シンポジウム(口頭講演)

[16p-502-1~10] 先進パワーデバイスのプロセス技術

2017年3月16日(木) 13:45 〜 18:30 502 (502)

波多野睦子(東工大)、石田昌宏(パナソニック)、西脇克彦(トヨタ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:15

[16p-502-1] Siパワーデバイスプロセス技術

〇岩室憲幸¹ (1.筑波大数理物質)

14:15 〜 14:45

[16p-502-2] SiCパワーデバイスプロセスの動向

〇浅原浩和¹ (1.ローム)

14:45 〜 15:15

[16p-502-3] 4H-SiC MOS界面特性の制御のための熱酸化プロセスの設計

〇喜多浩之¹ (1.東大院工)

15:15 〜 15:30

△ [16p-502-4] 分圧制御酸化によるSiC-DMOSFETゲート絶縁膜の形成

〇小林慶亮¹、清水悠佳¹、島明生¹ (1.日立研開)

15:30 〜 15:45

[16p-502-5] 積層W/C電極を用いた高耐熱SiCショットキーバリアダイオード

〇(M2)鈴木智之¹、若林整¹、筒井一生¹、岩井洋¹、角嶋邦之¹ (1.東工大)

16:00 〜 16:30

[16p-502-6] 縦型GaNデバイスプロセス技術

〇加地徹¹ (1.名大未来材料システム研)

16:30 〜 17:00

[16p-502-7] GaNへのイオン注入とデバイスへの応用

〇中村徹^1,2、三島友義¹、池田清治¹、吉野理貴¹ (1.法政大、2.名古屋大)

17:00 〜 17:30

[16p-502-8] パワーデバイスに向けたGa₂O₃ウエハプロセス技術

〇倉又朗人^1,2、輿公祥^1,2、佐々木公平^1,2、後藤健^1,2、渡辺信也^1,2、山岡優^1,2、脇本大樹^1,2、ティユクァントゥ¹、増井建和^1,2、山腰茂伸^1,2、村上尚³、熊谷義直³、東脇正高⁴ (1.ノベルクリスタルテクノロジー、2.タムラ製作所、3.東京農工大、4.情通機構)

17:30 〜 18:00

[16p-502-9] ダイヤモンドの結晶成長技術

〇小泉聡¹ (1.物材機構)

18:00 〜 18:30

[16p-502-10] 高温・高速動作ダイヤモンドパワーデバイスのプロセス技術

〇梅沢仁¹ (1.産総研)

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