^○Yayoi Takamura¹, Nihan Kemik¹, Fan Yang¹, Elke Arenholz², Andreas Scholl², Anthony T. Young², Apurva Mehta³, Michael D. Biegalski⁴, Hans M. Christen^4< (UC Davis¹, LBNL², SLAC Nat. Acc. Lab.³, ORNL⁴)

09:30 〜 09:45

[18a-C7-2] Epitaxial Growth of Aluminum Nitride Thin Film on Sapphire Substrate by ECR Plasma Method

^○Satoru Kaneko¹, Hironori Torii², Takao Amazawa², Masahito Kurouchi¹, Takeshi Ito¹, Manabu Yasui¹, Akinori Fukushima³, Takashi Tokumasu³, Akifumi Matsuda (Kanagawa Ind. Tech. Center¹, MES-AFTY², Tohoku Univ.³, Tokyo Inst. Tech.⁴, Busan University⁵)

09:45 〜 10:00

▲ [18a-C7-3] Epitaxial Growth of Li_3xLa_2/3-xTiO₃ Thin Film on Perovskite Substrates by Pulsed Laser Deposition

^○(D)Jie Wei¹, Tomoteru Fukumura^1,2, Yasushi Hirose^1,2,3, Tetsuya Hasegawa^1,2,3 (The Univ. of Tokyo¹, JST-CREST², KAST³)

10:00 〜 10:15

▲ [18a-C7-4] Successive Phase Transitions and Multiferroic character in Electronic Ferroelectric, RFe₂O₄ (R = Lu, Yb).

^○Tomoko Nagata¹，Yukimasa Fukada¹，Benoit Roman²，Ralf Feyerherm³，Esther Dudzik³，Pierre-Eymeric Janolin²，Jean-Michel Kiat²，Nao Hasegawa⁴，Masaki Takesada⁴，Akira Onodera⁴，Mamoru Fukunaga¹，Jun Kano¹，Takashi Kambe¹，Naoshi Ikeda¹ (Okayama Univ.¹, ECP², HZB³, Hokkaido Univ.⁴)

10:15 〜 10:30

▲ [18a-C7-5] Deposition of Highly Coordinated MgO Films by CVD Operated Under Atmosphere

^○(M2)David Alonso Pineda Marulanda¹, Keiji Komatsu¹, Shigeo Ohshio¹, Ikumi Toda¹, Hiroyuki Muramatsu¹, Hidetoshi Saitoh¹ (Nagaoka Univ. of Tech.¹)

10:30 〜 11:00

▲ [18a-C7-6] The Joys and Pain of Making Scientific Movies: How to Engage the Public

^○Ivan K Schuller¹ (Univ.of California-San Diego¹)

Break （11:00 〜 11:15）

11:15 〜 11:45

▲ [18a-C7-7] Electrical and optical behaviours of high quality TCO coatings on flexible films

^○Gun-Hwan Lee¹, Jung-Huem Yun¹, Sung-Hoon Lee¹, Yeon-Hyun Park¹ (KIMS¹)

11:45 〜 12:00

▼ [18a-C7-8] Zero Area Overhead State Retention Flip Flop Utilizing Crystalline In-Ga-Zn Oxide Technology

^○Niclas Sjokvist^1,2，Takuro Ohmaru¹，Kazuma Furutani¹，Atsuo Isobe¹，Naoaki Tsutsui¹，Hikaru Tamura¹，Wataru Uesugi¹，Takahiko Ishizu¹，Tatsuya Onuki¹，Kazuaki Ohshima¹，Takanori Matsuzaki¹，Hidetoshi Mimura¹，Atsushi Hirose¹，Yasutaka Suzuki¹，Yoshinori Ieda¹，Tomoaki Atsumi¹，Yutaka Shionoiri¹，Kiyoshi Kato¹，Gensuke Goto¹，Jun Koyama¹，Masahiro Fujita³，Shunpei Yamazaki¹ (SEL¹, Linkoping University²)

12:00 〜 12:15

▲ [18a-C7-9] Fabrication of La_1-xSr_xMnO₃ Thin Films by Chemical Solution Deposition for High Temperature Resistive Materials

^○Kentaro Shinoda¹, Tomohiko Nakajima¹, Tetsuo Tsuchiya¹ (AIST¹)

12:15 〜 12:30

▲ [18a-C7-10] Electrodeposition and characterization of γ-FeOOH Thin Films from Oxygen-Bubbled Aqueous Iron Sulfate Solutions

^○(DC)JunieJhon Vequizo¹, Masaya Ichimura¹ (Nagoya Inst. of Tech.¹)

一般セッション(口頭講演)

[19a-C7-1~15] 6.4 薄膜新材料

2013年9月19日(木) 09:00 〜 13:00 C7 (TC3 1F-117)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[19a-C7-1] 「応用物理学会論文奨励賞受賞記念講演」（15分）Solution-Based Fabrication of Perovskite Multilayers and Superlattices Using Nanosheet Process

^○李宝文 (物材機構)

09:15 〜 09:30

[19a-C7-2] 溶液プロセスによるBi-Nb-O薄膜の作製とその物性評価

^○松本真¹，尾上允敏²，宮迫毅明²，徳光永輔^1,2，井上聡^1,2，下田達也^1,2 (北陸先端科学技術大学院大¹，JST-ERATO²)

09:30 〜 09:45

[19a-C7-3] ゾル-ゲル法により作製した貴金属ナノ粒子含有ZnO薄膜の光学特性

^○野口卓嗣，横山英佐，佐藤翔一，渋谷猛久，若木守明 (東海大工)

09:45 〜 10:00

[19a-C7-4] Fe-S-O薄膜の電気化学堆積

^○（DC）楊凱¹，川井正一²，市村正也¹ (名工大¹，デンソー²)

10:00 〜 10:15

[19a-C7-5] グラフェン膜を含むnm厚電極膜への可逆的非破壊電気コンタクト

^○吉武道子，柳生進二郎，知京豊裕 (物材機構)

10:15 〜 10:30

[19a-C7-6] 種々の表界面層を用いたAg薄膜の熱的安定性

^○（PC）張子洋，川村みどり，阿部良夫，金敬鎬 (北見工業大)

10:30 〜 10:45

[19a-C7-7] XPSを用いたHfO₂/SiおよびY₂O₃/Siアニール界面の構造解析

^○豊嶋祐樹¹，谷脇将太¹，堀田育志^1,3，吉田晴彦^1,3，新船幸二^1,3，小椋厚志^2,3，佐藤真一^1,3 (兵県大工¹，明大工²，JST-CREST³)

10:45 〜 11:00

[19a-C7-8] Si基板上に堆積したSTO薄膜へのポストアニールの効果

^○今中淳弘，佐々木翼，堀田育志，佐藤真一 (兵庫県立大)

休憩　（11:00 〜 11:15）

11:15 〜 11:30

[19a-C7-9] MoSi₂-Si複合体薄膜の抵抗率の温度依存性と導電機構

^○木谷僚介，佐藤祐喜，吉門進三 (同志社大院理工)

11:30 〜 11:45

[19a-C7-10] 細線状のBi₂Se₃における伝導度揺らぎの研究

^○松尾貞茂¹，知田健作¹，千葉大地¹，小野輝男¹，Keith Slevin²，小林研介²，大槻東巳³，Cui-Zu Chang⁴，Ke He⁴，Xu-Cun Ma⁴，Qi-Kun Xue⁴ (京大化研¹，阪大理²，上智大理³，Chinese Academy of Science⁴)

11:45 〜 12:00

[19a-C7-11] RFマグネトロンスパッタ法によるSmFe7エピタキシャル薄膜の作製

^○楠森毅，高木健太，中山博行，溝尻瑞枝，尾崎公洋 (産総研中部センター)

12:00 〜 12:15

[19a-C7-12] MgO(100)基板上におけるLiH薄膜合成

^○大口裕之¹，桑野博喜¹，折茂慎一^2,3，白木将³，一杉太郎³ (東北大院工¹，東北大金研²，東北大AIMR³)

12:15 〜 12:30

[19a-C7-13] MgOエピタキシャル膜の形態と極点測定の解析

^○（M2）Davidalonso Pinedamarulanda，小松啓志，大塩茂夫，戸田育民，村松寛之，齋藤秀俊 (長岡技科大)

12:30 〜 12:45

[19a-C7-14] VO₂-TiO₂系における単結晶薄膜のスピノーダル分解

^○（M1）大塚翼，村岡祐治，横谷尚睦 (岡山大院自然研究)

12:45 〜 13:00

[19a-C7-15] Nbをドープした大気開放型CVD 法で合成されたTiO₂の導電性と形態

^○（M1）小林望，小松啓志，大塩茂夫，戸田育民，村松寛之，齋藤秀俊 (長岡技科大(工))

一般セッション(口頭講演)

[19p-C7-1~13] 6.4 薄膜新材料

2013年9月19日(木) 14:00 〜 17:30 C7 (TC3 1F-117)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食　（13:00 〜 14:00）

14:00 〜 14:15

[19p-C7-1] 有機EL素子上部電極膜作製のためのスパッタ成膜法の検討

^○星陽一¹，小林信一¹，内田孝幸¹，清水英彦² (東京工芸大¹，新潟大²)

14:15 〜 14:30

[19p-C7-2] スズを含むリン酸ガラス系透明導電膜の作製と特性評価

^○熊崎悠介 (中部大)

14:30 〜 14:45

[19p-C7-3] 沿面放電による雰囲気制御下での酸化スズ薄膜の作製

^○丹祐人，金指翔大，花井利通，伊豫田正彦，奥谷昌之 (静岡大工)

14:45 〜 15:00

[19p-C7-4] コプラナー型沿面放電を利用した常温大気圧下におけるSnO₂薄膜の形成

金指翔大，花井利通，丹祐人，^○奥谷昌之 (静岡大工)

15:00 〜 15:15

[19p-C7-5] 新方式のガスクロミック調光ミラーシート

^○吉村和記，田嶌一樹，山田保誠 (産業技術総合研究所)

15:15 〜 15:30

[19p-C7-6] ZrO₂を添加したNiOOH薄膜の作製とそのエレクトロクロミック特性の評価

^○聶宏鵬，東藤亮祐，阿部良夫，川村みどり，金敬鎬 (北見工大)

15:30 〜 15:45

[19p-C7-7] アクリル基板への高付着力光学薄膜の形成技術の研究

^○高橋智朗¹，室谷裕志¹，松本繁治² (東海大院工¹，シンクロン²)

15:45 〜 16:00

[19p-C7-8] スパッタリング成膜によるランタンとチタンの複合酸化物光学薄膜の作製

^○奥田良，高橋智朗，室谷裕志 (東海大院工)

休憩　（16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[19p-C7-9] 空気をキャリアガスにしたフレームデポジション法によるエルビア膜の作製

^○白井友之¹，中村淳^1,2，大塩茂夫¹，小松啓志¹，戸田育民¹，村松寛之¹，齋藤秀俊¹ (長岡技術科学大¹，中部キレスト²)

16:30 〜 16:45

[19p-C7-10] 酸素をキャリアガスにしたフレームデポジション法によるエルビア膜の作製

^○白井友之¹，中村淳^1,2，大塩茂夫¹，小松啓志¹，戸田育民¹，村松寛之¹，齋藤秀俊¹ (長岡技術科学大¹，中部キレスト²)

16:45 〜 17:00

[19p-C7-11] 粉砕処理をしたY-EDTA金属錯体原料からのY₂O₃膜の合成

^○（PC）小松啓志¹，関矢徹雄¹，外山歩¹，中村淳^1,2，大塩茂夫¹，戸田育民¹，村松寛之¹，齋藤秀俊¹ (長岡技科大¹，中部キレスト²)

17:00 〜 17:15

[19p-C7-12] 基板冷却機構を備えたフレームデポジション法によるエルビア膜の作製

^○外山歩¹，中村淳^1,2，大塩茂夫¹，小松啓志¹，戸田育民¹，村松寛之¹，齋藤秀俊¹ (長岡技術科学大¹，中部キレスト²)

17:15 〜 17:30

[19p-C7-13] 基板冷却機構を備えたフレームデポジション法によるイットリア膜の作製

^○外山歩¹，中村淳^1,2，大塩茂夫¹，小松啓志¹，戸田育民¹，村松寛之¹，齋藤秀俊¹ (長岡技術科学大¹，中部キレスト²)

一般セッション(口頭講演)

[20p-C7-1~5] 6.4 薄膜新材料

2013年9月20日(金) 13:45 〜 15:00 C7 (TC3 1F-117)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:45 〜 14:00

△ [20p-C7-1] CBD法を用いたNiO薄膜のエレクトロクロミック特性と堆積時間依存性

^○中島啓之，稲田貢，齊藤正 (関西大システム理工)

14:00 〜 14:15

△ [20p-C7-2] MCo₂O₄(M = Co²⁺, Zn²⁺)のエピタキシャル薄膜の輸送特性

^○出原聡一，加藤瑞季，渡会光貴，二宮善彦，佐藤厚，山田直臣 (中部大工)

14:15 〜 14:30

△ [20p-C7-3] 反応性パルスレーザー堆積法によるCoO_xN_y薄膜のエピタキシャル成長

^○高橋純平^1,2，廣瀬靖^1,2,3，中尾祥一郎^2,3，楊長^1,2,3，岡崎壮平^2,3，福村知昭^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3 (東大¹，KAST²，JST-CREST³)

14:30 〜 14:45

△ [20p-C7-4] AlFeO₃複合酸化物薄膜の作製と強誘電性

^○浜嵜容丞，清水荘雄，谷口博基，谷山智康，伊藤満 (東工大)

14:45 〜 15:00

△ [20p-C7-5] HOPG電極上のイオン液体/カーボン複合膜の作製とその電気化学特性

^○宍倉輝¹，松本祐司^1,2 (東工大応セラ研¹，東北大院工²)

セッション一覧

06．薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[17a-P16-1~7] 6.4 薄膜新材料

▲ [17a-P16-2] Enhancement of perpendicular magnetic anisotropy of L10-ordered FePd films using CoFe interlayer

[18a-C7-1~10] 6.4 薄膜新材料

▲ [18a-C7-1] Exchange Interactions in La0.7Sr0.3MnO3 / La0.7Sr0.3FeO3 Superlattices

▲ [18a-C7-3] Epitaxial Growth of Li3xLa2/3-xTiO3 Thin Film on Perovskite Substrates by Pulsed Laser Deposition

▲ [18a-C7-4] Successive Phase Transitions and Multiferroic character in Electronic Ferroelectric, RFe2O4 (R = Lu, Yb).

▲ [18a-C7-5] Deposition of Highly Coordinated MgO Films by CVD Operated Under Atmosphere

▲ [18a-C7-6] The Joys and Pain of Making Scientific Movies: How to Engage the Public

▲ [18a-C7-7] Electrical and optical behaviours of high quality TCO coatings on flexible films

▼ [18a-C7-8] Zero Area Overhead State Retention Flip Flop Utilizing Crystalline In-Ga-Zn Oxide Technology

▲ [18a-C7-9] Fabrication of La1-xSrxMnO3 Thin Films by Chemical Solution Deposition for High Temperature Resistive Materials

▲ [18a-C7-10] Electrodeposition and characterization of γ-FeOOH Thin Films from Oxygen-Bubbled Aqueous Iron Sulfate Solutions

[19a-C7-1~15] 6.4 薄膜新材料

[19p-C7-1~13] 6.4 薄膜新材料

[20p-C7-1~5] 6.4 薄膜新材料

△ [20p-C7-1] CBD法を用いたNiO薄膜のエレクトロクロミック特性と堆積時間依存性

△ [20p-C7-2] MCo2O4(M = Co2+, Zn2+)のエピタキシャル薄膜の輸送特性

△ [20p-C7-3] 反応性パルスレーザー堆積法によるCoOxNy薄膜のエピタキシャル成長

△ [20p-C7-4] AlFeO3複合酸化物薄膜の作製と強誘電性

△ [20p-C7-5] HOPG電極上のイオン液体/カーボン複合膜の作製とその電気化学特性

▲ [18a-C7-1] Exchange Interactions in La_0.7Sr_0.3MnO₃ / La_0.7Sr_0.3FeO₃ Superlattices

▲ [18a-C7-3] Epitaxial Growth of Li_3xLa_2/3-xTiO₃ Thin Film on Perovskite Substrates by Pulsed Laser Deposition

▲ [18a-C7-4] Successive Phase Transitions and Multiferroic character in Electronic Ferroelectric, RFe₂O₄ (R = Lu, Yb).

▲ [18a-C7-9] Fabrication of La_1-xSr_xMnO₃ Thin Films by Chemical Solution Deposition for High Temperature Resistive Materials

△ [20p-C7-2] MCo₂O₄(M = Co²⁺, Zn²⁺)のエピタキシャル薄膜の輸送特性

△ [20p-C7-3] 反応性パルスレーザー堆積法によるCoO_xN_y薄膜のエピタキシャル成長

△ [20p-C7-4] AlFeO₃複合酸化物薄膜の作製と強誘電性