09:15 〜 09:30
〇(M1)小川 達博1、名取 鼓太郎1、星井 拓也1、仲武 昌史2、渡辺 義夫2、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東工大、2.あいちシンクロトロン光センター)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
09:15 〜 09:30
〇(M1)小川 達博1、名取 鼓太郎1、星井 拓也1、仲武 昌史2、渡辺 義夫2、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東工大、2.あいちシンクロトロン光センター)
09:30 〜 09:45
〇(M2)木我 亮太郎1、植松 真司1,2、伊藤 公平1,2 (1.慶大理工、2.慶大TCAD研究開発センター)
09:45 〜 10:00
〇(D)Yuan Tu1、Yasuo Shimizu1、Masao Inoue2、Yorinobu Kunimune3、Yasuhiro Shimada3、Toshiharu Katayama3、Takashi Ide3、Koji Inoue1、Yasuyoshi Nagai1 (1.IMR, Tohoku Univ.、2.Renesas Electronics Corp.、3.Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
10:00 〜 10:15
〇Jeon Jihee1、鈴木 陽洋1,2、髙橋 恒太1,2、中塚 理1,3、財満 鎭明3 (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.名古屋大未来研)
10:15 〜 10:30
〇布施 和彦1、谷村 英昭1、青山 敬幸1、加藤 慎一1、小林 一平1 (1.SCREEN)
10:30 〜 10:45
〇野田 周一1、谷本 陽祐2、尾崎 卓也1、栗原 秀行2、星野 恭之2、遠藤 和彦1,3、寒川 誠二1,2 (1.東北大、2.昭和電工、3.産総研)
10:45 〜 11:00
〇(M1)木元 健太1、武居 則久1、垣内 弘章1、安武 潔1、大参 宏昌1 (1.阪大院工)
11:00 〜 11:15
〇横川 凌1,3、橋本 修一郎2、富田 基裕1,2,4、渡邉 孝信2、小椋 厚志1 (1.明治大理工、2.早稲田大理工、3.学振特別研究員DC、4.学振特別研究員PD)
11:15 〜 11:30
〇(M1)西本 俊輝1、中山 隆史1 (1.千葉大理)
11:30 〜 11:45
〇鈴木 陽洋1,2、中塚 理1,3、坂下 満男1、財満 鎭明3 (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.名古屋大未来研)
11:45 〜 12:00
〇(M1)Xuan Luo1、Tomonori Nishimura1、Takeaki Yajima1、Akira Toriumi1 (1.The Univ. of Tokyo)
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