09:00 〜 09:15
〇(M1)渥美 賢1、乙部 翔太1、古賀 達也1、市川 崇志1、山根 大輔1、飯田 慎一2、伊藤 浩之1、石原 昇1、曽根 正人1、町田 克之1、益 一哉1 (1.東工大、2.NTTアドバンステクノロジ株式会社)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2019年3月11日(月) 09:00 〜 11:45 W934 (W934)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇(M1)渥美 賢1、乙部 翔太1、古賀 達也1、市川 崇志1、山根 大輔1、飯田 慎一2、伊藤 浩之1、石原 昇1、曽根 正人1、町田 克之1、益 一哉1 (1.東工大、2.NTTアドバンステクノロジ株式会社)
09:15 〜 09:30
〇市川 崇志1、新島 宏文1、古賀 達也1、山根 大輔1、飯田 慎一2、伊藤 浩之1、石原 昇1、曽根 正人1、町田 克之1、益 一哉1 (1.東工大、2.NTT-AT)
09:30 〜 09:45
〇渡邊 瞳1、鈴木 拓真1、Chen Chun-Yi1、Chang Tso-Fu Mark1、山根 大輔1、小西 敏文2、町田 克之1、伊藤 浩之1、益 一哉1、曽根 正人1 (1.東工大、2.NTT AT)
09:45 〜 10:00
〇浜中 恵一1、垣内 弘章1、安武 潔1、大参 宏昌1 (1.阪大院工)
10:00 〜 10:15
〇(M1)平野 友貴1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)
10:15 〜 10:30
矢作 秀賀1、熊谷 慎也2、桝野 雄矢3、石居 真3、〇佐々木 実1 (1.豊田工大、2.名城大、3.矢崎総業)
10:30 〜 10:45
〇西村 知紀1、羅 璇1、矢嶋 赳彬1、鳥海 明1 (1.東大院工)
10:45 〜 11:00
和田 涼太1、〇鈴木 良守1、永山 勉1、黒井 隆1、池尻 忠司1、谷村 英昭2、青山 敬幸2、加藤 慎一2 (1.日新イオン機器、2.SCREENセミコンダクターソリューションズ)
11:00 〜 11:15
〇(M2)西本 俊輝1、中山 隆史1 (1.千葉大理)
11:15 〜 11:30
〇小林 弘人1、横川 凌1,2、木下 晃輔1、沼沢 陽一郎1、小椋 厚志1、西澤 伸一3、更屋 拓哉4、伊藤 一夫4、高倉 俊彦4、鈴木 慎一4、福井 宗利4、竹内 潔4、平本 俊郎4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員、3.九州大工、4.東京大工)
11:30 〜 11:45
〇RengieMark Domincel Mailig1、Min Gee Kim1、Shun-ichiro Ohmi1 (1.Tokyo Institute of Technology)
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