2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

2017年9月19日〜 2017年9月22日
Sendai International Center

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[M-5-04] Materials growth and band offset parameters of the Al₂O₃/In_0.28Ga_0.72Sb/AlSb/GaSb/GaAs heterostructure

^○S. H. Huynh¹, M. T. H. Ha¹, H. B. Do¹, T. A. Nguyen¹, Y. D. Jin¹, J. W. Lin¹, K. S. Yang¹, C. -C. F. Chang¹, Q. H. Luc¹, E. Y. Chang¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 10:30 〜 10:45 |PDF ダウンロード

[N-1-01 (Invited)] THz Circuitry Designs Based on InP and CMOS Devices

^○Y. Kawano¹, H. Matsumura¹, Y. Yagishita¹, Y. Nakasha¹, T. Takahashi¹, N. Hara¹ (1.Fujitsu Ltd. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 13:30 〜 14:00 |PDF ダウンロード

[N-1-02] A Wide-Range Variable-Frequency Resonant Tunneling Diode Oscillator Based on a Novel MEMS Phase Shifter

^○T. Yamashita¹, D. Nakano¹, M. Mori¹, K. Maezawa¹ (1.Univ. of Toyama (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 14:00 〜 14:15 |PDF ダウンロード

[N-1-03] Etching Control in Side-Recess Formation of High Electron Mobility Transistor for High-Responsivity Terahertz Detector

^○S. Suzuki¹, S. Shibuya¹, Y. Isobe¹ (1.Tokyo Tech (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 14:15 〜 14:30 |PDF ダウンロード

[N-1-04] Enhanced-Mode InAs QWFETs with the Source Connected Field Plate Technique for Low Power Logic Applications

^○J. N. Yao¹, Y. C. Lin¹, H. T. Hsu¹, T. J. Huang¹, M. S. Lin², Y. C. Wang¹, Z. Y. Huang¹, S. M. Sze¹, E. Y. Chang¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan), 2.National Tsing Hua Univ. (Taiwan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 14:30 〜 14:45 |PDF ダウンロード

[N-1-05] Study of enhance mode π-gate InAs HEMT for logic application

^○Y. -C. Wang¹, J. -N. Yao¹, Y. -C. Lin¹, H. -T. Hsu¹, T. -J. Huang¹, C. -Y. Huang¹, E. Y. Chang¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 14:45 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[N-1-06] First Demonstration of GaSb p-Channel Schottky MOSFET with Pt Source/Drain

^○M. L. Tsai¹, Y. P. Chang¹, C. H. Chien¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 15:00 〜 15:15 |PDF ダウンロード

[N-2-01 (Invited)] Recent Progress in MOCVD Technology: III-Nitrides and 2D Nanomaterials

^○M. Heuken^1,2 (1.AIXTRON SE (Germany), 2.RWTH Aachen Univ. (Germany))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 15:40 〜 16:10 |PDF ダウンロード

[N-2-02] Thermodynamic Analysis of the Surface Reactions in GaN MOVPE

^○K. Sekiguchi¹, H. Shirakawa¹, K. Chokawa¹, M. Araidai¹, Y. Kangawa^1,2, K. Kakimoto², K. Shiraishi¹ (1.Nagoya Univ. (Japan), 2.Kyushu Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 16:10 〜 16:25 |PDF ダウンロード

[N-2-03] Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically-smooth heterointerface

^○D. Hosomi¹, Y. Miyachi¹, T. Egawa¹, M. Miyoshi¹ (1.Nagoya Inst. of Tech. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 16:25 〜 16:40 |PDF ダウンロード

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