一般セッション(口頭講演)

[5a-A503-1~5] 9.4 熱電変換

2017年9月5日(火) 10:45 〜 12:00 A503 (503)

阿武宏明(山口東理大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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10:45 〜 11:00

[5a-A503-1] Na_2+xGa_2+xSn_4-xの緻密焼結体の作製と熱電特性

〇山田高広^1,2、池田卓史³、永井秀明³、山根久典¹ (1.東北大多元研、2.JSTさきがけ、3.産総研)

11:00 〜 11:15

[5a-A503-2] ヒ素含有122相の熱電特性

〇木方邦宏¹、國岡春乃^1,2、西当弘隆¹、山本淳¹、李哲虎¹ (1.産総研、2.東理大)

11:15 〜 11:30

▲ [5a-A503-3] Thermoelectric properties of Al-based ternary chalcopyrites: TAlTe₂ (T = Cu, Ag)

〇(PC)Seongho Choi¹、 Ken Kurosaki^2,3、 Manabu Inukai¹、 Fumihiro Nakamori²、 Yuji Ohishi²、 Hiroaki Muta²、 Shinsuke Yamanaka^2,4、 Tsunehiro Takeuchi^1,3 (1.Toyota Tech. Inst.、2.Osaka Uni、3.JST-PRESTO.、4.Fukui Uni.)

11:30 〜 11:45

[5a-A503-4] キャリア制御したSnSe単結晶の熱電特性

〇山下愛智^1,2、松本凌^1,2、原裕^1,2、田中博美³、竹屋浩幸¹、高野義彦^1,2 (1.物材機構、2.筑波大、3.米子高専)

11:45 〜 12:00

[5a-A503-5] d⁰電⼦系ペロブスカイト酸化物の熱電輸送特性計算における交換相関汎関数/ポテンシャル依存

〇大久保勇男^1,2、森孝雄¹ (1.物材機構、2.JST-さきがけ)

一般セッション(口頭講演)

[5p-A503-1~15] 9.4 熱電変換

2017年9月5日(火) 13:45 〜 18:00 A503 (503)

中村芳明(阪大)、池田浩也(静岡大)、藤木弘之(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[5p-A503-1] FeSe極薄膜の熱電効果

〇清水直¹、塩貝純一²、野島勉²、塚﨑敦²、岩佐義宏^1,3 (1.理研CEMS、2.東北大金研、3.東大工)

14:00 〜 14:15

[5p-A503-2] MnSi_1.7とSiGeの複合構造における熱電変換特性のGe量依存性

〇黒崎洋輔¹、籔内真¹、西出聡悟¹、早川純¹ (1.日立研開)

14:15 〜 14:30

[5p-A503-3] Si-Ge-Au系ナノ構造薄膜の熱伝導率測定

〇西野俊佑¹、 Muthusamy Omprakash¹、竹内恒博¹ (1.豊田工大)

14:30 〜 14:45

△ [5p-A503-4] 組成制御によるSiGe/Si超格子の出力因子増大

〇(M2)谷口達彦¹、奥畑亮¹、渡辺健太郎^1,2、 Md. Mahfuz Alam³、澤野憲太郎³、藤田武志^2,4、中村芳明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.JST-CREST、3.東京都市大総研、4.東北大)

14:45 〜 15:00

[5p-A503-5] ナノドット含有Si薄膜の熱電特性に与える熱処理の影響

〇坂根駿也¹、渡辺健太郎^1,2、藤田武志^2,3、 Md. Mahfuz Alam⁴、澤野憲太郎⁴、中村芳明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.CREST-JST、3.東北大、4.東京都市大学)

15:15 〜 15:30

[5p-A503-6] 熱電特性向上に向けたGa-doped ZnO多結晶薄膜の膜質制御

〇(M1)留田純希¹、石部貴史¹、渡辺健太郎^1,2、中村芳明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.CREST-JST)

15:30 〜 15:45

[5p-A503-7] ZnOナノワイヤ埋め込み構造における結晶性と構造が与える出力因子増大効果

〇(D)石部貴史¹、留田純希¹、渡辺健太郎^1,2、中村芳明^1,2 (1.大阪大学、2.CREST-JST)

15:45 〜 16:00

[5p-A503-8] ZnOナノ結晶/炭素布フレキシブル熱電材料のゼーベック係数測定

〇池田浩也^1,2、ファイザンカーン¹、ベルスワミィパンディヤラサン¹、坂本翔太¹、マニナヴァニーザン¹、下村勝²、村上健司²、早川泰弘^1,2 (1.静岡大電研、2.静大院工)

16:00 〜 16:15

△ [5p-A503-9] 薄膜トランスバース型ナノTEGモジュールの設計と性能予測

〇千脇那菜^1,2、清野稔仁¹、山下涼音¹、菅原聡^1,2 (1.東工大未来研、2.東工大電気電子系)

16:15 〜 16:30

△ [5p-A503-10] 真空アイソレーションを用いた薄膜π型ナノ熱電発電モジュールの性能限界

〇(B)山下涼音¹、清野稔仁¹、千脇那菜^1,2、菅原聡¹ (1.東工大未来研、2.東工大電気電子系)

16:30 〜 16:45

△ [5p-A503-11] 薄膜π型ナノ熱電発電モジュールの設計と性能

〇清野稔仁¹、山下涼音¹、千脇那菜¹、菅原聡¹ (1.東工大未来研)

17:00 〜 17:15

[5p-A503-12] 薄膜試料のトムソン係数の精密測定法の開発

〇藤木弘之¹、天谷康孝¹、大川顕次郎¹、春本高志² (1.産総研、2.東工大)

17:15 〜 17:30

[5p-A503-13] 直流極性反転によるゼーベック係数の絶対測定

〇天谷康孝¹、島崎毅¹、大川顕次郎¹、藤木弘之¹ (1.産総研)

17:30 〜 17:45

[5p-A503-14] 交流ハーマン法の熱伝達解析

〇大川顕次郎¹、天谷康孝¹、藤木弘之¹ (1.産総研)

17:45 〜 18:00

[5p-A503-15] 放射線照射下における熱電素子の応答評価

〇春元雅貴¹、谷口良一¹ (1.阪府大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[6p-PB2-1~15] 9.4 熱電変換

2017年9月6日(水) 13:30 〜 15:30 PB2 (国際センター2F)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

△ [6p-PB2-1] 揮発性材料用の高温熱電特性評価装置の開発

〇寺社下文也¹、田橋正浩¹、高橋誠¹、後藤英雄¹、土屋雄司²、一野祐亮²、吉田隆² (1.中部大工、2.名大工)

13:30 〜 15:30

[6p-PB2-2] Mn₂VAlフルホイスラー合金の電子状態と熱電性能

〇(M1)李和章¹、林慶¹、宮崎譲¹ (1.東北大院工)

13:30 〜 15:30

[6p-PB2-3] フルホイスラー合金Co₂MnSiのキャリア熱伝導率と格子熱伝導率

〇林慶¹、宮﨑讓¹ (1.東北大院工)

13:30 〜 15:30

[6p-PB2-4] 微細構造を有するシリコン系クラスレート焼結体の作製

〇岡本和也¹、前島理佐¹、阿武宏明¹ (1.山口東京理科大学)

13:30 〜 15:30

▲ [6p-PB2-5] Effect of tin substitute on electrical properties of tantalum thiophosphates TaPS₆

〇(M2)Xin Lu¹、 Masanobu Miyata¹、 Kengo Otaki¹、 Mikio Koyano¹ (1.JAIST)

13:30 〜 15:30

[6p-PB2-6] Ti-S 鎖状構造を有する硫化物半導体 Sr₉Ti₈S₂₄ の合成と熱電特性評価

〇(M2)田部孝治¹、勝部涼司¹、野瀬嘉太郎¹ (1.京大院工)

13:30 〜 15:30

[6p-PB2-7] 元素欠損によるBiCuSeOの熱電特性への影響

〇(M2)石澤衛¹、藤代博之¹、内藤智之¹ (1.岩手大理工)

13:30 〜 15:30

[6p-PB2-8] Ge₂Sb_2-xBi_xTe₅立方晶バルク状材料におけるBi置換が低温熱電特性に与える影響

〇(M1)籠本祐基¹、小菅厚子¹ (1.阪府大理)

13:30 〜 15:30

[6p-PB2-9] Bi₂Te₃ナノバルクに対する過剰Teの添加効果

〇(M2)大滝健悟¹、宮田全展¹、田中哲史²、福田克史²、小矢野幹夫¹ (1.北陸先端大、2.KELK)

13:30 〜 15:30

[6p-PB2-10] a-SiGe:Au薄膜におけるAu凝集体の制御

〇足立真寛¹、徳田一弥¹、斎藤吉広¹、木山誠¹、上松康二¹、山本喜之¹、西野俊佑²、 Omprakash Muthusamy²、竹内恒博² (1.住友電工、2.豊田工大)

13:30 〜 15:30

[6p-PB2-11] 電界下で作製した還元型酸化グラフェン(rGO)の熱電特性

〇(M1)佐藤悠樹¹、山口博之¹、長南安紀¹、小谷光司¹、小宮山崇夫¹、山内繁²、青山隆¹ (1.秋田県立大システム、2.秋田県立大木工研)

13:30 〜 15:30

[6p-PB2-12] PEDOT:PSSを用いたn型フレキシブル熱電材料の開発

〇森英喜¹、吉田晴彦¹ (1.兵庫県立大院工)

13:30 〜 15:30

[6p-PB2-13] 交流電界下で成膜したPEDOT:PSS薄膜の熱電特性

〇(M1)佐藤朴生¹、小宮山崇夫¹、山口博之¹、小谷光司¹、長南安紀¹ (1.秋田県立大システム科学技術)

13:30 〜 15:30

[6p-PB2-14] 第一原理計算による有機無機ペロブスカイト化合物の熱電特性評価

〇(M1)山崎純¹、山本久美子¹、飯久保智¹ (1.九工大生命)

13:30 〜 15:30

[6p-PB2-15] 光発熱効果を示す熱電変換材料設計に向けた検討

〇奥友洋^1,2、飯田琢也^1,2、小菅厚子^1,2 (1.大阪府大院理、2.大阪府大LAC-SYS研究所)

セッション一覧

9 応用物性 » 9.4 熱電変換

[5a-A503-1~5] 9.4 熱電変換

▲ [5a-A503-3] Thermoelectric properties of Al-based ternary chalcopyrites: TAlTe2 (T = Cu, Ag)

[5p-A503-1~15] 9.4 熱電変換

△ [5p-A503-4] 組成制御によるSiGe/Si超格子の出力因子増大

△ [5p-A503-9] 薄膜トランスバース型ナノTEGモジュールの設計と性能予測

△ [5p-A503-10] 真空アイソレーションを用いた薄膜π型ナノ熱電発電モジュールの性能限界

△ [5p-A503-11] 薄膜π型ナノ熱電発電モジュールの設計と性能

[6p-PB2-1~15] 9.4 熱電変換

△ [6p-PB2-1] 揮発性材料用の高温熱電特性評価装置の開発

▲ [6p-PB2-5] Effect of tin substitute on electrical properties of tantalum thiophosphates TaPS6

認証

▲ [5a-A503-3] Thermoelectric properties of Al-based ternary chalcopyrites: TAlTe₂ (T = Cu, Ag)

▲ [6p-PB2-5] Effect of tin substitute on electrical properties of tantalum thiophosphates TaPS₆