一般セッション(ポスター講演)

[20a-P1-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

2016年3月20日(日) 09:30 〜 11:30 P1 (屋内運動場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[20a-P1-1] 極低温下におけるPZT薄膜のリーク電流特性

〇(M1)畠希¹、佐々木敏夫²、橋爪洋一郎¹、中嶋宇史¹、岡村総一郎¹ (1.東理大理、2.東北大金研)

09:30 〜 11:30

[20a-P1-2] チタン酸ジルコニウム酸鉛薄膜の強誘電分域のひずみイメージング

〇(B)一番ヶ瀬友哉¹、高田啓二¹ (1.関西大理工)

09:30 〜 11:30

[20a-P1-3] コンビナトリアルスパッタ法を用いたPMN-PZ-PT薄膜の組成依存性評価

〇寺元卓也¹、黒川文弥¹、辻浦裕一¹、肥田博隆¹、神野伊策¹ (1.神戸大工)

09:30 〜 11:30

[20a-P1-4] 強誘電体インクジェット成膜に用いる吐出液の検討

松岡勇汰¹、〇山口正樹^1,2、増田陽一郎³ (1.芝浦工大工、2.芝浦工大RCGI、3.八戸工大工)

09:30 〜 11:30

[20a-P1-5] BIT系非鉛圧電材料のスパッタ薄膜形成と特性評価

〇水嵜英明¹、米久保荘¹、工藤賢一¹、西野入隆²、奥冨衛²、児玉泰史²、水越健輔²、平林明² (1.長野県工技セ、2.セラテックジャパン)

09:30 〜 11:30

[20a-P1-6] ラマン分光法を用いたBaTiO₃の酸素欠陥の評価

〇福島浩晃¹、岡廣隆¹、神津知己¹、舟窪浩²、内田寛³、森分博紀⁴、島宏美¹、西田謙¹ (1.防衛大、2.東工大、3.上智大、4.ﾌｧｲﾝｾﾗﾐｯｸｾﾝﾀｰ)

09:30 〜 11:30

[20a-P1-7] 一軸延伸による強誘電性高分子の表面構造および残留分極値の変化

〇福田圭佑¹、宝田隼¹、古川昭雄¹ (1.東理大院理工)

09:30 〜 11:30

[20a-P1-8] β- Ga₂O₃単結晶基板上への(Hf,Zr)O₂薄膜の成長

〇高田賢志¹、小前智也¹、木口拓也¹、野瀬幸則¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.大阪府大)

09:30 〜 11:30

[20a-P1-9] 圧電型触覚センサのためのBiFeO₃薄膜の作製と評価

〇河野壮¹、三原雅人¹、田辺任¹、安部隆¹、奥山雅則²、寒川雅之¹ (1.新潟大工、2.大阪大工)

09:30 〜 11:30

[20a-P1-10] 靴における圧電発電の検討

〇柿原凌汰¹、苅谷健人¹、松下裕司¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.大阪府大院工)

一般セッション(口頭講演)

[21a-W641-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 W641 (西6号館)

山田智明(名大)、平永良臣(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[21a-W641-1] ナノシート界面層を利用した配向性PZT厚膜の作製

宮崎竜斗¹、一ノ瀬大地²、金鎭雄³、島宏美³、赤間章裕⁴、木口賢紀⁴、西田謙³、金野豊彦⁴、舟窪浩²、〇内田寛¹ (1.上智大理工、2.東工大物創、3.防衛大、4.東北大金研)

09:15 〜 09:30

[21a-W641-2] 正方晶/菱面体晶Pb(Zr_xTi_1-x)O₃人工超格子薄膜における圧電応答の層厚依存性

〇山田智明^1,2、海老原洋平¹、坂田修身^3,4、森岡仁⁵、木口賢紀⁶、清水荘雄⁴、舟窪浩⁴、吉野正人¹、長崎正雅¹ (1.名古屋大、2.JSTさきがけ、3.物質・材料研究機構、4.東工大、5.BrukerAXS、6.東北大)

09:30 〜 09:45

△ [21a-W641-3] 電界印加による面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O₃薄膜のドメイン構造変化

〇一ノ瀬大地¹、江原祥隆¹、清水荘雄¹、坂田修身^2,3、山田智明^4,5、舟窪浩¹ (1.東工大、2.NIMS、3.SPring-8、4.名大、5.PRESTO)

09:45 〜 10:00

[21a-W641-4] PZT圧電薄膜の正圧電特性経時変化

〇西崇仁¹、辻浦裕一¹、黒川文弥¹、肥田博隆¹、神野伊策¹ (1.神大工)

10:00 〜 10:15

[21a-W641-5] 積層圧電薄膜の作製およびその実効的圧電特性評価

〇山本稜祐¹、黒川文弥¹、辻浦裕一¹、肥田博隆¹、神野伊策¹、牧本なつみ²、小林健² (1.神大工、2.産総研)

10:15 〜 10:30

[21a-W641-6] 化学溶液法によるピエゾMEMSデバイス向けPZT薄膜形成

〇河原正美¹、 KIM SEUNG-HYUN² (1.(株)高純度化学研、2.Brown大)

10:30 〜 10:45

[21a-W641-7] パルスポーリングが基板上およびMEMSカンチレバー上PZT薄膜の圧電特性に与える影響

〇小林健¹、牧本なつみ¹ (1.産総研)

11:00 〜 11:15

△ [21a-W641-8] 強誘電体薄膜のドメインダイナミクスと負のキャパシタンスの第一原理計算

〇笠松秀輔¹、渡邉聡²、 Han Seungwu³、 Hwang Cheol Seong³ (1.東大物性研、2.東大院工、3.ソウル大)

11:15 〜 11:30

[21a-W641-9] SNDM線形誘電率ナノイメージングにおける空間分解能の数値解析

〇平永良臣¹、茅根慎通¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

11:30 〜 11:45

▲ [21a-W641-10] Hysteresis of the Electrostatic Potential of (GeTe)₂ Sb₂Te₃ Superlattice Grains Measured by Scanning Probe Spectroscopy

〇Bolotov Leonid¹、 Tada Tetsuya¹、 Saito Yuta¹、 Tominaga Junji¹ (1.AIST)

11:45 〜 12:00

△ [21a-W641-11] PLD法による正方晶(Bi,K)TiO₃エピタキシャル膜作製と圧電特性評価

〇根本祐一¹、一ノ瀬大地¹、清水荘雄²、内田寛³、舟窪浩^1,2 (1.東工大総理工、2.東工大元素、3.上智大理工)

12:00 〜 12:15

[21a-W641-12] Bi₂ZnTiO₆薄膜の結晶構造とその誘電特性

〇富永健¹、北條元¹、東正樹¹ (1.東工大　応セラ)

一般セッション(口頭講演)

[21p-W641-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

2016年3月21日(月) 13:45 〜 19:00 W641 (西6号館)

藤沢浩訓(兵庫県立大)、吉村武(大阪府立大)、安井伸太郎(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[21p-W641-1] 【講演奨励賞受賞記念講演】高濃度マンガン置換ニオブ酸リチウム薄膜の可視光起電力特性評価

〇犬塚淳¹、高橋秀輔¹、井上亮太郎²、野口祐二¹、宮山勝¹ (1.東大院工、2.日大医)

14:00 〜 14:15

[21p-W641-2] (111)SrTiO₃基板上への(Ba,La)SnO₃薄膜の作製と特性評価

〇三浦光平¹、山下紘誉¹、小前智也¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

14:15 〜 14:30

△ [21p-W641-3] {110}一軸配向ペロブスカイト型酸化物薄膜の作製と結晶構造解析

〇(B)佐藤智也¹、木村純一²、一ノ瀬大地²、三村和仙²、舟窪浩²、内山潔¹ (1.鶴岡高専、2.東工大)

14:30 〜 14:45

[21p-W641-4] 電子強誘電体YbFe₂O₄薄膜の電子状態とその光吸収特性への影響

〇樫本涼¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

14:45 〜 15:00

△ [21p-W641-5] BaTiO₃/SrRuO₃光電変換デバイスの作製と特性評価

〇朽名和俊¹、松尾拓紀¹、北中佑樹¹、野口祐二¹、宮山勝¹ (1.東大院工)

15:00 〜 15:15

[21p-W641-6] Ba_1-xCa_xTiO₃/ZnOヘテロ接合の作製とバンド配置の解析

〇後田敦史¹、山田裕明¹、小前智也¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

15:15 〜 15:30

[21p-W641-7] チタン酸ジルコン酸バリウムナノキューブの合成とその誘電特性

〇三村憲一¹、馬強¹、加藤一実¹ (1.産総研)

15:45 〜 16:00

△ [21p-W641-8] 固相成長による配向制御したHfO₂基強誘電体薄膜の作製と特性評価

〇三村和仙¹、片山きりは¹、清水荘雄²、内田寛³、木口賢紀⁴、赤間章裕⁴、今野豊彦⁴、坂田修身⁵、舟窪浩^1,2 (1.東工大総理工、2.東工大元素、3.上智大理工、4.東北大金研、5.NIMS)

16:00 〜 16:15

△ [21p-W641-9] 走査型非線形誘電率顕微鏡における強誘電性Y:HfO₂薄膜のドメイン反転

〇陳舟¹、平永良臣¹、清水荘雄²、片山きりは²、三村和仙²、舟窪浩²、長康雄¹ (1.東北大通研、2.東工大)

16:15 〜 16:30

△ [21p-W641-10] k-Al₂O₃型Me_xFe_2-xO₃エピタキシャル薄膜の構造と強誘電性(I)

〇浜嵜容丞¹、安井伸太郎¹、谷山智康¹、清水荘雄²、小西綾子³、森分博紀³、白石貴久⁴、赤間章裕⁴、木口賢紀⁴、伊藤満¹ (1.東工大応セラ研、2.東工大元素戦略、3.JFCC、4.東北大金研)

16:30 〜 16:45

[21p-W641-11] k-Al₂O₃型Me_xFe_2-xO₃エピタキシャル薄膜の構造と強誘電性(II)

16:45 〜 17:00

[21p-W641-12] 巨大c/a 相Ga 置換BiFeO₃ 薄膜の作製と配向制御

〇清水啓佑¹、北條元¹、東正樹¹ (1.東工大応セラ研)

17:00 〜 17:15

[21p-W641-13] ITO/シリカガラス基板上へのBiFeO₃およびZnO/BiFeO₃薄膜の作製とその光誘起特性

片山丈嗣¹、林幸壱朗¹、〇坂本渉¹、余語利信¹ (1.名大未来研)

17:30 〜 17:45

△ [21p-W641-14] BiFeO₃系強誘電体薄膜の可視光下光起電力-Gap-State Engineeringによる材料設計-

〇(DC)松尾拓紀¹、北中佑樹¹、野口祐二¹、宮山勝¹ (1.東大院工)

17:45 〜 18:00

△ [21p-W641-15] 正圧電応答における強誘電ドメインの寄与の解析

〇苅谷健人¹、荒牧正明¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工院)

18:00 〜 18:15

△ [21p-W641-16] 遷移金属元素をドープした単一ドメインBiFeO₃薄膜の異常光起電力効果(Ⅱ)

〇(M1)高山幸太¹、中嶋誠二¹、藤沢浩訓¹、清水勝¹ (1.兵庫県立大学)

18:15 〜 18:30

[21p-W641-17] 室温マルチフェロイクスBiFeO₃単結晶の磁気ドメインの特性

〇伊藤利充¹、尾崎康子¹、富岡泰秀¹、徳永将史² (1.産総研、2.東大物性研)

18:30 〜 18:45

▲ [21p-W641-18] Growth and electrical properties of BiFeO₃-(Bi_1/2Na_1/2)TiO₃ thin films

〇(D)CHOI JINHONG¹、 Yoshimura Takeshi¹、 Fujimura Norifumi¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

18:45 〜 19:00

[21p-W641-19] 振動発電応用に向けたBiFeO₃厚膜の作製

〇荒牧正明¹、苅谷健人¹、吉村武¹、村上修一²、藤村紀文¹ (1.阪府院工、2.阪府産技研)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[20a-P1-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[21a-W641-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

△ [21a-W641-3] 電界印加による面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O3薄膜のドメイン構造変化

△ [21a-W641-8] 強誘電体薄膜のドメインダイナミクスと負のキャパシタンスの第一原理計算

▲ [21a-W641-10] Hysteresis of the Electrostatic Potential of (GeTe)2 Sb2Te3 Superlattice Grains Measured by Scanning Probe Spectroscopy

△ [21a-W641-11] PLD法による正方晶(Bi,K)TiO3エピタキシャル膜作製と圧電特性評価

[21p-W641-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [21p-W641-3] {110}一軸配向ペロブスカイト型酸化物薄膜の作製と結晶構造解析

△ [21p-W641-5] BaTiO3/SrRuO3光電変換デバイスの作製と特性評価

△ [21p-W641-8] 固相成長による配向制御したHfO2基強誘電体薄膜の作製と特性評価

△ [21p-W641-9] 走査型非線形誘電率顕微鏡における強誘電性Y:HfO2薄膜のドメイン反転

△ [21p-W641-10] k-Al2O3型MexFe2-xO3エピタキシャル薄膜の構造と強誘電性(I)

△ [21p-W641-14] BiFeO3系強誘電体薄膜の可視光下光起電力-Gap-State Engineeringによる材料設計-

△ [21p-W641-15] 正圧電応答における強誘電ドメインの寄与の解析

△ [21p-W641-16] 遷移金属元素をドープした単一ドメインBiFeO3薄膜の異常光起電力効果(Ⅱ)

▲ [21p-W641-18] Growth and electrical properties of BiFeO3-(Bi1/2Na1/2)TiO3 thin films

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△ [21a-W641-3] 電界印加による面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O₃薄膜のドメイン構造変化

▲ [21a-W641-10] Hysteresis of the Electrostatic Potential of (GeTe)₂ Sb₂Te₃ Superlattice Grains Measured by Scanning Probe Spectroscopy

△ [21a-W641-11] PLD法による正方晶(Bi,K)TiO₃エピタキシャル膜作製と圧電特性評価

△ [21p-W641-5] BaTiO₃/SrRuO₃光電変換デバイスの作製と特性評価

△ [21p-W641-8] 固相成長による配向制御したHfO₂基強誘電体薄膜の作製と特性評価

△ [21p-W641-9] 走査型非線形誘電率顕微鏡における強誘電性Y:HfO₂薄膜のドメイン反転

△ [21p-W641-10] k-Al₂O₃型Me_xFe_2-xO₃エピタキシャル薄膜の構造と強誘電性(I)

△ [21p-W641-14] BiFeO₃系強誘電体薄膜の可視光下光起電力-Gap-State Engineeringによる材料設計-

△ [21p-W641-16] 遷移金属元素をドープした単一ドメインBiFeO₃薄膜の異常光起電力効果(Ⅱ)

▲ [21p-W641-18] Growth and electrical properties of BiFeO₃-(Bi_1/2Na_1/2)TiO₃ thin films