一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 S221 (南2号館)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇影島 博之1,4、白石 賢二2,4、遠藤 哲郎3,4 (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大、4.JST-ACCEL)
スケジュール
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09:15 〜 09:30
〇(M1)川内 伸悟1、白川 裕規1、洗平 昌晃2,1,5、影島 博之3,5、遠藤 哲郎4,5、白石 賢二2,1,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院総合理工、4.東北大院工、5.JST-ACCEL)
スケジュール
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09:30 〜 09:45
〇(D)高本 聡1、山崎 隆浩2,3、大野 隆央2,3,4、金田 千穂子3,5、泉 聡志1、酒井 信介1 (1.東大工、2.物材機構、3.MARCEED、4.東大生産研、5.富士通研究所)
スケジュール
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09:45 〜 10:00
〇望月 敏光1、伊藤 明2、中西 英俊2、棚橋 克人1、川山 巌3、斗内 政吉3、白澤 勝彦1、高遠 秀尚1 (1.産総研、2.SCREENホールディングス、3.阪大レーザー研)
スケジュール
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10:00 〜 10:15
〇(D)Ahmed SheikhRashel Al1、Uehara Fumiya2、Kobayashi Kyoteru1,2 (1.GRAD SCH S&T, Tokai Univ、2.GRAD SCH Eng, Tokai Univ)
スケジュール
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10:15 〜 10:30
〇安藤 正彦1、若木 政利1、鬼沢 賢一2 (1.日立研開、2.古賀総研)
スケジュール
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10:45 〜 11:00
〇(D)宋 宇振1、鳥海 明1 (1.東大院工)
スケジュール
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11:00 〜 11:15
〇(M1)鈴木 良尚1,2、長田 貴弘2、山下 良之2、生田目 俊秀2、小椋 厚志1、知京 豊裕2 (1.明治大学大学院、2.物質・材料研究機構)
スケジュール
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11:15 〜 11:30
〇金島 岳1、銭高 真人1、山本 圭介2、山城 陸1、只野 純平3、野平 博司3、中島 寛2、山田 晋也1、浜屋 宏平1 (1.阪大基礎工、2.九大・産学連携センター、3.東京都市大工)
スケジュール
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11:30 〜 11:45
〇永冨 雄太1、田中 慎太郎1、建山 知輝1、山本 圭介2、王 冬1、中島 寛2 (1.九大総理工、2.九大産連センター)
スケジュール
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11:45 〜 12:00
〇大竹 博義1 (1.東京農工大・工)
スケジュール
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12:00 〜 12:15
〇(D)柯 夢南1,2、玉 虓1,2、竹中 充1,2、高木 信一1,2 (1.東大、2.JST-CREST)
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