2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

2017年9月19日〜 2017年9月22日
Sendai International Center

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[PS-8-03] Low-Temperature Sb-Induced Layer Exchange Crystallization for Slef-Limiting Formation of n-Type Ge/Insulator

^○H. Gao¹, R. Aoki¹, M. Miyao¹, T. Sadoh¹ (1.Kyushu Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:39 〜 11:41 |PDF ダウンロード

[PS-8-04] In situ investigation of self-catalyzed purity Copper nanowire growth through seed-mediated synthesis

^○T. -Y. Lin¹, Y. -L. Chen¹, C. -W. Huang¹, C. -F. Chang¹, C. -H. Chiu¹, G. -M. Huang¹, Y. -C. Lo¹, W. -W. Wu¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:41 〜 11:43 |PDF ダウンロード

[PS-8-05] Self-catalyst growth of InAs and InAs/GaSb Heterostructure Nanowires on Si substrate by MOCVD

^○R. K. Kakkerla¹, H. W. Yu¹, D. Anandan¹, C. J. Hsiao², S. K. Singh¹, E. Y. Chang¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan), 2.National Cheng Kung Univ. (Taiwan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:43 〜 11:45 |PDF ダウンロード

[PS-8-06] Boron Nitride Thin Films Grown on (0001) Sapphire Substrates by Molecular Beam Epitaxy

^○Y. Kobayashi¹, T. Kimura¹, H. Nakazawa¹, H. Okamoto¹, M. Hiroki², K. Kumakura² (1.Hirosaki Univ. (Japan), 2.NTT Basic Res. Lab. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:45 〜 11:47 |PDF ダウンロード

[PS-8-07] Compositional Pulling Effect in Epitaxial Growth of GaInN by RF-MBE

^○T. Yamaguchi¹, T. Sasaki², M. Takahasi², T. Araki³, T. Onuma¹, T. Honda¹, Y. Nanishi³ (1.Kogakuin Univ. (Japan), 2.QST (Japan), 3.Ritsumeikan Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:47 〜 11:49 |PDF ダウンロード

[PS-8-08] Epitaxial Growth of Non-polar ZnS on Sapphire Substrate by Mist Chemical Vapor Deposition

^○K. Okita¹, T. Goto¹, Y. Tanaka¹, M. Takenouchi¹, Z. Yatabe², Y. Nakamura^1,3 (1.Kumamoto Univ. GSST (Japan), 2.Kumamoto Univ. POIE (Japan), 3.Phoenics (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:49 〜 11:51 |PDF ダウンロード

[PS-8-09] Study on Fabrication of Yttrium Oxide Thin Films Using Mist CVD

^○L. Liu¹, M. Nishi¹, S. Sato¹, P. Rutthongjan¹, M. Sakamoto¹, Y. Kobayashi¹, G. T. Dang¹, E. K. C. Pradeep¹, T. Kawaharamura¹ (1.Kochi Univ. of Tech. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:51 〜 11:53 |PDF ダウンロード

[PS-8-10] Study on the Influence Factors of Antimony Doped Tin Oxide Thin Films With High Conductivity Deposited via Mist CVD

^○L. Liu¹, T. Kawaharamura¹, T. Uchida², S. Fujita², H. Orita³, H. Kobayashi³ (1.Kochi Univ. of Tech. (Japan), 2.Kyoto Univ. (Japan), 3.TMEIC (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:53 〜 11:55 |PDF ダウンロード

[PS-8-11] Electronic states in the neutral-beam-formed Ta₂O₅ film measured by thermally stimulated current method

^○T. Ohno^1,2, H. Shima³, H. Akinaga³, S. Samukawa¹ (1.Tohoku Univ. (Japan), 2.PRESTO-JST (Japan), 3.AIST (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:55 〜 11:57 |PDF ダウンロード

[PS-8-12] Thermal solid-phase crystallization of amorphous V-doped ZnO film stacked on highly oriented ZnO

^○K. Shito¹, H. Chiba^1,2, T. Kawashima¹, K. Washio¹ (1.Tohoku Univ. (Japan), 2.Japan Society for the Promotion of Sci. Res. Fellowships for Young Scientists (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 11:57 〜 11:59 |PDF ダウンロード

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