〇(D)Md Zamil Sultan^1,2、 Akinori Shiroma¹、 Shuhei Yagi¹、 Kengo Takamiya¹、 Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama University、2.Hajee Mohammad Danesh Science and Technology University)

10:30 〜 10:45

[18a-B31-6] InGaAs:N δドープ超格子の電気特性評価

〇米野龍司¹、宮下直也²、岡田至崇²、八木修平¹、矢口裕之¹ (1.埼玉大理工、2.東大先端研)

10:45 〜 11:00

[18a-B31-7] (111)基板上に作製した窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光

〇高岡祥平¹、高宮健吾¹、八木修平¹、挟間優治²、秋山英文²、矢口裕之¹ (1.埼玉大理工、2.東京大物性研)

11:00 〜 11:15

[18a-B31-8] (100) GaAs基板上GaAsBi/GaAs量子井戸のAs flux依存性

〇山本巧¹、 Patil Pallavi¹、下村哲¹ (1.愛媛大工)

11:15 〜 11:30

[18a-B31-9] (221)A,B GaAs基板上のGaAsBi/GaAs量子井戸のホトルミネッセンス

〇清水彩花¹、山本巧¹、神原誉¹、下村哲¹ (1.愛媛大院理工)

一般セッション(口頭講演)

[18p-B31-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2019年9月18日(水) 13:15 〜 18:00 B31 (B31)

赤羽浩一(NICT)、藤川紗千恵(東京電機大)、小島信晃(豊田工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

[18p-B31-1] 2D-In₂Se₃を利用したSi(111)上GaAsエピ層の薄層剥離

〇小島信晃¹、 Wang Yu-Cian¹、川勝桂¹、山本暠勇¹、大下祥雄¹、山口真史¹ (1.豊田工大)

13:30 〜 13:45

▲ [18p-B31-2] Metallic selenides as the buffers for GaAs grown on Si (111)

〇(PC)YUCIAN WANG¹、 Nobuaki Kojima¹、 Kei Kawakatsu¹、 Akio Yamamoto¹、 Yoshio Ohshita¹、 Masafumi Yamaguchi¹ (1.Toyota Technological Institute)

13:45 〜 14:00

[18p-B31-3] SOI 基板上 GaAs 直接成長とその結晶性評価

〇權晋寛¹、渡邉克之¹、荒川泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構)

14:00 〜 14:15

[18p-B31-4] 2段階バッファ層を用いたメタモルフィックInAs/GaSb超格子の作製と評価

〇今村優希¹、大濱寛士¹、前田幸治¹、荒井昌和¹ (1.宮崎大工)

14:30 〜 14:45

[18p-B31-5] 【注目講演】機械学習を用いた RHEED パターンの分類

〇權晋寛¹、荒川泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構)

14:45 〜 15:00

[18p-B31-6] P-As相互拡散を用いたInP(311)B基板上への自己形成量子ドット成長

〇赤羽浩一¹、松本敦¹、梅沢俊匡¹、山本直克¹ (1.情通機構)

15:00 〜 15:15

[18p-B31-7] GaAs基板上メタモルフィックInAs量子ドットの1.6μm帯発光

〇ZHAN WENBO¹、石田悟己²、權晋寛¹、渡邉克之¹、岩本敏^1,3、荒川泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構、2.東大先端研、3.東大生研)

15:15 〜 15:30

[18p-B31-8] 三重層構造を有するInAs/GaAs長波長帯量子ドット

〇ZHAN WENBO¹、權晋寛¹、渡邉克之¹、岩本敏^1,2、荒川泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研)

15:45 〜 16:00

[18p-B31-9] GaAsSb/GaAs 量子ドット形成における成長速度の影響

〇樗木悠亮^1,2、庄司靖³、宮下直也¹、岡田至崇^1,2 (1.東大先端研、2.東大院工、3.産総研)

16:00 〜 16:15

[18p-B31-10] 2ステップMBE成長によるGaSb(001)上InAsのピット形成の抑制

〇奥村滋一^1,2、鈴木僚¹、角田浩司¹、西野弘師¹、杉山正和² (1.富士通研、2.東大先端研)

16:15 〜 16:30

[18p-B31-11] 多重積層InAs/GaAs量子ドット光増幅器の偏波無依存光利得多重積層InAs/GaAs量子ドット光増幅器の偏波無依存光利得

〇海津利行^1,2、角谷知哉¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工、2.神戸大研究基盤セ)

16:30 〜 16:45

△ [18p-B31-12] GaAsキャップ層を低温成長したInGaAs量子ドットにおける電子スピンダイナミクスの温度依存性

〇中村裕人¹、佐藤紫乃¹、樋浦諭志¹、高山純一¹、村山明宏¹ (1.北大院情報科学)

17:00 〜 17:15

[18p-B31-13] GaAs基板上に作製したマイクロレンズ

〇今岡達哉¹、神原誉¹、佐々木大志¹、下村哲¹ (1.愛大工)

17:15 〜 17:30

[18p-B31-14] GaAs基板を用いたマイクロレンズの設計

〇神原誉¹、佐々木大志¹、今岡達哉¹、下村哲¹ (1.愛媛大院理工)

17:30 〜 17:45

[18p-B31-15] 有機金属気相エピタキシー成長条件下でのGaNナノ構造の形状評価: Wulffの作図法による検証

〇瀬田雄基¹、プラディプトアブドルムィッツ¹、秋山亨¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

17:45 〜 18:00

[18p-B31-16] MOVPE条件下におけるⅢ族窒化物半導体無極性面の熱力学解析

〇清水紀志¹、瀬田雄基¹、アブドルムィッツプラディプト¹、秋山亨¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹、草場彰²、寒川義裕^3,4 (1.三重大院工、2.学習院大計算セ、3.九大応力研、4.名大未来研)

一般セッション(ポスター講演)

[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 PB5 (第二体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-1] 室温における光伝導度測定によるGaAsNの評価

〇清水光一郎¹、大竹浩二朗¹、塚崎貴司¹、藤田実樹²、牧本俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-2] PL測定を用いたアンドープGaAsNにおける局在準位の評価

〇大竹浩二朗¹、清水光一郎¹、塚崎貴司¹、藤田実樹²、牧本俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-3] 陽子線照射によるIII-V-N混晶中の点欠陥低減効果の検証(2)

〇源常栄人¹、山根啓輔¹、二村綾¹、今泉充²、大島武³、若原昭浩¹ (1.豊橋技科大、2.宇宙機構、3.量研)

09:30 〜 11:30

△ [19a-PB5-4] ALE 法で意図的に N 分布を変化させたGaAsN 薄膜のアニール温度の電気特性への影響

〇峰松遼¹、河野将大¹、原口智宏¹、鈴木秀俊¹ (1.宮崎大学)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-5] 窒素をデルタドープした GaAs量子井戸における発光の時間分解によるスピン寿命測定

貝塚秀樹¹、〇小俣慶将¹、佐久間芳樹²、池沢道男¹ (1.筑波大物理、2.物材機構)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-6] 吸収および発光特性によるGaAsBiテイル準位の評価と成長温度の影響

〇長谷川将¹、松村淳太¹、岳山恭平¹、西中浩之¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-7] Bi導入で引き起こされるGaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤの構造変形

〇吉川晃平¹、松田晃賢¹、下村哲¹、石川史太郎¹、長島一樹²、柳田剛² (1.愛媛大工、2.九大総合理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-8] GaSb薄膜上へのAl照射がInSbドット密度に与える影響

〇土屋隆史¹、深川大地¹、町田龍人¹、遠藤聡¹、藤代博記¹ (1.東理大基礎工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-9] チャネルスケーリングがSb系HEMT構造の電子輸送特性に及ぼす影響

〇岸本尚之¹、熊坂昂之輔¹、遠藤勇輝¹、林拓也¹、平岡瑞穂¹、白井脩策¹、吉田直史¹、町田龍人¹、渡邊一世²、山下良美²、原紳介²、後藤高寛²、笠松章史²、藤代博記¹、遠藤聡¹ (1.東理大基工、2.情報通信研究機構)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-10] 歪超格子バッファがInSb HEMTの表面形態と電気的特性に与える影響

〇林拓也¹、大坪拓史¹、岸本尚之¹、遠藤勇輝¹、平岡瑞穂¹、渡邊一世²、山下良美²、原紳介²、後藤高寛²、笠松章史²、遠藤聡¹、藤代博記¹ (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-11] 歪Al_0.40In_0.60Sb/Al_1-yIn_ySbステップバッファを用いたGa_1-xIn_xSb量子井戸チャネルの電子輸送特性

〇平岡瑞穂¹、遠藤勇輝¹、大澤幸希¹、岸本尚之¹、林拓也¹、町田龍人¹、渡邊一世²、山下良美²、原紳介²、後藤高寛²、笠松章史²、遠藤聡¹、藤代博記¹ (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-12] Al_0.40In_0.60Sb/Al_0.25In_0.75Sbステップバッファを用いた歪Ga_1-xIn_xSb量子井戸チャネルの電子輸送特性

〇平岡瑞穂¹、遠藤勇輝¹、岸本尚之¹、林拓也¹、剣持雄太¹、町田龍人¹、渡邊一世²、山下良美²、原紳介²、後藤高寛²、笠松章史²、遠藤聡¹、藤代博記¹ (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)

09:30 〜 11:30

△ [19a-PB5-13] 成長温度の異なるGaAsSb/GaAs(001)の格子緩和異方性評価

〇久保幸士朗¹、野川翔太¹、河野将大¹、佐々木拓生²、高橋正光²、鈴木秀俊¹ (1.宮崎大学、2.量子科学研)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-14] InP基板上のInAs/GaAsSb type-Ⅱ超格子構造を用いた中赤外LEDの作製

〇宇野江¹、飯嶋直人¹、山口浩一¹ (1.電通大院基盤理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-15] 液滴エピタキシー法によるInAs/InP(111)A量子ドットの自己形成における高温結晶化過程の導入

〇間野高明¹、ハヌル¹、黒田隆¹、野田武司¹、佐久間芳樹¹、迫田和彰¹ (1.物材機構)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-16] 再結晶化したIn_xGa_1-xAsの結晶性

〇堀田行紘¹、平山賢太郎¹、富永依里子¹、大野裕²、上田修³ (1.広大院先端研、2.東北大金研、3.明治大)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-17] Wedge-shape geometry法を用いたAlGaN(0001)における表面エネルギーの評価

〇永井勝也¹、積木伸之介¹、秋山亨¹、アブドルムィッツプラディプト¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-18] 有機金属気相エピタキシー成長中におけるGaN(0001)表面のステップ端での吸着・脱離の挙動に関する理論的検討

〇相可拓巳¹、秋山亨¹、プラディプトアブドルムィッツ¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-19] フォトカソード応用AlGaAs超格子試料のMBE成長

〇(M1)森田伊織¹、石川史太郎¹、西谷智博²、田渕雅夫³ (1.愛媛大工、2.名古屋大IMaSS、3.名古屋大SRC)

セッション一覧

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18a-B31-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [18a-B31-2] 第一原理計算によるGaPN混晶中の窒素－IV族ドーパント結合に関する検討

▲ [18a-B31-5] Laser Induced Degradation of Photoluminescence Intensity in GaPN

[18p-B31-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

▲ [18p-B31-2] Metallic selenides as the buffers for GaAs grown on Si (111)

△ [18p-B31-12] GaAsキャップ層を低温成長したInGaAs量子ドットにおける電子スピンダイナミクスの温度依存性

[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [19a-PB5-4] ALE 法で意図的に N 分布を変化させたGaAsN 薄膜のアニール温度の電気特性への影響

△ [19a-PB5-13] 成長温度の異なるGaAsSb/GaAs(001)の格子緩和異方性評価

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