一般セッション(口頭講演)

[18p-E11-1~14] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年3月18日(火) 13:15 〜 17:00 E11 (E205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

△ [18p-E11-1] VGF法によるノンドープGaAsバルクのスピン緩和

^○（M1）安江雄也，上村光典，本多一輝，竹内淳 (早大先進理工)

13:30 〜 13:45

[18p-E11-2] 二波長PL測定によるGaPN混晶の中間バンドの観測

^○末次麻希子，トウヒドルイスラム，村越尚輝，花岡司，鎌田憲彦，矢口裕之 (埼玉大)

13:45 〜 14:00

[18p-E11-3] InAs/InGaAsP量子ドットとコラムナ量子ドットの発光現象の比較

^○佐藤里枝，山口萌花，佐藤麻未子，竹内悠，今井元 (日女大理)

14:00 〜 14:15

[18p-E11-4] Si(111)上にMBE成長した(Sc_1-xEr_x)₂O₃膜のEXAFS解析

^○尾身博雄¹，俵毅彦¹，鍛冶玲奈²，穂積貴人²，足立智²，後藤秀樹¹，寒川哲臣¹ (NTT物性基礎研究¹，北大院工²)

14:15 〜 14:30

[18p-E11-5] サファイア基板上のZnO:Eu薄膜からの発光特性 -Si基板との比較-

^○赤沢方省¹，篠島弘幸² (NTT MI研¹，久留米高専²)

14:30 〜 14:45

△ [18p-E11-6] スパッタリング併用MOCVD法によるTm添加ZnO薄膜の作製とTm発光特性の評価

^○岸本大希，岡田竜太朗，立山侑佐，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

休憩 14:45〜15:00 （14:45 〜 15:00）

15:00 〜 15:15

[18p-E11-7] GaN 化合物とラジカル窒素を原料に用いたMBE 法による希土類添加GaN 薄膜の作製(2)

^○弓達新治，小山裕生，宮田晃，白方祥 (愛大工)

15:15 〜 15:30

[18p-E11-8] Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸LEDにおける赤色発光効率の増大

^○荒居孝紀，若松龍太，李東建，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

15:30 〜 15:45

△ [18p-E11-9] Eu添加GaNにおけるEu発光中心間の相互エネルギー輸送

^○若松龍太，TimmermanDolf，田中一輝，児島貴徳，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

15:45 〜 16:00

△ [18p-E11-10] 二波長励起PL測定によるEu添加GaNのエネルギー輸送プロセス評価

^○岡田浩平，若松龍太，ドルフティママン，児島貴徳，小泉敦，藤原康文 (阪大院工)

16:00 〜 16:15

△ [18p-E11-11] 微小光共振器によるEu,O共添加GaNのEu発光強度増大

^○（M1）稲葉智宏，李東建，若松龍太，児島貴徳，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

16:15 〜 16:30

△ [18p-E11-12] Eu添加GaNにおけるEu発光特性へのO共添加効果

^○松田将明，若松龍太，児島貴徳，小泉淳，藤原康文 (大阪院工)

16:30 〜 16:45

[18p-E11-13] 蛍光XAFS法によるEu,O共添加GaN中のEuイオン周辺局所構造解析

^○大渕博宣¹，李東建²，松田将明²，若松龍太²，朱婉新²，小泉淳²，本間徹生¹，藤原康文² (JASRI/SPring-8¹，阪大院工²)

16:45 〜 17:00

[18p-E11-14] Er,O共添加GaAsのエネルギー伝搬/逆伝搬の個別観測

^○石井真史¹，小泉淳²，竹田美和³，藤原康文² (物材機構¹，阪大工²，名産研³)

一般セッション(ポスター講演)

[18a-PG6-1~23] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年3月18日(火) 09:30 〜 11:30 PG6 (G棟2階)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

[18a-PG6-1] ポリビニルピロリドンを用いた光感受性物質を含有するシリカ修飾Y₂O₃:Er,Ybナノ粒子の合成と評価

^○藤井邦生，池畑友祐，小田原修，和田裕之 (東工大院総理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-2] Cu埋め込みされたマイクロポーラスシリコンの電気特性

^○（M1C）大矢敏史¹，近藤英一¹，ベルナールジェローズ²，金蓮花¹ (山梨大院医工¹，名大工²)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-3] Sm³⁺, Pr³⁺共添加ガラス蛍光体の発光特性 -母体ガラス依存性-

^○清水勇佑¹，渡辺敬太¹，上村彦樹²，渕真悟¹，竹田美和² (青学大¹，科技財団²)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-4] 金属酸化物を用いたアップコンバージョン蛍光体の発光特性評価

^○大山渓人¹，金森翼¹，渡孝則²，後藤裕彦³，ホムナトルイテル³，山本伸一¹ (龍谷大理工¹，佐賀大院工²，心和美創³)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-5] MOD法を用いて作製したアップコンバージョン蛍光体の発光特性評価

^○金森翼¹，渡孝則²，後藤裕彦³，ホムナトルイテル³，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，佐賀大院工²，心和美創³)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-6] Nd-Al共添加TiO₂薄膜のPL特性3

^○相澤豊¹，小室修二²，平尾法恵³，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²，原子力機構³)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-7] 立方晶ペロブスカイト構造BaZrO₃:Tiにおける応力発光

^○藤原理賀¹，上村直²，徐超男^1,2,3 (産総研¹，九大院総理工²，WPI-I2CNER³)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-8] Sr₃Sn₂O₇:Nd³⁺の近赤外応力発光

^○上村直¹，徐超男^1,2,3，寺崎正²，山田浩志²，寺澤佑仁²，藤原理賀²，松尾ともみ¹ (九大院総理工¹，産総研²，WPI-I2CNER³)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-9] 2層構造を有する分散型無機ELの輝度特性

^○安藤太志¹，浦岡行治²，田口信義³，山本伸一¹ (龍谷大理工¹，奈良先端大²，イメージテック³)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-10] マグネトロンスパッタ成膜法で作製したBi添加イットリウムベース酸化物蛍光体薄のPL及びEL特性

^○阿部信也，宮田俊弘 (金沢工大)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-11] CuAlS₂:Mn蛍光体薄膜におけるSi添加による発光特性の改善

^○川口英紀¹，大島祐樹¹，大観光徳^1,2 (鳥取大院工¹，TEDREC²)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-12] 黄色チオシリケート蛍光体Gd₄(SiS₄)₃:Ce³⁺の発光特性

^○（DC）七井靖，鈴木洋介，鈴木智大，室崎祐，奥野剛史 (電気通信大先進理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-13] シリコン基板上への緑色チオシリケート蛍光体La₆Si₄S₁₇:Ce³⁺の形成

^○室崎祐，七井靖，奥野剛史 (電気通信大先進理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-14] マンガン添加イットリウムチオシリケート蛍光体の発光特性

^○鈴木智大，七井靖，奥野剛史 (電気通信大先進理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-15] フッ化硫化物系母体材料を用いた赤色蛍光体

^○（M1）景山洋至¹，光本怜司¹，大観光徳^1,2 (鳥大院工¹，TEDREC²)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-16] 深赤色発光Mg₂(Ti_0.99-X, Ge_X, Mn_0.01)O₄蛍光体の合成と紫外線励起発光特性

^○河北将馬¹，小南裕子¹，中西洋一郎²，原和彦^1,2 (静岡大院工¹，静岡大電子研²)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-17] フラックス法を用いたY₂WO₆:Eu蛍光体の合成とその評価

今井大輔，^○加藤有行 (長岡技科大工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-18] リンゴ酸とAPTESによる有機-無機ハイブリッド蛍光体の合成とその評価

川瀬琢也，小松啓志，^○加藤有行 (長岡技科大工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-19] リン酸塩化合物蛍光体板を用いた大気圧プラズマ照射による液中還元過程の空間分布測定

山上紘平，高地満寿雄，^○加藤有行，岩崎孝太郎，濱谷憲太，高橋一匡，佐々木徹，菊池崇志，阿蘇司，原田信弘 (長岡技科大工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-20] 誘導結合プラズマによるKSrPO₄:Eu蛍光体の還元処理

高地満寿雄，山上紘平，高橋一匡，佐々木徹，菊池崇志，^○加藤有行 (長岡技科大工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-21] AgInS₂半導体バンドギャップエネルギーの正の温度変化

^○尾崎俊二，堀越義道 (群馬大理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-22] MoS₂薄膜における第二次高調波発生強度の層数依存性

^○塚本知九馬，野村晋太郎 (筑波大数理)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-23] p型GaInPを用いた2種フォノンと連続準位の量子干渉効果

^○坂本裕則，石原一行，馬?，森田健，石谷善博 (千葉大工)

一般セッション(口頭講演)

[19a-E11-1~10] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年3月19日(水) 09:00 〜 11:45 E11 (E205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[19a-E11-1] P添加Siナノ結晶の赤外励起オージェ電子放出と発光特性への影響

^○石井真史¹，IainCrowe²，MatthewHalsall²，AndrewKnights³，RussellGwilliam⁴，BruceHamilton² (物材機構¹，Univ. Manchester²，McMaster Univ.³，Univ. Surrey⁴)

09:15 〜 09:30

[19a-E11-2] SiO₂上に形成したGe膜の発光特性評価

^○（M2）上方聖矢，徐学俊，澤野憲太郎，白木靖寛，丸泉琢也 (東京都市大)

09:30 〜 09:45

[19a-E11-3] Ge量子ドット/Si界面へのPデルタドーピングと発光特性評価

^○中間達哉，徐学俊，澤野憲太郎，白木靖寛，丸泉琢也 (都市大工)

09:45 〜 10:00

▼ [19a-E11-4] 一軸歪み印加によるGe量子ドット発光の巨大増強

^○徐学俊，中間達哉，丸泉琢也，白木靖寛 (都市大総研)

10:00 〜 10:15

△ [19a-E11-5] Ge伝導帯バレーの選択的光学励起法

^○坂本哲也¹，安武裕輔^1,2，深津晋¹ (東大院総合(駒場)¹，JSTさきがけ²)

10:15 〜 10:30

△ [19a-E11-6] n型ドープ引っ張り歪みGOIの作製と発光特性の評価

^○西田圭佑，徐学俊，高林昂紀，吉田圭佑，澤野憲太郎，白木靖寛，丸泉琢也 (都市大工)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[19a-E11-7] PLD法により作製されたCa_0.6Sr_0.4TiO₃:Prを発光層とするEL素子の電気的特性

青木光子¹，^○池上敬一¹，米川公博²，三浦登²，高島浩¹ (産総研¹，明大理工²)

11:00 〜 11:15

[19a-E11-8] 高誘電体ナノ粒子を塗布した無機薄膜エレクトロルミネッセンス(EL)素子

^○板垣悠己¹，國岡翔太¹，大観光徳^1,2 (鳥取大院工¹，TEDREC²)

11:15 〜 11:30

[19a-E11-9] インクジェット法による無機薄膜EL素子の作製 - ZnS:Mnナノ粒子の溶液合成における界面活性剤の検討-

^○土井直紀¹，福田尚哉¹，大観光徳^1,2 (鳥取大院工¹，TEDREC²)

11:30 〜 11:45

[19a-E11-10] 電位差滴定法によるZnS:Cu,Cl蛍光体のフェルミ準位深さの推定

^○和迩浩一 (タツモ)

一般セッション(口頭講演)

[19p-E11-1~19] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年3月19日(水) 13:15 〜 18:15 E11 (E205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食 11:45〜13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

[19p-E11-1] 希土類フリーZnO-LiGaO2(s.s.)蛍光体の発光特性

^○井上幸司 (三重県工業研究所)

13:30 〜 13:45

[19p-E11-2] マイクロリアクター法により合成したYVO₄:Bi,Euナノ蛍光体

^○坂田陵輔¹，山科憲司¹，大倉央³，小宮山凌平¹，宮下英俊¹，李相錫¹，大観光徳^1,2 (鳥取大¹，TEDREC²，メルク³)

13:45 〜 14:00

[19p-E11-3] Eu単添加SrAl₂O₄の結晶成長と光学特性Ⅱ:雰囲気ガス効果

^○石橋知也，古川翔子，山中明生 (千歳科学技術大)

14:00 〜 14:15

[19p-E11-4] Ce添加Ca₃Sc₂Si₃O₁₂の発光特性

高橋健伍，田中久仁彦，^○打木久雄 (長岡技科大)

14:15 〜 14:30

[19p-E11-5] 青色蛍光体Sr₃MgSi₂O₈:Eu²⁺のESRスペクトルと磁性

^○宮川勇人¹，曽根光作¹，神垣良昭^1,2，岡本慎二³ (香川大工¹，EBL²，東京化学研究所³)

14:30 〜 14:45

[19p-E11-6] 希土類元素EuとNdを共添加したCaAl₂O₄の発光特性に及ぼすBの添加効果

^○日高千晴，滝沢武男 (日大文理)

14:45 〜 15:00

[19p-E11-7] Near-infrared persistent luminescence in Nd³⁺-doped Sr₂SnO₄

^○上村直¹，徐超男^1,2,3，山田浩志²，藤原理賀²，松尾ともみ¹ (九大院総理工¹，産総研²，WPI-I2CNER³)

15:00 〜 15:15

[19p-E11-8] Pr:LuAG 薄膜ターゲットを用いた電子線励起紫外光源の開発（I）

^○市川典男，池田光平，本多慶範，武富浩幸，河合浩司，鈴木孝 (浜松ホトニクス)

15:15 〜 15:30

[19p-E11-9] Pr:LuAG 薄膜ターゲットを用いた電子線励起紫外光源の開発（II）

^○本多慶範，武富浩幸，河合浩司，市川典男，鈴木孝 (浜松ホトニクス)

休憩 15:30〜15:45 （15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

△ [19p-E11-10] RFマグネトロンスパッタ法によるZnO蛍光薄膜の高温成膜と電子線励起アシスト顕微鏡による試料観察

^○金森聡^1,2，三宅亜紀²，居波渉^1,2,3，小南裕子¹，川田善正^1,2,3，中西洋一郎² (静岡大院工¹，静岡大電子研²，JST-CREST³)

16:00 〜 16:15

[19p-E11-11] 第一原理計算を用いたアルカリ土類カルコゲナイド蛍光体の電子状態と発光特性の研究

^○中野博史，大江昌人 (シャープ)

16:15 〜 16:30

[19p-E11-12] Ab initio量子化学計算によるCaF₂:Eu²⁺の4f→5d遷移の解析

^○相賀史彦，平松亮介，石田邦夫 (東芝)

16:30 〜 16:45

△ [19p-E11-13] 高効率の蛍光を示す希土類添加酸フッ化物ガラスの開発

^○篠崎健二，本間剛，小松高行 (長岡技科大)

16:45 〜 17:00

[19p-E11-14] 液中レーザーアブレーションによる赤色発光K₂SiF₆:Mn⁴⁺蛍光体の微粒子化

^○袁澤，中村俊博，安達定雄 (群馬大院理工)

17:00 〜 17:15

[19p-E11-15] BaSiF₆:Eu³⁺赤色粉末の作製と評価

^○関口大祐，安達定雄 (群馬大院理工)

17:15 〜 17:30

[19p-E11-16] KCl:Ce³⁺,Tb³⁺緑色蛍光体の作製及び発光特性

^○登坂優希，安達定雄 (群馬大院理工)

17:30 〜 17:45

[19p-E11-17] NaCl:Ce³⁺, Tb³⁺ , Mn²⁺白色蛍光体の作製および発光特性

^○長岡佳宏，安達定雄 (群馬大理工)

17:45 〜 18:00

[19p-E11-18] K₂SiF₆:Mn²⁺蛍光体の紫外光照射による劣化

^○尾山拓彌，安達定雄 (群馬大院理工)

18:00 〜 18:15

[19p-E11-19] ZnSiF₆･6H₂O:Mn⁴⁺赤色蛍光体の紫外光照射による劣化現象

^○星野良介，安達定雄 (群馬大院理工)

一般セッション(口頭講演)

[20a-E11-1~9] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年3月20日(木) 09:30 〜 11:45 E11 (E205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 09:45

[20a-E11-1] 緑色蛍光体(Ba_3-x,Ca_x)Si₆O₁₂N₂:Eu²⁺(x= 0-0.75)の合成と光学特性評価

^○（M2）岩崎淳平¹，片桐隆雄²，柳瀬侑起³，渡辺友亮³，笹川崇男²，小田原修¹，和田裕之¹ (東工大院総理工¹，東工大応セラ研²，明治大理工³)

09:45 〜 10:00

[20a-E11-2] 黄色発光蛍光体Ce³⁺付活Srサイアロンの発光特性

^○福田由美，三石巌，アルベサール恵子，岡田葵，服部靖，石田邦夫，加藤雅礼 (東芝)

10:00 〜 10:15

[20a-E11-3] 金属水素化物粉末から作製したCaAlSiN₃:Eu²⁺の蛍光特性

金孝盛¹，^○半沢弘昌²，伊東正浩²，町田憲一²，八田眞一郎²，中尾武寿² (阪大院基礎工¹，阪大院工²)

10:15 〜 10:30

▲ [20a-E11-4] 単粒子からの蛍光体開発（I）手法の基本理念

^○解栄軍，広崎尚登，武田隆史，舟橋司朗，末廣隆之，道上勇一 (物材機構)

10:30 〜 10:45

[20a-E11-5] 単粒子からの蛍光体開発（II）結晶構造解析

^○（PC）舟橋司朗，道上勇一，武田隆史，解栄軍，広崎尚登 (物材機構)

10:45 〜 11:00

[20a-E11-6] 単粒子からの蛍光体開発（III）発光特性評価

^○武田隆史，広崎尚登，舟橋司郎，解栄軍，道上勇一，末廣隆之 (物材機構)

11:00 〜 11:15

[20a-E11-7] 単粒子からの蛍光体開発（Ⅳ）粉末合成への展開

^○吉松良^1,2，舟橋司朗³，山田鈴祢²，広崎尚登³，大観光徳¹ (鳥取大院工¹，電気化学工業²，物材機構³)

11:15 〜 11:30

[20a-E11-8] Eu²⁺賦活βサイアロン蛍光体と橙色発光Ce³⁺賦活CALSON蛍光体を用いた白色LEDデバイス

^○吉村健一¹，福永浩史¹，友村好隆¹，高橋向星²，解栄軍²，広崎尚登² (シャープ¹，物材機構²)

11:30 〜 11:45

▲ [20a-E11-9] Influence of Si-doping on the luminescence and defect evolution of AlN

^○YujinCho^1,2，BenjaminDierre¹，武田隆史¹，孫東鉉²，高橋向星^1,2，神垣良昭³，丸本一弘^2,4，深田直樹¹，広崎直登¹，関口隆史^1,2 (物材機構¹，筑波大²，香川大³，科学機構⁴)

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[18p-E11-1~14] 14.4 光物性・発光デバイス

△ [18p-E11-1] VGF法によるノンドープGaAsバルクのスピン緩和

△ [18p-E11-6] スパッタリング併用MOCVD法によるTm添加ZnO薄膜の作製とTm発光特性の評価

△ [18p-E11-9] Eu添加GaNにおけるEu発光中心間の相互エネルギー輸送

△ [18p-E11-10] 二波長励起PL測定によるEu添加GaNのエネルギー輸送プロセス評価

△ [18p-E11-11] 微小光共振器によるEu,O共添加GaNのEu発光強度増大

△ [18p-E11-12] Eu添加GaNにおけるEu発光特性へのO共添加効果

[18a-PG6-1~23] 14.4 光物性・発光デバイス

[19a-E11-1~10] 14.4 光物性・発光デバイス

▼ [19a-E11-4] 一軸歪み印加によるGe量子ドット発光の巨大増強

△ [19a-E11-5] Ge伝導帯バレーの選択的光学励起法

△ [19a-E11-6] n型ドープ引っ張り歪みGOIの作製と発光特性の評価

[19p-E11-1~19] 14.4 光物性・発光デバイス

△ [19p-E11-10] RFマグネトロンスパッタ法によるZnO蛍光薄膜の高温成膜と電子線励起アシスト顕微鏡による試料観察

△ [19p-E11-13] 高効率の蛍光を示す希土類添加酸フッ化物ガラスの開発

[20a-E11-1~9] 14.4 光物性・発光デバイス

▲ [20a-E11-4] 単粒子からの蛍光体開発（I）手法の基本理念

▲ [20a-E11-9] Influence of Si-doping on the luminescence and defect evolution of AlN