向器

[14p-B4-15] Siフォトニック結晶変調器による二つの変調信号間のビート周波数の観測

[15a-P8-1~12] 3.15 シリコンフォトニクス

[15a-P8-1] 残留歪とマイクロ構造を用いたSOI上Ge成長膜の２軸伸張歪の温度特性

△ [15a-P8-2] SbドープアモルファスGeの局所溶融横方向液相エピタキシャル成長によるn型Ge細線の作製と評価

[15a-P8-3] ひずみSiGeを用いたSi上Ge層のバンドエンジニアリング

[15a-P8-4] 高濃度n型ドープGeマイクロディスクの共振フォトルミネセンス

[15a-P8-5] Ca原子層を介したSi(111)基板上Geエピタキシャル成長

[15a-P8-6] GOI上歪み円形マイクロブリッジの発光特性

[15a-P8-7] 微結晶シリコン導波路におけるキャリア寿命測定

[15a-P8-8] MMI導波路型シリコン2×2光スイッチの作製

[15a-P8-9] 1×2波面制御型Si波長選択光スイッチ

[15a-P8-10] 高速シリコン2×2マッハツェンダ型光スイッチの特性評価

[15a-P8-11] 方向性結合型Si偏波分離素子の設計

[15a-P8-12] TMモードの利用による矩形共振器型SOI屈折率センサの高感度化

認証