一般セッション(口頭講演)

[17a-E11-6~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年3月17日(月) 10:30 〜 11:45 E11 (E205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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10:30 〜 10:45

[17a-E11-6] InAs量子ドット上の変調キャップ層成長中のXRDによるその場観察

^○下村憲一¹，鈴木秀俊²，佐々木拓夫³，高橋正光³，大下祥雄¹，神谷格¹ (豊田工大¹，宮崎大IRO²，原子力機構³)

10:45 〜 11:00

[17a-E11-7] InAs薄膜を用いたGaAs(111)A面上格子緩和InGaAsの成長

^○間野高明¹，ヌルハ^1,2，三石和貴¹，黒田隆^1,2，大竹晃浩¹，AndreaCastellano^1,3，StefanoSanguinetti³，野田武司¹，佐久間芳樹¹，迫田和彰¹ (物材機構¹，九大²，ミラノビコッカ大³)

11:00 〜 11:15

[17a-E11-8] GaAs(001)面上窒素δドープ層形成過程における格子定数変化

西本徳久¹，近藤正彦¹，^○石川史太郎² (阪大院工¹，愛媛大院理工²)

11:15 〜 11:30

[17a-E11-9] ウェハその場曲率測定により薄膜化したメタモルフィックバッファを用いたレーザ構造成長後の反り低減

^○中尾亮，荒井昌和，伊賀龍三，神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

11:30 〜 11:45

[17a-E11-10] GaAs(100)傾斜基板上への歪InGaP/InGaP MQWのMOMBE成長

^○満原学¹，渡邉則之¹，横山春喜¹，重川直輝² (NTTフォトニクス研¹，阪市大²)

一般セッション(口頭講演)

[17p-E11-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年3月17日(月) 13:30 〜 17:30 E11 (E205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食 11:45〜13:30 （11:45 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

△ [17p-E11-1] 成長抑制現象を用いたInAs/GaAs量子ドットの形成とその光学特性評価

^○（D）權晋寛¹，角田雅弘²，渡邉克之¹，太田泰友²，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²)

13:45 〜 14:00

[17p-E11-2] 単層InAs量子ドットの準位密度分布評価

^○星井拓也，岡田至崇 (東大先端研)

14:00 〜 14:15

[17p-E11-3] 面内超高密度InAs量子ドット層における長い蛍光寿命特性

^○内田俊介，塩川美雪，山口浩一 (電通大先進理工)

14:15 〜 14:30

[17p-E11-4] 自己形成GaAs ナノホールを用いた近接積層InAs 量子ドットの発光特性

^○山下博幸，高橋佑太，山口浩一 (電通大先進理工)

14:30 〜 14:45

[17p-E11-5] 近接積層InAs/GaAs量子ドットのサブスレッショルド偏光利得特性

^○安達貴哉，諏訪雅也，松村拓哉，大橋知幸，喜多隆 (神戸大院工)

14:45 〜 15:00

[17p-E11-6] InAs/Al_xGa_1-xAs量子ドットにおけるキャリアの熱活性特性

^○朝日重雄，寺西陽之，笠松直史，加田智之，海津利行，喜多隆 (神戸大工)

15:00 〜 15:15

[17p-E11-7] 窒素δドープGaAs(001)層上のInAs量子ドット自己形成

^○海津利行^1,2，田口航平²，喜多隆² (神戸大研究基盤セ¹，神戸大工²)

15:15 〜 15:30

▼ [17p-E11-8] Formation of InAs quantum dots on InP(111)A by droplet epitaxy and their optical emission at 1.3μm and 1.55μm

^○Neul Ha^1,2，劉祥明¹，間野高明¹，黒田隆^1,2，三石和貴¹，野田武司¹，佐久間芳樹¹，迫田和彰¹ (物材機構¹，九大²)

休憩 15:30〜15:45 （15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[17p-E11-9] 陽極酸化InP基板へのInAsドットのMBE成長

^○横堀邦幸，岩崎太平，森下義隆 (農工大工)

16:00 〜 16:15

[17p-E11-10] 多波長InAs量子ドットを用いたOCT光源用SLDの作製

^○（M1）保田拓磨¹，柴田弘¹，尾崎信彦¹，大河内俊介²，池田直樹³，大里啓孝³，渡辺英一郎³，杉本喜正³，RichardHogg⁴ (和歌山大シス工¹，NEC²，物材機構³，シェフィールド大⁴)

16:15 〜 16:30

[17p-E11-11] InAs量子ドットSLDを用いたOCT画像取得

^○（M1）柴田弘¹，保田拓磨¹，尾崎信彦¹，大河内俊介²，池田直樹³，大里啓孝³，渡辺英一郎³，杉本喜正³，RichardHogg⁴ (和歌山大シス工¹，NEC²，物材機構³，シェフィールド大⁴)

16:30 〜 16:45

▲ [17p-E11-12] MOCVD法によるGe/Si上InAs/GaAs量子ドットの発光特性におけるAlGaAs/GaAsバッファ層のアニール効果

^○（PC）Rajesh Mohan¹，三浦真^2,3，西岡政雄¹，荒川泰彦¹ (東大ナノ量子機構¹，PETRA²，PECST³)

16:45 〜 17:00

[17p-E11-13] GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜の電子状態

^○原田幸弘，馬場健，喜多隆 (神戸大院工)

17:00 〜 17:15

△ [17p-E11-14] 希薄窒化物GaAsN混晶の成長における表面窒化の有効性

^○浦上法之¹，関口寛人¹，岡田浩^2,1，若原昭浩¹ (豊橋技科大工¹，EIIRIS²)

17:15 〜 17:30

[17p-E11-15] 結晶成長方法がGaAsN薄膜中の窒素原子に起因する局在電子準位の構造に与える影響

^○（D）丁文¹，森岡剛志¹，藤田尚紀¹，鈴木章生¹，鈴木秀俊¹，福山敦彦¹，山口真史²，碇哲雄¹ (宮崎大¹，豊田工大²)

一般セッション(口頭講演)

[18a-E11-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年3月18日(火) 09:30 〜 11:45 E11 (E205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[18a-E11-1] As₂を用いたMBE成長による周期空間反転GaAsの段差形成抑制

^○楢崎亮太，松下智紀，近藤高志 (東大工)

09:45 〜 10:00

[18a-E11-2] レーザ発振を示すGaAs_1-xBi_xのMBE成長と特性

^○（M1）吉岡諒，冬木琢真，吉本昌広 (京工繊大)

10:00 〜 10:15

[18a-E11-3] InP基板上低温成長In_xGa_1-xAsの結晶構造の解析

^○富永依里子，冨保勇貴，角屋豊 (広大院先端研)

10:15 〜 10:30

[18a-E11-4] (775)B InP 基板上にMBE成長したInGaAs層及びInAlAs層の光学的特性と格子整合条件近傍のIn組成依存性

^○森貞俊 (愛媛大院)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[18a-E11-5] InP基板上InAsSbN単一量子井戸ﾀﾞｲｵｰﾄﾞのEL特性

水田昇吾，^○河村裕一 (阪府大工)

11:00 〜 11:15

[18a-E11-6] メタモルフィックマルチナノレイヤ構造を用いた高効率THz発生

^○赤羽浩一，関根徳彦，諸橋功，寳迫巌 (情通機構)

11:15 〜 11:30

[18a-E11-7] Si基板上直接貼付InP層の平坦性向上

^○松本恵一，小冷亮太，岸川純也，下村和彦 (上智大理工)

11:30 〜 11:45

△ [18a-E11-8] MOVPEによるSiO₂/Si基板上InGaAsP量子井戸構造のInP埋込み成長

^○藤井拓郎，佐藤具就，武田浩司，長谷部浩一，硴塚孝明，松尾慎治 (ＮＴＴフォトニクス研)

一般セッション(ポスター講演)

[18p-PG6-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年3月18日(火) 13:30 〜 15:30 PG6 (G棟2階)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[18p-PG6-1] AlGaAs/AlAsタイプⅡ量子井戸中の電子及び正孔の波動関数

^○野村貴俊¹，下村哲¹，白方祥¹，近藤久雄¹，福澤薫² (愛媛大理工¹，科技振²)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-2] 第一原理計算によるII-VI族化合物半導体の酸素ドープの光学特性の解析

^○石川真人，中山隆史 (千葉大理)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-3] 自己触媒VLS法によるInPナノワイヤの成長温度依存性

^○荻野雄大，山内雅之，山元雄太，下村和彦，和保孝夫 (上智大理工)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-4] 分子線エピタキシー法による空気/GaAs 2次元フォトニック結晶構造の空孔埋め込み成長 ―基板温度による空孔形状制御の可能性―

^○前川享平¹，西本昌哉¹，石崎賢司¹，北村恭子²，野田進¹ (京大院工¹，京大白眉²)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-5] 直接貼付InP/Si基板上InAs積層量子ドット構造

^○岸川純也，松本恵一，XinxinZhang，金谷佳則，下村和彦 (上智大理工)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-6] 直接貼付InP/GaAs基板上GaInAsP系MOVPE成長

^○金谷佳則，松本恵一，小冷亮太，岸川純也，下村和彦 (上智大)

13:30 〜 15:30

△ [18p-PG6-7] ナローバンドギャップデバイス応用にむけたInAsxSb1-x結晶の作製と特性評価

^○藤川紗千恵，高木裕介，前田章臣，藤代博記 (東京理科大)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-8] C₆₀ doped GaAsダイオードの容量電圧特性

^○西永慈郎¹，堀越佳治² (早大高等研¹，早大理工²)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-9] MBEによるGaAs上への極薄結晶性AlO_xトンネルバリヤー層の形成

^○（P）西沢望，宗片比呂夫 (東工大像情報)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-10] シリコン基板上直接成長メタモルフィックGaAs/InGaAsバッファのその場反射率測定

^○荒井昌和，中尾亮，伊賀龍三，神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-11] 逆格子マッピング法を用いたInGaAs/GaAs薄膜における成長初期の転位形成過程のIn組成依存性評価

^○高比良潤，?林，鈴木秀俊，前田幸治，碇哲雄 (宮崎大工)

13:30 〜 15:30

▲ [18p-PG6-12] Study of high background doping in p-type GaAsN grown by chemical beam epitaxy

^○（D）OmarElleuch，HiroyukiKowaki，BoussairiBouzazi，KazumaIkeda，NobuakiKojima，YoshioOhshita，MasafumiYamaguchi (Toy T Inst)

13:30 〜 15:30

▲ [18p-PG6-13] Recombination center in p-GaAsN grown by chemical beam epitaxy

HiroyukiKowaki，^○（D）OmarElleuch，KazumaIkeda，BoussairiBouzazi，NobuakiKojima，YoshioOhshita，MasafumiYamaguchi (Toy T Inst)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-14] 高密度InAs量子ドット層の広帯域発光特性

^○山田和寛，山本雅人，山口浩一 (電通大先進理工)

13:30 〜 15:30

[18p-PG6-15] InAsSb層上への面内超高密度InAs量子ドット(10¹²cm^-2)の自己形成(2)

^○鮫島一樹，佐野琢哉，山口浩一 (電通大先進理工)

セッション一覧

15．結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[17a-E11-6~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[17p-E11-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

△ [17p-E11-1] 成長抑制現象を用いたInAs/GaAs量子ドットの形成とその光学特性評価

▼ [17p-E11-8] Formation of InAs quantum dots on InP(111)A by droplet epitaxy and their optical emission at 1.3μm and 1.55μm

▲ [17p-E11-12] MOCVD法によるGe/Si上InAs/GaAs量子ドットの発光特性におけるAlGaAs/GaAsバッファ層のアニール効果

△ [17p-E11-14] 希薄窒化物GaAsN混晶の成長における表面窒化の有効性

[18a-E11-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

△ [18a-E11-8] MOVPEによるSiO2/Si基板上InGaAsP量子井戸構造のInP埋込み成長

[18p-PG6-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

△ [18p-PG6-7] ナローバンドギャップデバイス応用にむけたInAsxSb1-x結晶の作製と特性評価

▲ [18p-PG6-12] Study of high background doping in p-type GaAsN grown by chemical beam epitaxy

▲ [18p-PG6-13] Recombination center in p-GaAsN grown by chemical beam epitaxy

△ [18a-E11-8] MOVPEによるSiO₂/Si基板上InGaAsP量子井戸構造のInP埋込み成長