一般セッション(口頭講演)
8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理
13:30 〜 13:45
〇布村 正太1、坂田 功1、榊田 創1、古閑 一憲2,3、白谷 正治2 (1.産総研電子光基礎RI、2.九大シス情、3.自然科学研究機構)
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13:45 〜 14:00
〇久山 智弘1,2、涌羅 奨平1、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)
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14:00 〜 14:15
〇濱野 誉1,2、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京都大学、2.学振特別研究員DC)
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14:15 〜 14:30
〇平田 瑛子1,2、深沢 正永1、釘宮 克尚1、萩本 賢哉1、岩元 勇人1、Jomar Tercero2、礒部 倫郎2、伊藤 智子2、唐橋 一浩2、浜口 智志2 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)、2.阪大院工)
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14:30 〜 14:45
〇(M2)Hojun Kang1、Tomoko Ito1、Junghwan Um2、Hikaru Kokura2、Taekyun Kang2、Sungil Cho2、Hyunjung Park2、Kazuhiro Karahashi1、Satoshi Hamaguchi1 (1.Osaka Univ.、2.Samsung Electronics)
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15:00 〜 15:15
〇小玉 欣典1、財前 義史1、深沢 正永1、釘宮 克尚1、萩本 賢哉1、岩元 勇人1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))
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15:15 〜 15:30
〇伊藤 智子1、唐橋 一浩1、浜口 智志1 (1.阪大院工)
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15:30 〜 15:45
〇中原 尚哉1、森山 誠1、鈴木 陽香1,2、豊田 浩孝1,2,3 (1.名大工、2.名大低温プラズマ、3.核融合研)
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15:45 〜 16:00
大久保 勇毅1、高橋 桃世1、北川 貴之1、登尾 一幸1、〇田口 貢士1,2 (1.魁半導体、2.チェッカーズ)
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16:00 〜 16:15
〇相澤 洸1、櫻井 匡1、石島 達夫1、田中 康規1、中野 裕介1 (1.金沢大自然)
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