一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
09:00 〜 09:15
〇(M1)青合 充樹1、鈴木 孝介1、アスバル ジョエル1、徳田 博邦1、岡田 成仁2、只友 一行2、葛原 正明1 (1.福井大学、2.山口大学)
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09:15 〜 09:30
〇末光 哲也1、Prasertsuk Kiattiwut2、谷川 智之2、木村 健司2、窪谷 茂幸2、松岡 隆志2 (1.東北大集積セ、2.東北大金研)
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09:30 〜 09:45
〇(M1)古岡 啓太1、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大)
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09:45 〜 10:00
〇山下 良美1、吉田 智洋2、眞壁 勇夫2、渡邊 一世1、井上 和孝2、笠松 章史1 (1.情報通信研究機構、2.住電伝送デバイス研)
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10:00 〜 10:15
〇安藤 悠人1、中村 徹2、出来 真斗2、田中 敦之2,3、宇佐美 茂佳1、Ousmane 1 Barry1、久志本 真希1、新田 州吾2、本田 善央2、天野 浩2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大Imass、3.NIMS、4.名大ARC、5.名大VBL)
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10:15 〜 10:30
〇(M1)西谷 高至1、山口 良太1、アスバル ジョエル1、徳田 博邦1、葛原 正明1 (1.福井大学)
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10:45 〜 11:00
〇安藤 祐次1、金木 奨太1、橋詰 保1 (1.北大量集センター)
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11:00 〜 11:15
〇細見 大樹1、古岡 啓太1、陳 珩1、久保 俊晴1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
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11:15 〜 11:30
〇山本 高勇1、金谷 彗杜1、葛原 正明1 (1.福井大院工)
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11:30 〜 11:45
〇(M2)金谷 彗杜1、山本 高勇1、葛原 正明1 (1.福井大院工)
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11:45 〜 12:00
〇(M1)村田 翔一1、笹田 将貴1、ジョエル アスバル1、徳田 博邦1、葛原 正明1 (1.福井大院工)
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12:00 〜 12:15
〇鶴田 脩真1、星井 拓也1、中島 昭2、西澤 伸一3、大橋 弘通1、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東工大、2.産総研、3.九州大)
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