一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2022年9月21日(水) 09:00 〜 11:15 A406 (A406)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇佐藤 剛志1、宮本 聡1、鈴木 紹太2,3、ダムリン マルワン2,3、宇佐美 徳隆1 (1.名大院工、2.東洋アルミ、3.阪大院工)
スケジュール
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09:15 〜 09:30
〇長岡 駿弥1、石丸 学1 (1.九州工大)
スケジュール
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09:30 〜 09:45
〇近藤 弘人1、有元 圭介1、原 康祐1、山中 淳二1 (1.山梨大)
スケジュール
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09:45 〜 10:00
〇(M2)坂根 健斗1、野秋 元1、三谷 祐一郎1 (1.都市大理工)
スケジュール
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10:15 〜 10:30
〇清水 昇1、王 一1、山本 圭介1、張 師宇2、柴山 茂久2、中塚 理2,3、王 冬1 (1.九大・総理工、2.名大・院工、3.名大・未来研)
スケジュール
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10:30 〜 10:45
〇茂藤 健太1,2、都甲 薫3、高山 智成1、今城 利文3、山本 圭介1 (1.九大院 総理工、2.学振特別研究員、3.筑波大院 数理物質)
スケジュール
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10:45 〜 11:00
〇(M2)高山 智成1、茂藤 健太1,2、都甲 薫3、王 冬1、山本 圭介1 (1.九大院 総理工、2.学振特別研究員、3.筑波大院 数理物質)
スケジュール
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11:00 〜 11:15
〇野沢 公暉1、西田 竹志1,2、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院、2.学振特別研究員)
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