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13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

一般セッション(ポスター講演)

[15p-P13-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年3月15日(水) 16:00 〜 18:00 P13 (展示ホールＢ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:00 〜 18:00

▲ [15p-P13-1] Fabrication of low B-doped p-BaSi₂/n⁺-Si heterojunction solar cells

〇Miftahullatif Emha Bayu¹、 Ryouta Takabe¹、 Suguru Yachi¹、 Kaoru Toko¹、 Takashi Suemasu¹ (1.Univ. of Tsukuba)

16:00 〜 18:00

▲ [15p-P13-2] Characterizations of crystalline quality and electrical properties of nitrogen-doped BaSi₂ films on Si(111)

〇(M1)Xu Zhihao¹、 Deng Tianguo¹、 Takabe Ryota¹、 Emha Bayu Miftahullatif¹、 Toko Kaoru¹、 Suemasu Takashi¹ (1.Univ.Tsukuba)

16:00 〜 18:00

[15p-P13-3] BaSi₂エピタキシャル膜における近赤外欠陥発光の評価

〇村社尚紀¹、星田裕文¹、飯沼元輝¹、江口元¹、末益崇²、寺井慶和¹ (1.九工大情報工、2.筑波大数理物質)

16:00 〜 18:00

[15p-P13-4] Sbドーピングによるβ-FeSi₂エピタキシャル膜の電子密度制御

〇飯沼元輝¹、江口元¹、村社尚紀¹、星田裕文¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

16:00 〜 18:00

[15p-P13-5] Mg₂Si結晶の赤外吸収測定と自由電子濃度評価

〇矢口楓子¹、中野浩平¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大工)

16:00 〜 18:00

[15p-P13-6] ボールミリング法を用いたSi系ナノシート束の作製

〇渥美七虹¹、佐々木謙太²、袁佩玲³、立岡浩一² (1.静岡大工、2.静岡大総合科技研工、3.静岡大創造科技院)

16:00 〜 18:00

[15p-P13-7] CaSi₂をテンプレートとしたNH₄Cl処理によるSi系ナノシート束の作製

〇齋藤優弥¹、佐々木謙太¹、熊澤佑貴¹、渥美七虹²、引地啓太²、袁佩玲³、立岡浩一¹ (1.静岡大総合科技研工、2.静岡大工、3.静岡大創造科技院)

16:00 〜 18:00

[15p-P13-8] MgCl₂溶融塩を用いたSi系ナノシート束の作製

〇熊澤佑貴¹、立岡浩一¹ (1.静岡大総合科技研工)

16:00 〜 18:00

[15p-P13-9] Geのピエゾ抵抗効果

〇松田和典¹、檜原優希¹、長岡史郎²、神田洋三³ (1.徳文大理工、2.香川高専詫間、3.東洋大工)

16:00 〜 18:00

[15p-P13-10] 光熱拡散法における3C-SiCの不純物濃度の影響

〇鎌田隼¹、武市慎矢²、香西貴典²、藤原健志²、小西智也²、岡本敏弘¹、原口雅宣¹、釜野勝² (1.徳島大学、2.阿南工業高等専門学校)

16:00 〜 18:00

[15p-P13-11] 透明基板上に合成したNa内包II型Geクラスレート膜の光吸収

〇杉井南斗¹、大橋史隆¹、久米徹二¹、ヒマンシュシャカール　ジャ¹、向井哲也¹、鈴木渉太¹、牧野秀哉¹、野々村修一¹ (1.岐大工)

一般セッション(口頭講演)

[16a-B5-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:00 B5 (B5)

鵜殿治彦(茨城大)、立岡浩一(静岡大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[16a-B5-1] テクスチャSi上に真空蒸着法で形成したBaSi₂薄膜の評価

〇(B)藤原道信¹、高橋一真¹、中川慶彦¹、後藤和泰¹、黒川康良¹、宇佐美徳隆¹ (1.名古屋大工)

09:15 〜 09:30

[16a-B5-2] 3C-SiC 膜上に成長したBaSi₂ 膜の結晶構造の評価

〇中川慶彦¹、黒川康良¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大工)

09:30 〜 09:45

[16a-B5-3] Mg/Si 同時スパッタ堆積法によるサファイア基板へのMg₂Si薄膜合成

〇池畑隆¹、西城要¹、笹島良太¹、佐藤直幸¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院理工)

09:45 〜 10:00

[16a-B5-4] Ge基板上におけるSrGe₂薄膜の反応性エピタキシャル成長

〇今城利文¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大院数理物質)

10:00 〜 10:15

[16a-B5-5] 窒化炭素とレニウムによる炭化レニウムの高温高圧合成

〇安井望¹、財部健一¹、岡田卓²、山崎大輔³、大藤弘明⁴、小島洋平⁴、中野智志⁵ (1.岡山理大理、2.東大、3.岡大IPM、4.愛媛大GRC、5.NIMS)

10:30 〜 10:45

[16a-B5-6] BaSi₂テンプレート層がp-BaSi₂/n-Siヘテロ太陽電池特性に与える効果

〇谷内卓¹、髙部涼太¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大数理)

10:45 〜 11:00

[16a-B5-7] p-BaSi₂の厚みとp-BaSi₂/n-Siヘテロ接合太陽電池特性の関係

〇山下雄大¹、谷内卓¹、髙部涼太¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大電物)

11:00 〜 11:15

▲ [16a-B5-8] Characterization of p-BaSi₂/n-Si solar cells using Boron-doped p-BaSi₂ on textured n-Si (001) grown by molecular beam epitaxy

〇(D)Deng Tianguo¹、 Takabe Ryota¹、 Xu Zhihao¹、 Toko Kaoru¹、 Gotoh Kazuhiro²、 Usami Noritaka²、 Suemasu Takashi¹ (1.Univ. Tsukuba、2.Nagoya Univ.)

11:15 〜 11:30

△ [16a-B5-9] Siヘテロ接合太陽電池応用に向けたp型BaSi₂の作製技術開発

〇高橋一真¹、中川慶彦¹、原康祐²、黒川康良¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工、2.山梨大学クリスタル研)

11:30 〜 11:45

[16a-B5-10] BaSi₂ pn ホモ接合太陽電池作製に向けた表面電極/Sb-doped n-BaSi₂間の接触抵抗低減

〇小玉小桃¹、髙部涼太¹、谷内卓¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大電物)

11:45 〜 12:00

[16a-B5-11] 真空蒸着法により作製したa-Si/BaSi₂の接触抵抗低減効果

須原貴道¹、〇中川慶彦¹、原康祐²、黒川康良¹、末益崇³、宇佐美徳隆¹ (1.名古屋大、2.山梨大、3.筑波大)

一般セッション(口頭講演)

[16p-B5-1~15] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年3月16日(木) 13:45 〜 17:45 B5 (B5)

末益崇(筑波大)、山口憲司(量研機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[16p-B5-1] [講演奨励賞受賞記念講演] Ba/Siフラックス比を変えて作製したSi(111)基板上undoped n-BaSi₂エピタキシャル膜の評価

〇高部涼太¹、谷内卓¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学)

14:00 〜 14:15

[16p-B5-2] BaSi₂蒸着膜中の酸素不純物に関する調査

〇原康祐¹、山本千綾¹、山中淳二¹、有元圭介¹、中川清和¹、黒川康良²、宇佐美徳隆² (1.山梨大、2.名古屋大)

14:15 〜 14:30

[16p-B5-3] 偏極中性子反射率測定によるFe₃Si/FeSi₂ 人工格子膜の磁気構造解析

〇花島隆泰¹、竹市悟志²、宮田登¹、堺研一郎³、出口博之⁴、吉武剛² (1.中性子科セ、2.九大総理工、3.久留米高専、4.九工大工)

14:30 〜 14:45

▼ [16p-B5-4] Photoluminescence Property of Si-based nanosheet bundles rooted on Si substrates

〇(D)Peiling Yuan¹、 Tamaki Ryo²、 Sasaki Kenta³、 Nakayama Makoto³、 Saito Yuya³、 Kusazaki Shinya³、 Kumazawa Yuki³、 Xiang Meng¹、 Ahsan Nazmul²、 Okada Yoshitaka²、 Tatsuoka Hirokazu³ (1.Grad. Sch. Sci. & Technol., Shizuoka Univ.、2.RCAST, The Univ. of Tokyo、3.Grad. Sch. Integr. Sci. & Technol., Dept. Eng., Shizuoka Univ.)

14:45 〜 15:00

[16p-B5-5] 表面損傷を与えたSi基板におけるSi欠陥発光の寿命評価

〇扇和也¹、岡直大¹、池田修哉¹、瀬戸島健太¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

15:00 〜 15:15

[16p-B5-6] Si/β-FeSi₂/Si 多結晶積層構造における1.5 μm 発光の寿命評価

〇池田修哉¹、瀬戸島健太¹、扇和也¹、岡直大¹、寺井慶和¹ (1.九工大情工)

15:15 〜 15:30

[16p-B5-7] 硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の赤外吸収と光電気伝導利得

〇(M1)早瀬弘基¹、長尾克紀¹、中井達也¹、細見勇登¹、内藤宗幸¹、青木珠緒¹、梅津郁朗¹ (1.甲南大理工)

15:30 〜 15:45

[16p-B5-8] 熱処理したMg₂Siバルク単結晶の電気特性評価

〇(M1)中野浩平¹、矢口楓子¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大理工)

16:00 〜 16:15

[16p-B5-9] BaSi₂の電子構造

〇今井基晴¹、 Kumar Mukesh¹、梅澤直人¹ (1.物材機構)

16:15 〜 16:30

[16p-B5-10] Mg₂Siの化学的負圧を実現するための置換元素探索

〇今井庸二¹、山本淳¹、飯田努²、財部健一³ (1.産総研、2.東京理科大、3.岡山理科大)

16:30 〜 16:45

[16p-B5-11] 準粒子近似法による、格子歪を受けたMg₂Siの電子状態計算

〇菅原宏治¹、稲葉亜佑美¹ (1.首都大SD)

16:45 〜 17:00

[16p-B5-12] シリサイド半導体のバンドギャップの線形回帰分析

淵雅也¹、有馬幹尋¹、〇前田佳均¹ (1.九工大院情報工)

17:00 〜 17:15

[16p-B5-13] 四面体型半導体の誘電率の線形回帰分析

有馬幹尋¹、淵雅也¹、〇前田佳均¹ (1.九工大院情報工)

17:15 〜 17:30

[16p-B5-14] ヨウ化銅へのカルコゲン元素ドーピングの影響

〇(D)小安智士¹、山口晃¹、梅澤直人²、宮内雅浩¹ (1.東工大、2.NIMS)

17:30 〜 17:45

△ [16p-B5-15] 透明バイポーラ酸化物半導体: ZrOS

〇新井健司¹、飯村壮史¹、金正煥²、細野秀雄^1,2 (1.東工大フロンティア研、2.東工大元素セ)

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