2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

2017年9月19日〜 2017年9月22日
Sendai International Center

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[G-3-02] Sublattice Reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures and its application to THz emitting devices based on a coupled multilayer cavity

^○X. Lu¹, Y. Minami¹, N. Kumagai², T. Kitada¹ (1.Tokushima Univ. (Japan), 2.AIST (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 09:45 〜 10:00 |PDF ダウンロード

[G-3-03] CMOS Single-Photon Avalanche Diodes for Light Detection and Ranging in Strong Background Illumination

^○W. -S. Huang¹, T. -H. Liu¹, D. -R. Wu¹, C. -M. Tsai¹, S. -D. Lin¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 10:00 〜 10:15 |PDF ダウンロード

[G-3-04] Estimation of the Conversion Properties of Trench-Structured Silicon X-ray Photodiodes by the Side X-ray Irradiation Method

^○T. Ariyoshi¹, Y. Takane¹, J. Iwasa¹, K. Sakamoto¹, A. Baba¹, Y. Arima¹ (1.Kyushu Inst. of Tech. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 10:15 〜 10:30 |PDF ダウンロード

[G-3-05] Compact Waveguide-Coupled Hybrid Plasmonic Nanotaper for Optical Trapping of Nanoparticles

^○Y. -C. Lin¹, P. -T. Lee¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 10:30 〜 10:45 |PDF ダウンロード

[G-3-06] Population trapping through spectral hole burning in ¹⁶⁷Er³⁺:Y₂SiO₅

M. IJspeert¹, G. Mariani¹,^○T. Tawara^1,2, K. Shimizu¹, H. Omi^1,2, S. Adachi³, H. Gotoh¹ (1.NTT Basic Res. Labs. (Japan), 2.NTT Nanophotonics Center (Japan), 3.Hokkaido Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 10:45 〜 11:00 |PDF ダウンロード

[G-3-07 (Late News)] Room-Temperature Two-Color Lasing by Current Injection into a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity Fabricated by Wafer Bonding

^○T. Kitada¹, X. Lu¹, Y. Minami¹, N. Kumagai², K. Morita³ (1.Tokushima Univ. (Japan), 2.AIST (Japan), 3.Chiba Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:00 〜 11:15 |PDF ダウンロード

[G-5-01 (Invited)] Advanced Stacked CMOS Image Sensor Technology

^○Y. Nitta¹ (1.Sony Semiconductor Solutions Corp. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 09:30 〜 10:00 |PDF ダウンロード

[G-5-02] Impact of Drain Current to Appearance Probability and Amplitude of Random Telegraph Noise in Low Noise CMOS Image Sensors

^○S. Ichino¹, T. Mawaki¹, A. Teramoto¹, R. Kuroda¹, H. Park¹, T. Maeda¹, S. Wakashima¹, T. Goto¹, T. Suwa¹, S. Sugawa¹ (1.Tohoku Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 10:00 〜 10:20 |PDF ダウンロード

[G-5-03] Analysis of Random Telegraph Noise Behaviers of nMOS and pMOS toward Back Bias Voltage Changing

^○T. Mawaki¹, A. Teramoto¹, R. Kuroda¹, S. Ichino¹, S. Sugawa¹ (1.Tohoku Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 10:20 〜 10:40 |PDF ダウンロード

[G-6-01 (Invited)] HPP: A Noval Architecture for High Performace Processing

D. Wang¹,^○Z. Zhang¹, Z. Liu¹, X. Du¹, S. Xie¹, H. Ma¹, G. Ding¹, W. Ren¹, F. Zhou¹, W. Sun¹, H. Wang¹ (1.Inst. of Automation, Chinese Academy of Sci. (China))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 11:15 〜 11:45 |PDF ダウンロード

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