2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

2017年9月19日〜 2017年9月22日
Sendai International Center

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[K-4-04] Hot-C⁺-Ion Implantation Optimization for Forming Nano-SiC Region at Surface (100)SOI Substrate

^○T. Mizuno¹, Y. Omata¹, S. Nakada¹, T. Aoki¹, T. Sasaki² (1.Kanagawa Univ. (Japan), 2.Toshiba Nanoanalysis Corp. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 15:10 〜 15:30 |PDF ダウンロード

[K-5-01 (Invited)] CMOS Compatible Ferroelectric Devices for Beyond 1X nm Technology Nodes

S. Müller¹,^○H. Mulaosmanovic², S. Slesazeck², J. Müller³, T. Mikolajick^2,4 (1.Ferroelectric Memory GmbH (Germany), 2.NaMLab gGmbH (Germany), 3.Fraunhofer IPMS (Germany), 4.IHM TU Dresden (Germany))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 09:30 〜 10:00 |PDF ダウンロード

[K-5-02] Polarization Switching Behavior of HfO₂-based Ferroelectric Ultrathin Films Studied through Coercive Field Characteristics

^○S. Migita¹, H. Ota¹, H. Yamada¹, K. Shibuya¹, A. Sawa¹, A. Toriumi² (1.AIST (Japan), 2.Univ. of Tokyo (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 10:00 〜 10:20 |PDF ダウンロード

[K-5-03] Thickness-dependent ferroelectric phase evolution in doped HfO₂

^○L. Xu¹, T. Nishimura¹, S. Shibayama¹, T. Yajima¹, S. Migita², A. Toriumi¹ (1.Univ. of Tokyo (Japan), 2.AIST (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 10:20 〜 10:40 |PDF ダウンロード

[K-5-04 (Late News)] Direct Evidence of 3-nm-thick Ferroelectric HfO₂

^○X. Tian¹, S. Shibayama¹, T. Nishimura¹, T. Yajima¹, S. Migita², A. Toriumi¹ (1.Univ. of Tokyo (Japan), 2.AIST (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 10:40 〜 10:55 |PDF ダウンロード

[K-6-01] Acceleration of Metal-atom Diffusion under Electric Field at Metal/Insulator Interfaces; First-principles Study

^○R. Nagasawa¹, Y. Asayama¹, T. Nakayama¹ (1.Chiba Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 11:15 〜 11:35 |PDF ダウンロード

[K-6-02] Guiding principles for the fabrication of V-MOSFETs based on a Si emission model

^○T. Nagura¹, K. Chokawa¹, H. Shirakawa¹, M. Araidai^1,4, H. Kageshima^2,4, T. Endoh^3,4, K. Shiraishi^1,4 (1.Nagoya Univ. (Japan), 2.Shimane Univ. (Japan), 3.Tohoku Univ. (Japan), 4.JST-ACCEL (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 11:35 〜 11:55 |PDF ダウンロード

[K-6-03] Development of Interatomic Potential of Ge_(1-x-y)Si_xSn_y Ternary Alloy Semiconductors for Classical Lattice Dynamics Simulation

^○M. Tomita^1,2, T. Watanabe¹ (1.Waseda Univ. (Japan), 2.JSPS Res. Fellow PD (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 11:55 〜 12:15 |PDF ダウンロード

[K-7-01] Magnetic phase transition induced tunneling anisotropic magnetoresistance in FeRh-based junctions

^○C. Song¹, X. Chen¹, F. Pan¹ (1.Tsinghua Univ. (China))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 13:40 〜 13:55 |PDF ダウンロード

[K-7-02] Epitaxy and Magneto-Transport Properties in Fully Epitaxial Fe/GaO_x/Fe Magnetic Tunnel Junctions

^○S. K. Narayananellore¹, N. Doko^1,2, N. Matsuo^1,2, H. Saito¹, S. Yuasa¹ (1.AIST (Japan), 2.Chiba Inst. of Tech. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 13:55 〜 14:10 |PDF ダウンロード

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