一般セッション(口頭講演)

[18a-A24-1~13] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:30 A24 (E317)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[18a-A24-1] NH₃およびN₂を用いたAl薄膜の直接窒化によるAlN薄膜の形成

^○梶原舜，濱崎聖士，勝俣裕 (明大理工)

09:15 〜 09:30

▲ [18a-A24-2] Growth and Characterization of Eu-Doped GaN by Low-Temperature Organometallic Vapor Phase Epitaxy

^○朱婉新，Timmerman Dolf，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

09:30 〜 09:45

△ [18a-A24-3] Eu添加GaNにおけるZn,O共添加による新たなEu発光中心の形成

^○松田将明，朱婉新，児島貴徳，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

09:45 〜 10:00

△ [18a-A24-4] 局在表面プラズモン共鳴によるEu添加GaNのEu発光強度増大

^○（M2）稲葉智宏，児島貴徳，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

10:00 〜 10:15

△ [18a-A24-5] 二波長励起PL測定によるEu添加GaNのエネルギー輸送効率の評価

^○岡田浩平，若松龍太，Dolf Timmerman，児島貴徳，小泉敦，藤原康文 (阪大院工)

10:15 〜 10:30

[18a-A24-6] 各種基板上に成長したEu添加GaNにおけるEu発光中心間の相互エネルギー輸送に対する歪みの効果

^○小泉淳，若松龍太，ドルフティマーマン，田中一輝，児島貴徳，藤原康文 (阪大院工)

休憩10:30～10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[18a-A24-7] 酸化エルビウム薄膜における上位準位へのポピュレーション移動

^○俵毅彦^1,2，尾身博雄^1,2，Adel Najar¹，鍜治怜奈³，足立智³，後藤秀樹¹ (NTT物性基礎研¹，NTTナノフォトニクスセンタ²，北大院工³)

11:00 〜 11:15

[18a-A24-8] 酸化エルビウム混晶薄膜発光の温度依存性：エネルギー移動と非発光過程の考察

^○川上欣洋¹，鍜治怜奈¹，足立智¹，俵毅彦^2,3，尾身博雄^2,3 (北大院工¹，NTT物性基礎研²，NTTナノフォトニクスセンタ³)

11:15 〜 11:30

[18a-A24-9] Y₂SiO₅結晶中の¹⁶⁷Er³⁺イオンの超微細構造準位の位相緩和特性

^○橋本大佑¹，清水薫² (NTT物性基礎研¹，NTT物性基礎研²)

11:30 〜 11:45

▲ [18a-A24-10] Structural Characterization and Luminescence Properties of ErxSc2-xSi2O7 Prepared by RF Sputtering

^○Adel Najar¹，尾身博雄^1,2，俵毅彦^1,2 (NTT物性基礎研¹，NTTナノフォトニクスセンタ²)

11:45 〜 12:00

[18a-A24-11] (Er_1-xSc_x)₂O₃MBE成長膜中Er置換サイトのEr濃度依存性

^○尾身博雄^1,2，俵毅彦^1,2，鍛冶玲奈³，足立智³，後藤秀樹¹ (NTT物性基礎研¹，NTTナノフォトニクスセンタ²，北大工³)

12:00 〜 12:15

[18a-A24-12] ZnO膜中にドープされたEu2価イオンからの発光

^○赤沢方省¹，篠島弘幸² (NTT MI研¹，久留米高専²)

12:15 〜 12:30

[18a-A24-13] Nd-Al共添加TiO₂薄膜のPL特性と局所構造解析

^○相澤豊¹，小室修二²，平尾法恵³，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²，原子力機構³)

一般セッション(ポスター講演)

[18p-PB8-1~17] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年9月18日(木) 13:30 〜 15:30 PB8 (第2体育館)

ポスター掲示時間13:30～15:30(PB8会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-1] 歪Geマイクロブリッジの作製と評価

^○滝澤寛之，徐学俊，白木靖寛，澤野憲太郎，丸泉琢也 (東京都市大)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-2] TlGaSe₂のバンド端ルミネセンス

^○萩原将史¹，Raul Paucar¹，沈用球²，脇田和樹¹，Oktay Alekperov³，Arzu Najafov³，Nazim Mamedov³ (千葉工大¹，大府大院工²，アゼルバイジャン物理研³)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-3] 2光子吸収を有する試料におけるガウシアンビームの伝搬シミュレーション

^○李修平，坂東弘之，大石真樹，松末俊夫 (千葉大院融合)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-4] MOD法を用いて作製したアップコンバージョン蛍光体のアニール温度依存性

^○野中俊宏¹，大山渓人¹，菖蒲勇¹，久保孝徳¹，ホムナトルイテル³，渡孝則²，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，佐賀大院工²，心和美創³)

13:30 〜 15:30

△ [18p-PB8-5] YAG:Ce³⁺ナノ粒子/ポリマー複合膜の蛍光特性

^○（M1）佐々木優太，竹下覚，磯部徹彦 (慶大理工)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-6] マイクロリアクター法を用いたナノ蛍光体の開発及び太陽電池用波長変換膜への応用

^○大倉央¹，坂田陵輔²，山科憲司²，小宮山凌平²，宮下英俊²，李相錫²，大観光徳² (メルク¹，鳥取大工²)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-7] Siナノ構造を利用した(Ba,Eu)Si₂S₅蛍光体膜の作製

^○今井悠，七井靖，奥野剛史 (電通大)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-8] 二波長励起PL法によるBa3Si6O12N2:Eu2+の非発光再結合準位評価

^○李廷廷¹，福田武司¹，本多善太郎¹，鎌田憲彦¹，来島友幸² (埼玉大院¹，三菱化学科技研²)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-9] 第一原理計算を用いたCe³⁺およびEu²⁺を添加した窒化物蛍光体のスペクトル解析

^○田村光，渡邊真太，小笠原一禎 (関西学院大)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-10] MS(M=Mg, Ca, Sr, Ba)中のCe³⁺における4f-5d遷移スペクトルの第一原理計算

^○松隈高広，渡邊真太，小笠原一禎 (関学大理工)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-11] s⁰電子系金属カチオンを含むダブルペロブスカイト蛍光体の発光特性

^○佐藤泰史¹，垣花眞人² (岡山理大理¹，東北大多元研²)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-12] 紫外発光ZnAl₂O₄の電子線励起発光およびその発光機構

^○石永健揚¹，小南裕子¹，中西洋一郎²，原和彦² (静大院工¹，静大電子研²)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-13] 大気中焼成による複合ホウ酸塩蛍光体中のCe発光イオンの価数調査

^○石垣雅¹，菊地拓巳²，上松和義²，戸田健司²，佐藤峰夫²，大観光徳^1,3 (TEDREC¹，新潟大²，鳥取大³)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-14] X線励起可視発光を用いたEu付活蛍光体中の発光中心の解析

^○本間徹生¹，國本崇²，藤田佳子² (高輝度光科学研究セ¹，徳文大理工²)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-15] 高圧相SrO:Ce紫外蛍光体のアニール試験

^○（P）小松啓志¹，中村淳^1,2，大塩茂夫¹，戸田育民¹，村松寛之¹，齋藤秀俊¹ (長岡技科大¹，中部キレスト²)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-16] GaN化合物及び金属Gaとラジカル窒素を原料に用いたMBE法によるユーロピウム添加GaN薄膜のGaAs(100)基板上への作製

^○小山裕生，弓達新治，宮田晃，白方祥 (愛大工)

13:30 〜 15:30

[18p-PB8-17] GaN化合物とラジカル窒素を原料に用いたMBE法によるユーロピウム添加GaN及びAlGaN薄膜の作製

^○弓達新治，小山裕生，宮田晃，白方祥 (愛大工)

一般セッション(口頭講演)

[19a-A26-1~12] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年9月19日(金) 09:00 〜 12:15 A26 (E319)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[19a-A26-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
n型ドープ引っ張り歪みGOIの作製と発光特性の評価

^○西田圭佑，徐学俊，高林昂紀，吉田圭佑，澤野憲太郎，白木靖寛，丸泉琢也 (都市大工)

09:15 〜 09:30

[19a-A26-2] Si-nc:Pにおける赤外励起オージェ電子放出と熱励起放出の相補性

^○石井真史¹，Iain Crowe²，Matthew Halsall²，Andrew Knights³，Russell Gwilliam⁴，Bruce Hamilton² (物材機構¹，Univ. Manchester²，McMaster Univ.³，Univ. Surrey⁴)

09:30 〜 09:45

[19a-A26-3] 新規化学成長法による(NH₄)₂SiF₆微粒子の作製

^○北澤駿¹，佐藤慶介¹，深田直樹²，平栗健二¹ (東京電機大院工¹，物材機構²)

09:45 〜 10:00

△ [19a-A26-4] 攪拌機を用いたシリコンナノ粒子の作製

^○北澤駿¹，佐藤慶介¹，深田直樹²，平栗健二¹ (東京電機大院工¹，物材機構²)

10:00 〜 10:15

△ [19a-A26-5] 半導体のバレー選択が可能な新しい共鳴光励起法の開発

^○坂本哲也¹，安武裕輔^1,2，深津晋¹ (東大総合¹，JSTさきがけ²)

10:15 〜 10:30

△ [19a-A26-6] InGaAsPバルクのサブピコ秒スピン緩和時間の観測

^○原澤遼¹，山本直輝¹，呉昊¹，有竹貴紀¹，Shulong Lu²，Lian Ji²，竹内淳¹ (早大先進理工¹，SINANO-CAS²)

10:30 〜 10:45

△ [19a-A26-7] VGF法成長によるZn-GaAsバルクのスピン緩和

^○安江雄也，本多一輝，浅川将輝，竹内淳 (早大先進理工)

休憩10:45～11:00 （10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[19a-A26-8] InGaAs量子ドットと量子井戸の結合スピン状態に対する電界印加効果

^○高山純一，木場隆之，山村隆文，野村譲，Subagyo Agus，末岡和久，村山明宏 (北大院情報科学)

11:15 〜 11:30

[19a-A26-9] 金属強磁性体電極を持つInGaAs量子構造発光ダイオードのEL特性

^○野村譲，高山純一，木場隆之，Subagyo Agus，山村隆文，楊暁傑，末岡和久，村山明宏 (北大院情報科学)

11:30 〜 11:45

[19a-A26-10] 1光束楕円偏光を用いたZ-scan法による3次非線形感受率テンソルの虚部の測定

^○（M2）原皓，坂東弘之，篠崎智文，大石真樹，松末俊夫 (千葉大院融合)

11:45 〜 12:00

[19a-A26-11] InP(1\bar{1}0)面における円偏光・直線偏光の2光束による2光子吸収の偏光状態依存性

^○（D）大石真樹，坂東弘之，三科敬英，松末俊夫 (千葉大院融合)

12:00 〜 12:15

[19a-A26-12] ファノ干渉の影響を考慮したGaInPのラマン散乱スペクトルの詳細な解析

^○（M2）坂本裕則，石原一行，馬蓓，森田健，石谷善博 (千葉大工)

一般セッション(口頭講演)

[19p-A26-1~19] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年9月19日(金) 13:45 〜 18:45 A26 (E319)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食12:15～13:45 （12:15 〜 13:45）

13:45 〜 14:00

[19p-A26-1] 蛍光体1粒子の発光特性

^○武田隆史，広崎尚登，舟橋司朗，解栄軍 (物材機構)

14:00 〜 14:15

[19p-A26-2] 単粒子診断法による新規酸窒化物蛍光体探索

^○（PC）舟橋司朗，広崎尚登，武田隆史，解栄軍 (物材機構)

14:15 〜 14:30

[19p-A26-3] 近紫外励起青色蛍光体(Sr, Ba)Al₂Si₃O₄N₄:Eu²⁺における発光効率のSr/Ba 比依存性

^○吉松良^1,2，舟橋司朗⁴，石垣雅³，山田鈴弥²，広崎尚登⁴，大観光徳¹ (鳥取大院工¹，電気化学工業²，TEDREC³，物材機構⁴)

14:30 〜 14:45

[19p-A26-4] LaAl(Si_6-zAl_z)(N_10-zO_z)(z~1):Ce³⁺ 青色蛍光体のカソードルミネッセンス解析

^○高橋向星，Benjamin Dierre，Cho Yujin，関口隆史，武田隆史，解栄軍，広崎尚登 (物材機構)

14:45 〜 15:00

▼ [19p-A26-5] Conditions and mechanism for crystal growth of Si-doped AlN powders

^〇Yujin Cho^1,2，Benjamin Dierre¹，Takashi Takeda¹，Kohsei Takahashi¹，Naoki Fukata^1,2，Naoto Hirosaki¹，Takashi Sekiguchi^1,2 (NIMS¹，Tsukuba Univ.²)

15:00 〜 15:15

▲ [19p-A26-6] Cathodoluminescence of AlN:Mn²⁺

王晓君，^○解栄軍，Benjamin Dierre，武田隆史，末廣隆之，広崎尚登，関口隆史 (物材機構)

15:15 〜 15:30

[19p-A26-7] HF処理した酸窒化物系蛍光体の表面状態が発光特性に及ぼす影響

^○篠田奈緒¹，小泉正子¹，五十川昌邦¹，牧野伸顕¹，福田由美²，碓井大地³ (東芝生産技術センター¹，東芝研究開発センター²，東芝マテリアル³)

15:30 〜 15:45

[19p-A26-8] p-ZnO:Cu,N/n-SiCヘテロ接合デバイスの作製と光物性評価

^○（M1）平野祐，岩田純一，佐瀬宏樹，勝俣裕 (明大理工)

15:45 〜 16:00

△ [19p-A26-9] 蒸気圧制御温度差液相成長法によるGaSe結晶成長と評価

^○鈴木康平，長井悠輝，山本邦彦，前田健作，齊藤恭介，小山裕 (東北大)

休憩16:00～16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[19p-A26-10] 赤色蛍光体Eu²⁺付活Srサイアロンの開発

^○碓井大地¹，松田直寿¹，竹村博文¹，福田由美²，小林薫平¹ (東芝マテリアル¹，東芝²)

16:30 〜 16:45

[19p-A26-11] 黄色発光蛍光体Sr₂Si₇Al₃ON₁₃:Ceの結晶構造と電子状態

^○石田邦夫¹，Graham King²，Katharine Page²，福田由美¹，加藤雅礼¹，福島伸¹ (東芝研開セ¹，米ロスアラモス研究所²)

16:45 〜 17:00

[19p-A26-12] Ⅲ_a-O-Ⅶ_b-S（Ⅲ_a=Y,La、Ⅶ_b=F, Cl）系母体中におけるEu³⁺イオンのCTS励起帯

^○景山洋至¹，岡田将大¹，石垣雅^1,2，大観光徳^1,2，吉松良³ (鳥大院工¹，TEDREC²，電化³)

17:00 〜 17:15

[19p-A26-13] 青色光励起・赤色発光を示すEu²⁺賦活Ca₂SiO₄蛍光体の発光特性

^○佐藤泰史¹，桑原寛季²，加藤英樹²，小林亮²，正木孝樹³，垣花眞人² (岡山理大理¹，東北大多元研²，成均館大³)

17:15 〜 17:30

[19p-A26-14] La₆Si₄S₁₇母体結晶の合成およびCe賦活蛍光体の発光特性

^○（PC）七井靖，室崎祐，奥野剛史 (電気通信大先進理工)

17:30 〜 17:45

[19p-A26-15] 青色励起黄色蛍光体Y_6+(x/3)-yCa_ySi_11O1-x+yN_20+x-y:Ce

瀬戸孝俊，^○伊澤孝昌 (サムスン日本研究所)

17:45 〜 18:00

[19p-A26-16] Ca₂TbZr₂(AlO₄)₃:Ce³⁺緑色蛍光体の発光特性

佐藤夏希，^○大塩祥三，山崎圭一 (パナソニック)

18:00 〜 18:15

[19p-A26-17] Ca₂TbZr₂(AlO₄)₃:Ce³⁺,Eu³⁺赤色蛍光体の発光特性

^○佐藤夏希，大塩祥三，山崎圭一 (パナソニック)

18:15 〜 18:30

[19p-A26-18] 界面活性剤を用いた(ZnCd)S:Mnナノ粒子の溶液合成

^○土井直紀¹，石垣雅²，大倉央³，大観光徳^1,2 (鳥取大院工¹，TEDREC²，メルク³)

18:30 〜 18:45

[19p-A26-19] 反応性RFスパッタ法によるZn₃N₂薄膜の形成におけるGa₂O₃添加の影響

^○岩田純一，平野祐，佐瀬宏樹，勝俣裕 (明大理工)

一般セッション(口頭講演)

[20a-A26-1~9] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年9月20日(土) 09:15 〜 11:45 A26 (E319)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:15 〜 09:30

[20a-A26-1] 焼成温度によるSnO₂:Eu³⁺蛍光体の発光スペクトルの影響

^○（M2）新井敬章，安達定雄 (群馬大院理工)

09:30 〜 09:45

[20a-A26-2] Ga₂O₃:Tb³⁺, Eu³⁺赤色蛍光体の作製と特性評価

^○（B）澤田健士，安達定雄 (群馬大院理工)

09:45 〜 10:00

[20a-A26-3] 希土類共添加SrAl₂O₄:Euの結晶成長と光学特性

^○石橋知也，古川翔子，山中明生 (千歳科学技術大)

10:00 〜 10:15

[20a-A26-4] PLD法によって作製されたGd³⁺添加YAlO₃薄膜の紫外CL

^○清水雄平¹，植田和茂¹，高島浩²，稲熊宜之³ (九工大¹，産総研²，学習院大³)

10:15 〜 10:30

[20a-A26-5] ペロブスカイト型酸化物薄膜の電子線励起によるＲＧＢ色発光

^○高島浩¹，長尾昌善¹，植田和茂² (産総研¹，九工大²)

10:30 〜 10:45

[20a-A26-6] Ca_0.6Sr_0.4TiO₃:Prを用いた薄膜型および粉末型EL素子における低電圧発光現象

^○池上敬一¹，青木光子¹，伯田幸也¹，中川祐希²，三浦登²，高島浩¹ (産総研¹，明大理工²)

休憩10:45～11:00 （10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

△ [20a-A26-7] YVO₄:Eu³⁺蛍光ナノ粒子と層状複水酸化物ナノシートの交互積層

^○大西航，竹下覚，磯部徹彦 (慶大理工)

11:15 〜 11:30

△ [20a-A26-8] 近紫外励起•赤色蛍光Y₂O₃:Bi³⁺,Eu³⁺ナノシートの作製

^○松永拓也，竹下覚，磯部徹彦 (慶大理工)

11:30 〜 11:45

△ [20a-A26-9] 新規酸塩化物Ba₃RE₂X₂O₅の蛍光特性

^○（M1）龍田誠¹，荻野拓¹，下山淳一¹，藤本裕³，柳田健之²，岸尾光二¹ (東大院工¹，九工大院工²，東北大院工³)

一般セッション(口頭講演)

[20p-A26-1~6] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年9月20日(土) 13:00 〜 14:30 A26 (E319)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食11:45～13:00 （11:45 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[20p-A26-1] Pr³⁺を添加したLaScO₃における光学特性およびPr³⁺置換サイトの解析

^○（P）渡邊真太¹，小笠原一禎¹，吉野正人²，山田智明²，長﨑正雅² (関西学院大理工¹，名大²)

13:15 〜 13:30

[20p-A26-2] Gd₃Al₂Ga₃O₁₂結晶における欠陥からの狭小線幅発光

^○佐藤亜都紗¹，北浦守²，鎌田圭³，黒澤俊介^3,4，大西彰正²，佐々木実²，原和彦⁵ (山形大院理工¹，山形大理²，東北大NICHe³，東北大金研⁴，静岡大電研⁵)

13:30 〜 13:45

[20p-A26-3] 希土類添加ガラスのマイクロ波応答：「光らなかった」過程の動的分析

^○石井真史¹，渕真悟²，竹田美和³ (物材機構¹，青学大²，名産研³)

13:45 〜 14:00

[20p-A26-4] ガラス形成酸化物混合によるPr³⁺添加ガラス蛍光体の発光スペクトル制御

^○清水勇佑¹，渡辺敬太¹，上村彦樹²，渕真悟¹，竹田美和² (青学大¹，科技財団²)

14:00 〜 14:15

[20p-A26-5] ZnGeF₆･6H₂O:Mn⁴⁺赤色蛍光体の作製と評価

^○（M1）星野良介，安達定雄 (群馬大院理工)

14:15 〜 14:30

[20p-A26-6] KClへの(Ce³⁺, Sn²⁺)イオンの共賦活効果

^○登坂優希，安達定雄 (群大院理工)

セッション一覧

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.4 光物性・発光デバイス

[18a-A24-1~13] 14.4 光物性・発光デバイス

▲ [18a-A24-2] Growth and Characterization of Eu-Doped GaN by Low-Temperature Organometallic Vapor Phase Epitaxy

△ [18a-A24-3] Eu添加GaNにおけるZn,O共添加による新たなEu発光中心の形成

△ [18a-A24-4] 局在表面プラズモン共鳴によるEu添加GaNのEu発光強度増大

△ [18a-A24-5] 二波長励起PL測定によるEu添加GaNのエネルギー輸送効率の評価

▲ [18a-A24-10] Structural Characterization and Luminescence Properties of ErxSc2-xSi2O7 Prepared by RF Sputtering

[18p-PB8-1~17] 14.4 光物性・発光デバイス

△ [18p-PB8-5] YAG:Ce3+ナノ粒子/ポリマー複合膜の蛍光特性

[19a-A26-1~12] 14.4 光物性・発光デバイス

△ [19a-A26-4] 攪拌機を用いたシリコンナノ粒子の作製

△ [19a-A26-5] 半導体のバレー選択が可能な新しい共鳴光励起法の開発

△ [19a-A26-6] InGaAsPバルクのサブピコ秒スピン緩和時間の観測

△ [19a-A26-7] VGF法成長によるZn-GaAsバルクのスピン緩和

[19p-A26-1~19] 14.4 光物性・発光デバイス

▼ [19p-A26-5] Conditions and mechanism for crystal growth of Si-doped AlN powders

▲ [19p-A26-6] Cathodoluminescence of AlN:Mn2+

△ [19p-A26-9] 蒸気圧制御温度差液相成長法によるGaSe結晶成長と評価

[20a-A26-1~9] 14.4 光物性・発光デバイス

△ [20a-A26-7] YVO4:Eu3+蛍光ナノ粒子と層状複水酸化物ナノシートの交互積層

△ [20a-A26-8] 近紫外励起•赤色蛍光Y2O3:Bi3+,Eu3+ナノシートの作製

△ [20a-A26-9] 新規酸塩化物Ba3RE2X2O5の蛍光特性

[20p-A26-1~6] 14.4 光物性・発光デバイス

△ [18p-PB8-5] YAG:Ce³⁺ナノ粒子/ポリマー複合膜の蛍光特性

▲ [19p-A26-6] Cathodoluminescence of AlN:Mn²⁺

△ [20a-A26-7] YVO₄:Eu³⁺蛍光ナノ粒子と層状複水酸化物ナノシートの交互積層

△ [20a-A26-8] 近紫外励起•赤色蛍光Y₂O₃:Bi³⁺,Eu³⁺ナノシートの作製

△ [20a-A26-9] 新規酸塩化物Ba₃RE₂X₂O₅の蛍光特性