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15．結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

一般セッション(口頭講演)

[18a-A20-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:00 A20 (E312)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[18a-A20-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
Siウェハに直接接合したInGaAsP多重量子井戸薄膜の高温環境耐性

^○藤井拓郎，佐藤具就，武田浩司，長谷部浩一，硴塚孝明，松尾慎治 (NTTフォトニクス研)

09:15 〜 09:30

[18a-A20-2] Si上InGaAs microdiskにおけるSドーパントの局在化

^○渡邉冬馬¹，竹内美由紀²，中野義昭¹，杉山正和¹ (東大工¹，東大農²)

09:30 〜 09:45

[18a-A20-3] InP基板上のInGaAsN/GaAsSbタイプII量子井戸層の光吸収特性

白藤重俊¹，三浦広平²，猪口康博²，^○河村裕一¹ (大阪府立大¹，住友電気工業²)

09:45 〜 10:00

△ [18a-A20-4] 有機金属気相成長法によるInAs/GaSb TypeII超格子の成長

^○有方卓¹，京野孝史¹，藤井慧¹，三浦広平²，秋田勝史¹ (住友電工半技研¹，住友電工伝デ研²)

10:00 〜 10:15

[18a-A20-5] 無極性m面AlGaN/GaN量子井戸の中赤外サブバンド間吸収の観測

^○小谷晃央^1,2,3，有田宗貴¹，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子¹，東大生研²，シャープ³)

10:15 〜 10:30

[18a-A20-6] MBE成長におけるAs原料シャッター遮蔽性能の評価

^○影山健生¹，渡邉克之²，角田雅弘¹，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

休憩10:30～10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[18a-A20-7] 低温成長In_xGa_1-xAsの結晶構造のアニール温度依存性

^○富永依里子，冨保勇貴，角屋豊 (広大院先端研)

11:00 〜 11:15

[18a-A20-8] グレーデッドバッファ層を導入したInSb HEMT構造の作製と評価

^○竹鶴達哉，前田章臣，辻大介，藤川紗千恵，藤代博記 (東理大院基礎工)

11:15 〜 11:30

[18a-A20-9] STMによるGaAs中N不純物準位の直接可視化

^○石田暢之¹，定昌史²，間野高明¹，野田武司¹，佐久間芳樹¹，藤田大介¹ (物材機構¹，理研²)

11:30 〜 11:45

[18a-A20-10] GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜の電子状態 (II)

^○原田幸弘，馬場健，海津利行，喜多隆 (神戸大院工)

11:45 〜 12:00

[18a-A20-11] GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜における発光ダイナミクス

^○馬場健，原田幸弘，海津利行，喜多隆 (神戸大院工)

一般セッション(口頭講演)

[18p-A20-7~21] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年9月18日(木) 15:00 〜 19:00 A20 (E312)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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15:00 〜 15:15

[18p-A20-7] 埋め込み型GaAs/AlGaAsコア-シェル型ナノワイヤ形成機構のX線回折法による評価

^○吉田剛，下村哲，石川史太郎 (愛媛大工)

15:15 〜 15:30

[18p-A20-8] GaAs{111}A,B表面上でのGa液滴形成

^○大竹晃浩¹，間野高明¹，ヌルハ^1,2 (物材機構¹，九大²)

15:30 〜 15:45

[18p-A20-9] GaAs(111)B面上のGaの挙動

^○河原塚篤^1,2,3，堀越佳治^1,2,3 (早大材研¹，早大理工²，JST-CREST³)

15:45 〜 16:00

△ [18p-A20-10] 2種類の拡散原子を有する島成長での体積分布関数

^○（M2）山内諒¹，盧翔孟¹，小山正孝¹，笹倉弘理^1,2，武藤俊一¹ (北大院工¹，北大創成研²)

16:00 〜 16:15

△ [18p-A20-11] Si(100)上 GaAs ナノワイヤにおける InAs S-K 量子ドットの成長

^○（D）權晋寛¹，渡邉克之¹，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²)

16:15 〜 16:30

[18p-A20-12] 低密度InAs 量子ドットを内蔵したマイクロピラー共振器の作製とPL 発光特性

^○山下博幸，高橋佑太，山口浩一 (電通大先進理工)

16:30 〜 16:45

[18p-A20-13] InAs/InGaAs量子ドット積層構造の面内光伝導特性の異方性

^○村雲圭佑，熊谷直人，北田貴弘，井須俊郎 (徳島大)

休憩16:45～17:00 （16:45 〜 17:00）

17:00 〜 17:15

▲ [18p-A20-14] Formation of InAs quantum dots emitting at 1.55 micron using droplet epitaxy on metamorphic InAlAs/InAs/GaAs(111)A

^〇Neul Ha^1,2，Takaaki Mano¹，Xiangming Liu¹，Takashi Kuroda^1,2，Lazutaka Mitsuishi¹，Akihiro Ohtake¹，Takeshi Noda¹，Yoshiki Sakuma¹，Kazuaki Sakoda¹ (National Institute for Materials Science (NIMS)¹，Kyushu University²)

17:15 〜 17:30

[18p-A20-15] GaAs(001)上のInAs量子ドットの1.55 μm以上での発光

^○下村憲一，神谷格 (豊田工大)

17:30 〜 17:45

[18p-A20-16] AlAsキャップ付InAs量子ドットのフォトルミネツセンスに対するInGaAs層の影響

^○盧翔孟¹，川口晃弘¹，中河義典^1,2，熊谷直人¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳大¹，日亜化学²)

17:45 〜 18:00

[18p-A20-17] 窒素δドープGaAs上のInAs量子ドットの発光波長シフト機構

^○海津利行^1,2，喜多隆² (神戸大研究基盤セ¹，神戸大院工²)

18:00 〜 18:15

[18p-A20-18] InAs/InGaAsP 量子ドットの量子準位の解析

今井元，^○（M2）山口萌花，新井暢子，井出結女 (日女大)

18:15 〜 18:30

[18p-A20-19] 1.3μm帯InAs/GaAs量子ドット構造へのGaP(As)層の導入

^○渡邉克之¹，影山健生²，角田雅弘²，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²)

18:30 〜 18:45

[18p-A20-20] As₂原料を用いた高温部分キャップInAs/GaAs単一量子ドット成長

^○（P）角田雅弘¹，權晋寛²，太田泰友¹，渡邉克之²，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

18:45 〜 19:00

[18p-A20-21] InP(311)B基板上におけるInAs量子ドットのデジタル埋め込み構造

^○赤羽浩一，山本直克，川西哲也 (情通機構)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-PB5-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年9月19日(金) 16:00 〜 18:00 PB5 (第2体育館)

ポスター掲示時間16:00～18:00(PB5会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:00 〜 18:00

▲ [19p-PB5-1] Formation and control of wetting layer during the growth of InAs quantum dots on InP(111)A by droplet epitaxy

^〇Neul Ha^1,2，Xiangming Liu¹，Takaaki Mano¹，Takashi Kuroda^1,2，Akihiro Ohtake¹，Kazutaka Mitsuishi¹，Takeshi Noda¹，Yoshiki Sakuma¹，Kazuaki Sakoda¹ (National Institute for Materials Science (NIMS)¹，Kyushu University²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-2] 面内超高密度InAs量子ドット層の特異なPL特性

^○内田俊介，山口浩一 (電通大先進理工)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-3] MBEによる自己集合量子ドット密度に及ぼす表面粗さの効果

^○村松修¹，小山正孝¹，笹倉弘理^1,2，武藤俊一¹，中田義昭¹ (北大院工¹，北大創成研²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-4] 高指数面GaAs基板上のGaSbおよびAlSb量子ドットの成長

^○川津琢也¹，野田武司¹，間野高明¹，佐久間芳樹¹，榊裕之^1,2 (物材機構¹，豊田工大²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-5] GaAs傾斜基板上に多重積層させた自己形成InGaP/InGaP量子細線状構造

^○満原学¹，渡邉則之¹，横山春喜¹，重川直輝² (NTTフォトニクス研¹，大阪市大²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-6] AlGaAs/GaAs超格子pin接合における発光特性の検討

^○中野朋洋¹，浦部宏之¹，倉本真¹，河原塚篤^1,2，西永慈郎³，小野満恒二⁴，牧本俊樹¹，堀越佳治^1,2 (早大理工¹，JST-CREST²，産総研³，NTT基礎研⁴)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-7] MOVPE法によるGaN基板上のウルツ鉱構造AlGaP作製の試み

^○平谷佳大¹，石坂文哉¹，冨岡克広^1,2，福井孝志¹ (北大院情報科学および量子集積センター¹，JSTさきがけ²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-8] CaF₂基板上GaAs 薄膜のMBE 成長

^○村上達也¹，赤堀誠志¹，岩瀬比宇麻¹，日高志郎¹，山田省二¹，Rutt Harvey² (北陸先端大¹，Univ. of Southampton²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-9] 結晶性AlOx層上へのGaAsの再成長

^○（PC）西沢望，宗片比呂夫 (東工大像情報)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-10] 直接貼付InP/Si基板接合界面におけるボイドによる電気特性への影響

^○金谷佳則，松本恵一，岸川純也，下村和彦 (上智大)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-11] Si(111)基板上へのGaSbエピタキシャル成長と膜質の評価

^○下山浩哉，森雅之，前澤宏一 (富山大院)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-12] Ge(111)基板上InSb薄膜の作製

^○三枝孝彰，森雅之，前澤宏一 (富山大院)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-13] 有機ゲルマニウム材料を用いたSi基板上Ge/GaAs一括MOVPE成長の検討

^○荒井昌和，中尾亮，神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-14] Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO₂/GaSb MOSキャパシタの作製

^○大竹晃浩¹，宮田典幸²，間野高明¹，森貴洋²，安田哲二² (物材機構¹，産総研²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-15] SOI(Silicon-on-Insulator)基板上へのInSbヘテロエピタキシャル成長

^○坂本大地¹，森雅之²，前澤宏一³ (富山大院¹，富山大院²，富山大院³)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-16] 直接貼付InP/Glass基板上選択MOVPE成長により形成されたInP系導波路の断面形状評価

^○（M1）岸川純也，松本恵一，金谷佳則，下村和彦 (上智大)