^○Abidov Amir¹,Bunyod Allabergenov¹,Oybek Tursunkulov¹,Xiao Feiyi¹,Jin Xing¹,Supab Choopun²,Javier Garay³,Habuka Hitoshi⁴,Kim Sungjin¹ (Kumoh National Institute of Technology¹, Chiang Mai University², UC Davis³, Yokohama National University⁴)

Break 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:15

▲ [19a-D6-6] 「Invited lecture of overseas researcher」(30min.)Thin Film Metallic Glasses: Unique Properties and Potential Applications

^○JinnP.Chu¹ (NTUST¹)

11:15 〜 11:30

▲ [19a-D6-7] Electronic structure study of Li_xNi_1-xO epitaxial thin films

^○Rosantha Kumara¹,Anli Yang¹,Ryosuke Yamauchi²,Munetaka Taguchi³,Satoshi Ishimaru¹,Akifumi Matsuda²,Mamoru Yoshimoto² (NIMS/SPring-8¹, Tokyo Inst Tech.², RIKEN/SPring-8³)

11:30 〜 11:45

▲ [19a-D6-8] NIR perfect absorbers with thermochromic VO₂ layer

^○KyokoNamura^1,2,NaotoMuroi¹,Shu-YiLi³,ClaesG.Granqvist³,MotofumiSuzuki¹ (Kyoto Univ.¹, J S P S Research Fellow², Uppsala Univ.³)

11:45 〜 12:15

▲ [19a-D6-9] [INVITED](30min.)Towards a higher-Tc superconductor

^○JunAkimitsu¹ (Aogaku Univ.¹)

一般セッション(口頭講演)

[19p-D6-1~18] 6.4 薄膜新材料

2014年3月19日(水) 13:45 〜 18:30 D6 (D209)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

Lunch 12:15〜13:45 （12:15 〜 13:45）

13:45 〜 14:00

▲ [19p-D6-1] In situ temperature measurement of oxide thin films at a nanosecond time scale during pulsed UV laser irradiation

^○KentaroShinoda¹,TomohikoNakajima¹,TetsuoTsuchiya¹ (AIST¹)

14:00 〜 14:15

▲ [19p-D6-2] Graphene and tungsten disulfide nanosheets prepared using liquid phase exfoliation

^○Filchito Renee Bagsican¹,Makoto Ohshiro¹,Kazuhisa Takayama¹,Iwao Kawayama¹,Hironaru Murakami¹,Andrew Winchester²,Sujoy Kittu²,Saikat Talapatra²,Masayoshi Tonouchi¹ (Osaka Univ¹, SIU-C²)

14:15 〜 14:30

▼ [19p-D6-3] Improvement of Electrical Properties of InGaZnO Thin-Film Transistors by Fluorinated Silicon Nitride Passivation

^○（D）jingxinJiang¹,TatsuyaToda¹,MamoruFuruta¹ (Kochi Univ. of Tech.¹)

14:30 〜 14:45

▼ [19p-D6-4] Extension of endurance of superhydrophilicity in Cassie-Baxter law by epitaxial growth of SiO2 overlayers on a rutile TiO2(110) surface

^○TuLe¹,AkiraSasahara¹,MasahikoTomitori¹ (JAIST¹)

14:45 〜 15:00

▼ [19p-D6-5] 種々の酸素流量で成膜した二元系Fe-O薄膜の電気的特性

^○小川由希子，須藤祐司，安藤大輔，小池淳一 (東北大工)

15:00 〜 15:15

△ [19p-D6-6] 還元条件下で作製したイットリウム酸化物エピタキシャル薄膜

^○神永健一¹，清良輔¹，福村知昭^1,2，長谷川哲也^1,2 (東大理化¹，JST-CREST²)

15:15 〜 15:30

△ [19p-D6-7] パルスレーザー堆積法による超高密度ターゲットを用いたABO₃(A=Ca,Sr,La B=Mn,Fe)単相薄膜の作製と結晶構造解析

^○大島佳祐¹，渡部雄太¹，及川貴大¹，稲葉隆哲¹，岩田展幸¹，山本寛¹，橋本拓也² (日大理工¹，日大文理²)

15:30 〜 15:45

△ [19p-D6-8] 雰囲気制御下におけるCo_xO_y系薄膜の室温エピタキシャル成長と異種積層膜の作製

^○松田晃史¹，金子智^2,1，木口賢紀³，吉本護¹ (東工大・総理工¹，神奈川県産技セ²，東北大・金研³)

15:45 〜 16:00

△ [19p-D6-9] RFマグネトロンスパッタリング法による高In組成ZnInON膜の作製

^○松島宏一¹，清水僚太¹，井手智章¹，山下大輔¹，鎌滝晋礼¹，徐鉉雄¹，古閑一憲¹，白谷正治¹，板垣奈穂^1,2 (九州大¹，JSTさきがけ²)

16:00 〜 16:15

△ [19p-D6-10] パルスレーザ堆積法を用いたTiH₂薄膜の作製

^○鈴木崇之¹，吉松公平¹，土嶺信男²，大島孝仁¹，大友明^1,3,4 (東工大院理工¹，豊島製作所²，元素戦略³，JST-ALCA⁴)

休憩 16:15〜16:30 （16:15 〜 16:30）

16:30 〜 16:45

[19p-D6-11] p-SnS/n-Siヘテロ接合の電子構造

^○井上岳士¹，平松秀典^1,2，細野秀雄^1,2,3，神谷利夫^1,2，植田茂典⁴，大橋直樹^2,4 (東工大応セラ研¹，東工大元素戦略研²，東工大フロンティア研³，物材機構⁴)

16:45 〜 17:00

[19p-D6-12] 周期的な非稠密円柱配列構造のボトムアップ形成

^○菅沼真太，兼子泰幸，名村今日子，中嶋薫，木村健二，鈴木基史 (京大院工)

17:00 〜 17:15

[19p-D6-13] 立方晶系LaBaMnO3/六方晶系ZnOのヘテロ構造の作成とp-n接合特性

^○（M1）森俊貴¹，岡田聡¹，與倉三好¹，稲葉克彦²，小林信太郎²，岩田展幸³，SanapaReddy⁴，遠藤民生¹ (三重大工¹，リガク²，日大³，S.V.D. College⁴)

17:15 〜 17:30

[19p-D6-14] ワイドギャップZn₃N₂ 薄膜の電気伝導性

^○山田直臣，渡会光貴，曹祥，山口孝弘，佐藤厚，二宮善彦 (中部大工)

17:30 〜 17:45

[19p-D6-15] スパッタリング成膜によるランタンとチタンの複合酸化物光学薄膜の作製(2)

^○中野良太，奥田良，室谷裕志 (東海大)

17:45 〜 18:00

[19p-D6-16] スパッタ法により形成したO₂導入Al添加CeO₂薄膜の評価（1）

^○原健太¹，岡崎拓也¹，野谷祐貴¹，大澤隆志¹，日比野圭佑¹，鈴木摂²，石橋啓次²，山本康博¹ (法政大¹，コメット²)

18:00 〜 18:15

[19p-D6-17] スパッタ法により形成したO₂導入Al添加CeO₂薄膜の評価(2)

^○野谷祐貴¹，岡崎拓也¹，原健太¹，大澤隆志¹，日比野圭佑¹，鈴木摂²，石橋啓次²，山本康博¹ (法政大¹，コメット²)

18:15 〜 18:30

[19p-D6-18] LiNbO₃基板上におけるCr₂O₃薄膜の結晶成長および構造解析

^○中村拓未，黒田卓司，林佑太郎，隅田貴士，岩田展幸，山本寛 (日大理工)

一般セッション(口頭講演)

[20p-D6-1~8] 6.4 薄膜新材料

2014年3月20日(木) 13:00 〜 15:00 D6 (D209)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:00 〜 13:15

[20p-D6-1] YAlO₃単結晶基板の表面処理条件の探索とCr₂O₃薄膜の結晶成長

^○林佑太郎，黒田卓司，中村拓未，隅田貴士，岩田展幸，山本寛 (日大理工)

13:15 〜 13:30

[20p-D6-2] Si(100)基板上の複合面方位CeO₂領域間の分離

^○井上知泰，信田重成 (いわき明星大科学技術)

13:30 〜 13:45

[20p-D6-3] LiHエピタキシャル薄膜の成長機構

^○大口裕之¹，池庄司民夫^2,3，桑野博喜¹，折茂慎一^2,3，白木将³，一杉太郎³ (東北大院工¹，東北大金研²，東北大AIMR³)

13:45 〜 14:00

[20p-D6-4] 沿面放電による酸化スズ膜の作製における雰囲気制御の効果

丹祐人，金指翔大，花井利通，^○奥谷昌之 (静岡大院工)

14:00 〜 14:15

[20p-D6-5] 常温大気圧下でのコプラナー型沿面放電によるSnO₂薄膜の形成における磁場印加の効果

^○金指翔大，丹祐人，花井利通，奥谷昌之 (静岡大院工)

14:15 〜 14:30

[20p-D6-6] 溶液法によるBi-Nb-O薄膜の製膜過程

^○鯵坂晃輔¹，松本真¹，有賀智紀²，井上聡^1,2,3，下田達也^1,2,3 (北陸先端大マテ研究科¹，北陸先端大GDRC²，JST-ERATO³)

14:30 〜 14:45

[20p-D6-7] アクリル基板への高付着力光学薄膜の形成技術の研究（2）

^○奥田良¹，高橋智朗¹，室谷裕志¹，松本繁治² (東海大院工¹，シンクロン²)

14:45 〜 15:00

[20p-D6-8] ポストアニール処理によるHfO₂/SiO_x/Si(100)構造のSiO_xの膜厚制御

^○豊嶋祐樹¹，澤本直美²，谷脇将太¹，池野成裕^2,3，堀田育志^1,4，吉田晴彦^1,4，新船幸二^1,4，小椋厚志^2,4，佐藤真一^1,4 (兵県大¹，明大²，NIMS³，JST-CREST⁴)

一般セッション(ポスター講演)

[20a-PA1-1~10] 6.4 薄膜新材料

2014年3月20日(木) 09:30 〜 11:30 PA1 (アリーナ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[20a-PA1-1] IZO / Ag / IZO積層膜の電気的・光学的特性

^○工藤禎久，松村弦，川村みどり，張子洋，阿部良夫，金敬鎬 (北見工大)

09:30 〜 11:30

▼ [20a-PA1-2] フッ素リー潤滑油を用いたオムニフォビシティ滑液面

^○天神林瑞樹，諏訪部憲，白鳥世明 (慶大)

09:30 〜 11:30

[20a-PA1-3] MoSi₂-Si複合体薄膜の抵抗率の温度依存性

^○木谷僚介，佐藤祐喜，吉門進三 (同志社大)

09:30 〜 11:30

△ [20a-PA1-4] Si/Ag(111)の表面形態のSTM観察(Ⅱ)

^○（M2）稲瀬陽介¹，神子公男²，弓野健太郎¹ (芝浦工大¹，東大生研²)

09:30 〜 11:30

[20a-PA1-5] DCパルススパッタを用いた中間酸化膜の作製

^○室幸市¹，石井清¹，佐久間洋志¹，田中俊次²，田中浩己² (宇都宮大工¹，タナカ技研²)

09:30 〜 11:30

▲ [20a-PA1-6] Deposition of Crystallized Proton Conductive Oxide by RF Magnetron Sputtering

^○（B）佐藤智也¹，内山潔¹，舟窪浩² (鶴岡高専¹，東工大²)

09:30 〜 11:30

▲ [20a-PA1-7] Carrier Transport and Origins of Narrow Bandgap for P-type Layered Semiconductor, β-BaZn₂As₂

^○ZewenXiao¹，HidenoriHiramatsu¹，HideoHosono¹，ToshioKamiya¹，ShigenoriUeda²，NaokiOhashi² (東工大¹，物材機構²)

09:30 〜 11:30

▲ [20a-PA1-8] Growth of SnS epitaxial film and its electrical properties

^○FanyongRan¹，HidenoriHiramatsu^1,2，HideoHosono^1,2，ZewenXiao¹，ToshioKamiya^1,2 (MSL, Tokyo Tech¹，MCES, Tokyo Tech²)

09:30 〜 11:30

▲ [20a-PA1-9] Scalable growth of atomically thin MoS＜sub＞2＜/sub＞ by sulfurization of molybdenum thin films

^○CarloOrofeo，鈴木哲，日比野浩樹 (ＮＴＴ物性研)

09:30 〜 11:30

[20a-PA1-10] Mg-C粉末を用いて作製した透明絶縁膜の特性評価

^○岡威樹¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²)

セッション一覧

06．薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[19a-D6-1~9] 6.4 薄膜新材料

▲ [19a-D6-1] [INVITED](30min.)Glancing Angle Deposition for Practical Applications

▲ [19a-D6-2] Well-ordered ZnO Nanorods Growth by Chemical Bath Deposition

▲ [19a-D6-3] Efficient Production of Black Titania Thin Film Photoanodes for Solar Water Splitting

▲ [19a-D6-4] Observation of crystalline structure of ZnO thin films grown on a-Al2O3 using high-temperature H2O generated by a catalytic reaction

▲ [19a-D6-5] Doped ZnO based nanostructures for gas sensing applications

▲ [19a-D6-6] 「Invited lecture of overseas researcher」(30min.)Thin Film Metallic Glasses: Unique Properties and Potential Applications

▲ [19a-D6-7] Electronic structure study of LixNi1-xO epitaxial thin films

▲ [19a-D6-8] NIR perfect absorbers with thermochromic VO2 layer

▲ [19a-D6-9] [INVITED](30min.)Towards a higher-Tc superconductor

[19p-D6-1~18] 6.4 薄膜新材料

▲ [19p-D6-1] In situ temperature measurement of oxide thin films at a nanosecond time scale during pulsed UV laser irradiation

▲ [19p-D6-2] Graphene and tungsten disulfide nanosheets prepared using liquid phase exfoliation

▼ [19p-D6-3] Improvement of Electrical Properties of InGaZnO Thin-Film Transistors by Fluorinated Silicon Nitride Passivation

▼ [19p-D6-4] Extension of endurance of superhydrophilicity in Cassie-Baxter law by epitaxial growth of SiO2 overlayers on a rutile TiO2(110) surface

▼ [19p-D6-5] 種々の酸素流量で成膜した二元系Fe-O薄膜の電気的特性

△ [19p-D6-6] 還元条件下で作製したイットリウム酸化物エピタキシャル薄膜

△ [19p-D6-7] パルスレーザー堆積法による超高密度ターゲットを用いたABO3(A=Ca,Sr,La B=Mn,Fe)単相薄膜の作製と結晶構造解析

△ [19p-D6-8] 雰囲気制御下におけるCoxOy系薄膜の室温エピタキシャル成長と異種積層膜の作製

△ [19p-D6-9] RFマグネトロンスパッタリング法による高In組成ZnInON膜の作製

△ [19p-D6-10] パルスレーザ堆積法を用いたTiH2薄膜の作製

[20p-D6-1~8] 6.4 薄膜新材料

[20a-PA1-1~10] 6.4 薄膜新材料

▼ [20a-PA1-2] フッ素リー潤滑油を用いたオムニフォビシティ滑液面

△ [20a-PA1-4] Si/Ag(111)の表面形態のSTM観察(Ⅱ)

▲ [20a-PA1-6] Deposition of Crystallized Proton Conductive Oxide by RF Magnetron Sputtering

▲ [20a-PA1-7] Carrier Transport and Origins of Narrow Bandgap for P-type Layered Semiconductor, β-BaZn2As2

▲ [20a-PA1-8] Growth of SnS epitaxial film and its electrical properties

▲ [20a-PA1-9] Scalable growth of atomically thin MoS＜sub＞2＜/sub＞ by sulfurization of molybdenum thin films

▲ [19a-D6-7] Electronic structure study of Li_xNi_1-xO epitaxial thin films

▲ [19a-D6-8] NIR perfect absorbers with thermochromic VO₂ layer

△ [19p-D6-7] パルスレーザー堆積法による超高密度ターゲットを用いたABO₃(A=Ca,Sr,La B=Mn,Fe)単相薄膜の作製と結晶構造解析

△ [19p-D6-8] 雰囲気制御下におけるCo_xO_y系薄膜の室温エピタキシャル成長と異種積層膜の作製

△ [19p-D6-10] パルスレーザ堆積法を用いたTiH₂薄膜の作製

▲ [20a-PA1-7] Carrier Transport and Origins of Narrow Bandgap for P-type Layered Semiconductor, β-BaZn₂As₂