〇(M2)Danrong Xie^1,2、 Myeongok Kim^1,2、 Nazmul Ahsan²、 Abhishek Gupta³、 Yoshitaka Okada^1,2 (1.Eng. U-Tokyo、2.RCAST U-Tokyo、3.Grad. Arts & Sci. U-Tokyo)

14:00 〜 14:15

▼ [21p-B202-3] Improved Photovoltaic Properties of Few-layer WS_0.3Se_1.7/WO_x Lateral p⁺-n Junctions

〇(D)Abdul A Kuddus¹、 Kojun Yokoyama¹、 Keiji Ueno¹、 Hajime Shirai¹ (1.Saitama University)

14:15 〜 14:30

[21p-B202-4] CdS/Cu₂O 界面のバンド接続

〇寺田教男¹、大久保勝博¹、向井大輔¹、山本和重²、中川直之²、永井武彦³、反保衆志³ (1.鹿児島大学、2.東芝、3.産総研)

14:30 〜 14:45

[21p-B202-5] 中間層に水酸化マグネシウム薄膜を用いた酸化鉄薄膜太陽電池の作製

〇村上諒¹、市村正也¹ (1.名工大)

14:45 〜 15:00

[21p-B202-6] ドロップ蒸発堆積SnO₂およびCo₃O₄/ SnO₂ヘテロ接合

〇リトウ¹、市村正也¹ (1.名工大工)

15:00 〜 15:15

[21p-B202-7] RFマグネトロンスパッタリング法によるCu3N薄膜の作製とn型伝導の観測

〇藤中将人¹、中村陽紀¹、片桐翔¹、石川博康^1,2 (1.芝浦工大、2.グリーンエレクトロニクス国際研究研究センター)

15:30 〜 15:45

[21p-B202-8] 光干渉効果を考慮したシースルー型ペロブスカイト/PbS量子ドット中間バンド太陽電池の逆設計と作製

〇斯波廣大^1,2、山口浩一¹、沈青¹、早瀬修二¹、岡田至崇³、曽我部東馬^1,2,3 (1.電通大基盤理工、2.(株)グリッド、3.東大先端研)

15:45 〜 16:00

[21p-B202-9] Fabry-Pérot光閉じ込め構造を用いた薄膜量子ドット太陽電池の評価

〇樗木悠亮^1,2、北原健渡^1,2、宮下直也²、岡田至崇^1,2 (1.東大院工、2.東大先端研)

16:00 〜 16:15

△ [21p-B202-10] 外部量子効率の形状が開放電圧に与える影響と量子構造太陽電池の最適化設計

〇(D)浅見明太¹、渡辺健太郎²、中野義昭¹、杉山正和^1,2 (1.東大工、2.先端研)

16:15 〜 16:30

[21p-B202-11] 二端子直列太陽電池-熱電素子タンデムの出力最大化設計手法

〇佐久間惇¹、上出健仁²、望月敏光²、高遠秀尚²、秋山英文¹ (1.東大物性研、2.産総研)

16:30 〜 16:45

[21p-B202-12] 直列2端子PVTEハイブリッドの普遍的ロスレス結合公式

〇上出健仁¹、佐久間惇²、望月敏光¹、高遠秀尚¹、秋山英文² (1.産総研、2.東大物性研)

16:45 〜 17:00

▼ [21p-B202-13] Electrical Properties of AlGaAs/GaAs-Based Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells with Doubled heterointerfaces

〇Hambalee Mahamu¹、 Shigeo Asahi¹、 Takashi Kita¹ (1.Kobe Univ.)

一般セッション(口頭講演)

[22a-A307-1~7] 13.9 化合物太陽電池

2022年9月22日(木) 09:00 〜 10:45 A307 (A307)

渡辺健太郎(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

▲ [22a-A307-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Al_0.35GaAs / InGaP Heterojunction Solar Cell Based on Temperature-graded Growth

〇Gan Li¹、 Hassanet Sodabanlu²、 Kentaroh Watanabe²、 Masakazu Sugiyama^1,2、 Yoshiaki Nakano¹ (1.The Univ. of Tokyo、2.RCAST, the Univ. of Tokyo)

09:15 〜 09:30

▼ [22a-A307-2] Characterization of III-V Compound Triple Junction Solar Cells using Laser Beam Induced Current Mapping

〇(M2)Thakur Vaishnavi^1,2、 Bernice Y. Espaldon³、 Naoya Miyashita²、 Nazmul Ahsan²、 Yoshitaka Okada^1,2 (1.Eng. UTokyo、2.RCAST, UTokyo、3.NIMS)

09:30 〜 09:45

[22a-A307-3] 転位すべり面に偏りのあるInGaAs太陽電池の非発光再結合マッピング評価

〇原田尚吾¹、森田浩右¹、大山博暉¹、原田知季^1,2、大窪純矢¹、鈴木秀俊¹、小倉暁雄³、今泉充³、碇哲雄¹、福山敦彦¹ (1.宮崎大、2.学振特別研究員 DC、3.宇宙航空研究開発機構)

09:45 〜 10:00

[22a-A307-4] 常温接合法を用いた同一極性基板の評価

〇(M1)西舘優太¹、久恒圭人¹、内田史朗¹ (1.千葉工大)

10:00 〜 10:15

[22a-A307-5] 常温接合を用いた異極性基板接合の検討

〇(M1)久恒圭人¹、西舘優太¹、内田史朗¹ (1.千葉工大)

10:15 〜 10:30

[22a-A307-6] III-V族化合物太陽電池用オーミック電極の検討

〇(M1)渡邉康祐¹、石井原海斗¹、若林勇太¹、内田史朗¹ (1.千葉工大)

10:30 〜 10:45

[22a-A307-7] 車載用Siタンデム太陽電池の損失解析

〇山口真史¹、中村京太郎¹、尾崎亮¹、小島信晃¹、大下祥雄¹、高本達也²、増田泰造³ (1.豊田工大、2.シャープ、3.トヨタ自動車)

一般セッション(ポスター講演)

[22p-P08-1~16] 13.9 化合物太陽電池

2022年9月22日(木) 13:30 〜 15:30 P08 (体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 15:30

[22p-P08-1] HVPEで作製したInGaP/GaAs2接合太陽電池の空間均一性の評価

〇(M2)南雲大輔^1,2、庄司靖¹、太野垣健¹、大島隆治¹、牧田紀久夫¹、岡野好伸²、菅谷武芳¹ (1.産総研、2.東京都市大)

13:30 〜 15:30

▲ [22p-P08-2] Quantifying the influence of band tail recombination and quasi-fermi level splitting on the open-circuit voltage loss in CIGS solar cells

〇(D)Hamidou Tangara¹、 Yulu He¹、 Guo Junjie¹、 Muhammad Monirul Islam¹、 Shogo Ishizuka²、 Takeaki Sakurai¹ (1.Univ.Tsukuba、2.AIST)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-3] In₂O₃:Tiを裏面電極に用いた両面受光型Cu(In,Ga)Se₂光電極が水分解に与える影響

〇岡田一真¹、植田かな¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-4] Cu₂SnS₃薄膜を光電極に用いた水分解の可能性

〇金森大輝¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-5] n-CdS層成膜時の(NH₂)₂CS濃度がCu₂SnS₃(CTS)太陽電池の電気特性に与える影響

〇金井綾香¹、齋藤聡一郎²、荒木秀明²、田中久仁彦¹ (1.長岡技科大、2.長岡高専)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-6] 低硫化水素濃度での熱処理によるCu₂SnS₃薄膜の作製

〇赤木洋二¹、喜瀬駆¹、阿部日向¹、内村友宏¹、中村重之²、荒木秀明³ (1.都城高専、2.津山高専、3.長岡高専)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-7] ウェットプロセスで作製した化合物太陽電池光吸収層Cu₂SnS₃薄膜の熱処理条件における保持時間の影響

〇(B)五十嵐優聴¹、長谷川覚巳¹、石田友紀¹、田中久仁彦²、森谷克彦¹ (1.鶴岡工業高等専門学校、2.長岡技術科学大学)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-8] ディップコート法によるCu₂SnS₃(CTS)光吸収層作製における溶液粘度依存性

〇(B)長谷川覚巳¹、五十嵐優聴¹、石田友紀¹、森谷克彦¹ (1.鶴岡高専)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-9] フォトルミネッセンス観測によるCu₂Sn_1-xGe_xS₃の基礎物性の調査

〇羽田涼馬¹、金井綾香¹、杉山睦²、田中久仁彦¹ (1.長岡技科大、2.東理大)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-10] Cu₂Sn_1-xSi_xS₃バルク結晶のフォトルミネッセンス観測

〇岩崎千寛¹、金井綾香¹、田中久仁彦¹ (1.長岡技科大)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-11] アモルファス Sn-S プリカーサが硫化処理後の SnS 薄膜に及ぼす影響

〇庄司拓真¹、浦野悟至¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-12] Sn-SプリカーサへのSb添加が硫化処理後のSnS薄膜に及ぼす影響

〇浦野悟至¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-13] MoS₂バッファ層導入によるSnS薄膜の結晶性の検討

〇松島聖人¹、滝沢康太¹、杉山睦^1,2 (1.東理大理工、2.東理大総研)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-14] ALD法を用いたZnOバッファ層がSnS層の欠陥に及ぼす影響

〇篠田倫太郎¹、浦野悟至¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-15] 真空蒸着法によるZnS:Cl/SnS PN接合ダイオードの作製

〇(B)村上渚¹、川端勇士¹、大前洸斗¹ (1.釧路高専)

13:30 〜 15:30

[22p-P08-16] スピンコート法による新規透明p型半導体（銅ハライド系薄膜）の作製

〇本間大祐¹、村山堅亮¹、田中久仁彦²、森谷克彦¹ (1.鶴岡高専、2.長岡技科大)

セッション一覧

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[21a-B202-1~11] 13.9 化合物太陽電池

△ [21a-B202-1] ZnSnP2バルク結晶の非発光再結合中心の同定

△ [21a-B202-7] CIGS太陽電池モジュールの透明導電膜抵抗の解析

△ [21a-B202-8] CIGS型両面太陽電池に関する基礎検討

[21p-B202-1~13] 13.9 化合物太陽電池

▼ [21p-B202-1] Effects of Thin Ag2S Buffer Layers on CuGaS2 Thin Films Grown with RF Sputtering

▼ [21p-B202-2] Investigation on MoS2 Thin-film for Solar Cell Applications

▼ [21p-B202-3] Improved Photovoltaic Properties of Few-layer WS0.3Se1.7/WOx Lateral p+-n Junctions

△ [21p-B202-10] 外部量子効率の形状が開放電圧に与える影響と量子構造太陽電池の最適化設計

▼ [21p-B202-13] Electrical Properties of AlGaAs/GaAs-Based Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells with Doubled heterointerfaces

[22a-A307-1~7] 13.9 化合物太陽電池

▲ [22a-A307-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Al0.35GaAs / InGaP Heterojunction Solar Cell Based on Temperature-graded Growth

▼ [22a-A307-2] Characterization of III-V Compound Triple Junction Solar Cells using Laser Beam Induced Current Mapping

[22p-P08-1~16] 13.9 化合物太陽電池

▲ [22p-P08-2] Quantifying the influence of band tail recombination and quasi-fermi level splitting on the open-circuit voltage loss in CIGS solar cells

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△ [21a-B202-1] ZnSnP₂バルク結晶の非発光再結合中心の同定

▼ [21p-B202-1] Effects of Thin Ag₂S Buffer Layers on CuGaS₂ Thin Films Grown with RF Sputtering

▼ [21p-B202-2] Investigation on MoS₂ Thin-film for Solar Cell Applications

▼ [21p-B202-3] Improved Photovoltaic Properties of Few-layer WS_0.3Se_1.7/WO_x Lateral p⁺-n Junctions

▲ [22a-A307-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Al_0.35GaAs / InGaP Heterojunction Solar Cell Based on Temperature-graded Growth