2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

2017年9月19日〜 2017年9月22日
Sendai International Center

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[PS-2-06] Facile approach of enhanced heat mitigation between 3D stacked layers by Introducing a sub micron thick heat spreading materials

^○C. H. Kumar¹, A. K. Panigrahi¹, P. Supraja¹, N. Paul¹, S. G. Singh¹ (1.Indian Inst. of Tech. -Hyderabad (India))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:45 〜 11:47 |PDF ダウンロード

[PS-2-07 (Late News)] Investigation of Transient Thermal Dissipation in Three-Dimensional Stacked ICs

^○Y. Araga¹, H. Shimamoto¹, S. Melamed¹, K. Kikuchi¹, M. Aoyagi¹ (1.AIST (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:47 〜 11:49 |PDF ダウンロード

[PS-3-01] Ge-on-insulator tunneling FET with abrupt source junction by snowplow effect of NiGe

^○R. Matsumura^1,2, T. Katoh¹, R. Takaguchi¹, M. Takenaka¹, S. Takagi¹ (1.Univ. of Tokyo (Japan), 2.JSPS Res. Fellow (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:35 〜 11:37 |PDF ダウンロード

[PS-3-02] Performance enhancement of GOI tunneling FETs with source junctions formed by low energy BF₂ ion implantation

T. Katoh¹,^○R. Matsumura¹, R. Takaguchi¹, M. Takenaka¹, S. Takagi¹ (1.Univ. of Tokyo (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:37 〜 11:39 |PDF ダウンロード

[PS-3-03] Switching Time Analysis of Negative Capacitance UTB GeOI MOSFETs

^○P. -C. Chiu¹, V. P. -H. Hu¹ (1.National Central Univ. (Taiwan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:39 〜 11:41 |PDF ダウンロード

[PS-3-04] III-V Heterojunction TFET with Bandgap Engineering for Performance Enhancement and Ambipolar Leakage Suppression

^○C. -T. Wang¹, V. P. -H. Hu¹ (1.National Central Univ. (Taiwan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:41 〜 11:43 |PDF ダウンロード

[PS-3-05] Short Channel Modeling of Tunnel FET's

^○K. Fukuda¹, H. Asai¹, J. Hattori¹, T. Mori¹, Y. Morita¹, W. Mizubayashi¹, M. Masahara¹, S. Migita¹, H. Ota¹, K. Endo¹, T. Matsukawa¹ (1.AIST (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:43 〜 11:45 |PDF ダウンロード

[PS-3-06] Enhancement of Capacitance Benefit by Drain Offset Structure in TFET Circuit Speed Associated with Tunneling Probability Increase

^○H. Asai¹, T. Mori¹, T. Matsukawa¹, J. Hattori¹, K. Endo¹, K. Fukuda¹ (1.AIST (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:45 〜 11:47 |PDF ダウンロード

[PS-3-07] Benchmarking the Impact of Work Function Variations on Cell Stability of Low-Voltage 6T SRAMs with Non-planar and Planar TMDFETs

^○C. -T. Zheng¹, P. Su¹, C. -T. Chuang¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:47 〜 11:49 |PDF ダウンロード

[PS-3-08] Improved Hetero-Gate-Dielectric Tunnel Field-Effect Transistors

W. Y. Choi¹,^○J. W. Lee¹ (1.Sogang Univ. (Korea))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:49 〜 11:51 |PDF ダウンロード

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