セッション一覧

3 光・フォトニクス » 3.15 シリコンフォトニクス

一般セッション(口頭講演)

[18a-B201-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

2018年3月18日(日) 09:30 〜 11:45 B201 (53-201)

庄司雄哉(東工大)、榊原陽一(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 09:45

[18a-B201-1] 低レイテンシ光デジタル／アナログ変換器の提案

〇北翔太^1,2、新家昭彦^1,2、野崎謙悟^1,2、コングアンウェイ³、山田浩治³、納富雅也^1,2 (1.NTTナノフォトニクスセンタ、2.NTT物性研、3.産総研)

09:45 〜 10:00

[18a-B201-2] 短尺・低損失・広帯域なオンチップ線形光学論理ゲート

〇北翔太^1,2、野崎謙悟^1,2、高田健太^1,2、新家昭彦^1,2、納富雅也^1,2 (1.NTTナノフォトニクスセンタ、2.NTT物性研)

10:00 〜 10:15

[18a-B201-3] 高分解能カメラによるSiフォトニック結晶光偏向器のビーム特性観測

〇阿部紘士¹、馬場俊彦¹ (1.横国大・院工)

10:15 〜 10:30

[18a-B201-4] 加熱制御型Siフォトニック結晶導波路スローライト偏向器 (II)——応答速度

〇竹内梧朗¹、寺田陽祐¹、阿部紘士¹、伊藤寛之¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

10:45 〜 11:00

[18a-B201-5] Siフォトニック結晶光偏向器アレイ型LiDAR受信器の検討 (II) ––– 放射特性の評価

〇鉄矢諒¹、阿部紘士¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

11:00 〜 11:15

[18a-B201-6] Siフォトニック結晶光偏向器の受信アンテナ特性

〇古門優弥¹、阿部紘士¹、雛倉陽介¹、馬場俊彦¹ (1.横浜国大・院工)

11:15 〜 11:30

[18a-B201-7] WDMによるSiフォトニック結晶光偏向素子の高スループット化

〇伊藤寛之¹、建部知紀¹、阿部紘士¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

11:30 〜 11:45

[18a-B201-8] ファイバ実装されたSiフォトニクスデバイスで利用可能なCWパワー

〇伊藤寛之¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

一般セッション(口頭講演)

[18p-B201-1~14] 3.15 シリコンフォトニクス

2018年3月18日(日) 13:15 〜 17:30 B201 (53-201)

岡野誠(産総研)、丸山武男(金沢大)、藤方潤一(PETRA)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:15 〜 13:45

[18p-B201-1] [3. 光・フォトニクス　分科内招待講演] III-V/Siハイブリッド集積技術を利用した光デバイスの展開

〇西山伸彦^1,2、雨宮智宏^1,2、荒井滋久^1,2 (1.東工大工、2.東工大研究院)

13:45 〜 14:00

△ [18p-B201-2] III-V/Siハイブリッド部分直接接合における非破壊接合状況確認法の提案

〇白柳¹、菊地健彦^1,3、鈴木純一¹、永坂久美¹、西山伸彦^1,2、八木英樹³、雨宮智宏^1,2、荒井滋久^1,2 (1.東工大工、2.未来研、3.住電)

14:00 〜 14:15

△ [18p-B201-3] High-speed direct modulation of 1.3 μm InAs quantum dot laser grown on on-axis (001) Si substrate

〇(P)Daisuke Inoue^1,2、 Daehwan Jung²、 Yating Wan²、 Justin Norman²、 Nobuhiko Nishiyama¹、 Shigehisa Arai¹、 Arthur C. Gossard²、 John E. Bowers² (1.Institute of Innovative Research, Tokyo Tech.、2.Department of Electrical and Computer Engineering, UCSB)

14:15 〜 14:30

▲ [18p-B201-4] Design Optimization of Ultralow Capacitance InGaAs Waveguide Photodetector on III-V CMOS photonics platform

〇(M2)Pengyuan Cheng¹、 Shinichi Takagi¹、 Mitsuru Takenaka¹ (1.Univ. of Tokyo)

14:30 〜 14:45

▼ [18p-B201-5] Demonstration of Mach-Zehnder interferometer optical switch with InGaAsP/Si hybrid MOS optical phase shifter

〇(DC)Qiang Li¹、 Shinichi Takagi¹、 Mitsuru Takenaka¹ (1.Univ. Tokyo)

15:00 〜 15:15

[18p-B201-6] 埋め込みヘテロ構造を用いたSi上薄膜InGaAsPマッハツェンダ変調器

〇開達郎^1,2、相原卓磨¹、藤井拓郎^1,2、武田浩司^1,2、土澤泰^1,2、硴塚孝明^1,2、福田浩^1,2、松尾慎治^1,2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.NTTナノフォトニクスセンタ)

15:15 〜 15:30

[18p-B201-7] フォトニクス応用に向けたIII-V on SiCプラットフォームの検討

〇三條嵩明¹、関根尚希²、高木信一^1,2、竹中充^1,2 (1.東大工、2.東大院工)

15:30 〜 15:45

[18p-B201-8] Si リング共振器の共振特性に基づく導波路の評価

〇浅野慎基¹、星隼人¹、清水大雅¹ (1.農工大工)

15:45 〜 16:00

[18p-B201-9] 有機金属分解法によるSi導波路側壁へのBi2.5置換Bi:YIG薄膜の製膜と評価

〇上北崇弘¹、太田雅也¹、森岡俊行¹、河原正美²、佐村剛²、清水大雅¹ (1.農工大工、2.高純度化学研)

16:00 〜 16:15

[18p-B201-10] TE-TM半モード変換器と非相反移相効果を用いたSi導波路型光アイソレータ

〇(M2)山口龍介¹、庄司雄哉¹、水本哲弥¹ (1.東工大)

16:30 〜 16:45

[18p-B201-11] MMI カプラ接続を利用したSi 導波路90°光ハイブリッド

〇岡山秀彰¹、太縄陽介¹、志村大輔¹、高橋博之¹、八重樫浩樹¹、佐々木浩紀¹ (1.沖電気)

16:45 〜 17:00

[18p-B201-12] ピラー型フォトニック結晶のグレーデッドスタブ導波路によるファノ共鳴型線形スペクトルフィルタ

〇徳島正敏¹ (1.PETRA)

17:00 〜 17:15

[18p-B201-13] 方向性結合器を用いた偏波スプリッタの消光比向上に向けた設計と評価

〇三津野翔哉¹、丸山武男¹ (1.金沢大学自然科学研究科)

17:15 〜 17:30

[18p-B201-14] 水素感応膜の製膜プロセス改善によるPt-Wo3/Siマイクロリング共振器水素ガスセンサの感度向上

〇松浦壮佑¹、山作直樹²、國分泰雄²、西島喜明²、岡崎慎司²、荒川太郎² (1.横浜国立大学、2.横浜国立大学大学院)

一般セッション(口頭講演)

[19a-B201-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

2018年3月19日(月) 09:30 〜 11:45 B201 (53-201)

石川靖彦(豊橋技科大)、阿部紘士(横国大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 09:45

[19a-B201-1] Ge中赤外光グレーティングカプラ

〇(B)大迫力人¹、徐学俊¹、澤野憲太郎¹、丸泉琢也¹ (1.都市大総研)

09:45 〜 10:00

[19a-B201-2] レーザー溶融結晶化による石英基板上引張歪み単結晶GeSnアレイの作製

〇岡博史¹、黒木伸一郎²、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工、2.広大RNBS)

10:00 〜 10:15

△ [19a-B201-3] 裏面照射型石英基板上GeSnフォトダイオードの近赤外受光特性評価

〇岡博史¹、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工)

10:15 〜 10:30

[19a-B201-4] 中赤外フォトニクスのためのGe/Si ハイブリッド MOS型光変調器の提案

〇(B)田口富隆¹、高木信一¹、竹中充¹ (1.東大工)

10:45 〜 11:00

[19a-B201-5] 円偏光フェムト秒励起相関分光によるGeキャリア緩和過程の追跡

〇安武裕輔¹、深津晋¹ (1.東大院総合)

11:00 〜 11:15

△ [19a-B201-6] Si基板上inverted-rib構造Ge選択成長層における貫通転位密度低減

〇(DC)八子基樹¹、石川靖彦²、和田一実^1,3 (1.東大院工、2.豊橋技科大、3.マサチューセッツ工大)

11:15 〜 11:30

[19a-B201-7] 横型SAM構造導波路型Ge-APD

〇小野英輝¹、野口将高¹、藤方潤一¹、高橋博之¹、志村大輔¹、八重樫浩樹¹、佐々木浩紀¹ (1.PETRA)

11:30 〜 11:45

[19a-B201-8] Ge/Siリブ導波路構造を用いた電界吸収型光変調器の検討Ⅱ

〇藤方潤一¹、野口将高¹、川下和樹²、高橋重樹¹、西村道治^3,2、小野英輝¹、志村大輔¹、高橋博之¹、八重樫浩樹¹、石川靖彦²、中村隆宏¹ (1.PETRA、2.豊橋技科大、3.東大)

一般セッション(ポスター講演)

[20a-P4-1~10] 3.15 シリコンフォトニクス

2018年3月20日(火) 09:30 〜 11:30 P4 (ベルサール高田馬場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[20a-P4-1] 偏波変換BraggグレーティングによるAdd・Drop波長フィルタ

〇岡山秀彰^1,2、太縄陽介^1,2、志村大輔^1,2、高橋博之^1,2、八重樫浩樹^1,2、佐々木浩紀^1,2 (1.沖電気、2.PETRA)

09:30 〜 11:30

[20a-P4-2] 構造性複屈折によるシリコン偏光回折格子の設計

〇酒井滋彬¹、安住光司¹、津田裕之¹ (1.慶應大工)

09:30 〜 11:30

▲ [20a-P4-3] Investigation of Low-loss Mid-infrared Waveguide Using n-type Ge

〇(M2)Ziqiang Zhao¹、 Chongpei Ho¹、 Shinichi Takagi¹、 Mitsuru Takenaka¹ (1.Tokyo Univ.)

09:30 〜 11:30

[20a-P4-4] 局所配向誘引構造を組み込んだ垂直駆動液晶装荷シリコン細線MZI 型光スイッチの試作 (Ⅰ)

〇渡部和宏^1,2、渥美裕樹²、宇田成孝^1,2、三浦登¹、榊原陽一^1,2 (1.明治大学、2.産総研)

09:30 〜 11:30

[20a-P4-5] 局所配向誘引構造を組み込んだ垂直駆動液晶装荷シリコン細線MZI 型光スイッチの試作 (Ⅱ)

〇渡部和宏^1,2、渥美裕樹²、宇田成孝^1,2、三浦登¹、榊原陽一^1,2 (1.明治大学、2.産総研)

09:30 〜 11:30

[20a-P4-6] キャリア注入方向性結合器型光スイッチの検討

〇石川敦¹、白井智大¹、松島裕一¹、石川浩¹、宇高勝之¹ (1.早大理工)

09:30 〜 11:30

[20a-P4-7] トンネル電界効果トランジスタを用いた低電圧駆動シリコン光変調器

〇田部井哲夫¹、横山新¹ (1.広大ナノデバイス研)

09:30 〜 11:30

[20a-P4-8] Siフォトニック結晶スローライト変調器の周波数応答の計算

〇雛倉陽介¹、寺田陽祐¹、新井宏之¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

09:30 〜 11:30

[20a-P4-9] フォトニック結晶スローライト偏向器の様々な構造の比較(Ⅱ)

〇建部知紀¹、羽中田翔司¹、伊藤寛之¹、阿部紘士¹、馬場俊彦¹ (1.横国大)

09:30 〜 11:30

[20a-P4-10] Siフォトニック結晶導波路光偏向器の放射効率向上と出射ビーム拡がり抑制

〇楠侑真¹、伊藤寛之¹、竹内萌江¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

×

認証

パスワード認証
PDFの閲覧にはパスワードが必要です。パスワードを入力して認証してください。

事前参加予約が完了した方にパスワードを配信しております。
当日参加受付をする方はお渡しするガイドブックに記載のパスワードをご使用ください。
応用物理学会会員の皆様には2018年9月にパスワードを配信します。

×

要旨・抄録、PDFの閲覧には参加者用アカウントでのログインが必要です。参加者ログイン後に閲覧・ダウンロードできます。
» 参加者用ログイン