一般セッション(口頭講演)

[16a-Z23-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2021年3月16日(火) 09:00 〜 12:00 Z23 (Z23)

鵜殿治彦(茨城大)、山口憲司(量研機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[16a-Z23-1] RFスパッタ成長時の基板温度がガラス基板上BaSi₂膜の特性に与える影響

〇小板橋嶺太¹、根本泰良¹、召田雅美²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

09:15 〜 09:30

[16a-Z23-2] スパッタリング法によるB-doped BaSi₂膜の作製と評価

〇長谷部隼¹、根本泰良¹、小板橋嶺太¹、召田雅実²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

09:30 〜 09:45

[16a-Z23-3] Co-sputteringによる赤外域で透明な多結晶β-FeSi₂薄膜の作製

〇(M2)チョウケンイ¹、名村今日子¹、鈴木基史¹ (1.京大院工)

09:45 〜 10:00

[16a-Z23-4] β-(Fe_1-xRu_x)Si₂多結晶薄膜の作製と発光特性評価

〇(B)吉原怜¹、西大樹¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

10:00 〜 10:15

[16a-Z23-5] メカノケミカル効果を活用した近接蒸着法によるBaSi₂成膜

〇原康祐¹、山本千綾²、山中淳二²、有元圭介¹ (1.山梨大クリスタル研、2.山梨大機器分析)

10:15 〜 10:30

△ [16a-Z23-6] As-doped n-BaSi₂膜の水素パッシベーションによる分光感度向上と第一原理計算によるミクロ構造考察

〇青貫翔¹、山下雄大¹、 Xu Zhihao¹、後藤和泰²、都甲薫¹、宇佐美徳隆²、 Migas Dmitri³、末益崇¹ (1.筑波大、2.名古屋大、3.ベラルーシ大)

10:45 〜 11:00

[16a-Z23-7] ポストアニールが B-doped p-BaSi₂膜の分光感度特性に与える影響

〇成田隼翼¹、山下雄大¹、青貫翔¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学)

11:00 〜 11:15

[16a-Z23-8] 低速成長したBaSi₂蒸着膜へのin situアニール効果

〇西尾聡馬¹、森俊之輔¹、西野克志¹ (1.徳島大)

11:15 〜 11:30

[16a-Z23-9] MBE 法による B-doped BaSi₂膜の熱電特性評価

〇吉田竜一¹、辻美紀江¹、山下雄大¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

11:30 〜 11:45

[16a-Z23-10] Si濃度66.7at.%付近でのSr-Si系の相関係

〇今井基晴¹ (1.物材機構)

11:45 〜 12:00

[16a-Z23-11] シリサイドの体積弾性率と体積熱膨張係数

〇今井基晴¹、廣戸孝信¹ (1.物材機構)

一般セッション(口頭講演)

[16p-Z23-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2021年3月16日(火) 13:30 〜 16:15 Z23 (Z23)

末益崇(筑波大)、原康祐(山梨大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 13:45

[16p-Z23-1] トポロジカル絶縁体 Bi₂Se₃の低温エピタキシャル成長と電気特性評価

〇野崎孝武¹、近藤智裕¹、太田裕己²、米澤健²、寺井慶和¹ (1.九工大情報工、2.ケニックス(株))

13:45 〜 14:00

▼ [16p-Z23-2] A New Synthesis Technique for type-II Ge Clathrate Film

〇(D)Rahul Kumar¹、 Yuta Hazama¹、 Fumitaka Ohashi¹、 Himanshu Shekhar Jha¹、 Tetsuji Kume¹ (1.Gifu University)

14:00 〜 14:15

▲ [16p-Z23-3] Synthesis of ternary type II clathrate films using AlGe alloy

〇Tun Naing Aye¹、 Rahul Kumar¹、 Himanshu shekhar Jha¹、 Fumitaka Ohashi¹、 Tetsuji Kume¹ (1.Faculty of Engineering, Gifu University)

14:15 〜 14:30

[16p-Z23-4] 近接蒸着法によるCaGe₂成膜とゲルマナンへの変換

〇原康祐¹、國枝慎¹、山中淳二²、有元圭介¹、伊藤麻維³、黒澤昌志^3,4 (1.山梨大クリスタル研、2.山梨大機器分析、3.名大院工、4.名大高等研究院)

14:30 〜 14:45

[16p-Z23-5] パイライト型硫化物半導体FeS₂中の水素シミュレーション

〇岡部博孝¹、平石雅俊¹、竹下聡史^1,2、幸田章宏^1,2、小嶋健児³、大澤健男⁴、大橋直樹⁴、門野良典^1,2 (1.KEK物構研、2.総研大、3.TRIUMF、4.物材機構)

14:45 〜 15:00

[16p-Z23-6] コアシェル量子ドットの光物性予測における第一原理計算と AI 逆設計手法の応用

〇(B)吉田響¹、坂本克好¹、山口浩一¹、沈青¹、岡田至崇³、曽我部東馬^1,2,3 (1.電通大i-PERC&基盤理工、2.(株)グリッド、3.東大先端研)

15:15 〜 15:30

[16p-Z23-7] 熱拡散でMg₂Si基板に作製したpn接合ダイオードの少数キャリア拡散寿命と暗電流の評価

〇水沼直樹¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院)

15:30 〜 15:45

[16p-Z23-8] リングメッシュ状電極Mg₂Siフォトダイオードの分光感度のバイアス依存性

〇市川雄大¹、宮内壮流¹、吉田美沙²、津谷大樹²、鵜殿治彦¹ (1.茨城大、2.NIMS)

15:45 〜 16:00

△ [16p-Z23-9] n⁺-AZO/p-BaSi₂太陽電池におけるZn_1-xGe_xO界面層の検討

〇山下雄大¹、北村未歩²、堀場弘司²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大、2.高エネ研)

16:00 〜 16:15

[16p-Z23-10] β-FeSi₂ pnホモ接合素子の作製と光応答特性

〇木下涼太¹、山戸一輝¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

一般セッション(ポスター講演)

[16p-P11-1~1] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2021年3月16日(火) 17:00 〜 17:50 P11 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

17:00 〜 17:50

[16p-P11-1] スパッタ成膜条件の異なる窒化銅薄膜からのヨウ素溶液法によるヨウ化銅薄膜の形成

〇畑由鶴¹、磯村雅夫¹、金子哲也¹ (1.東海大院工)

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[16a-Z23-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-Z23-1] RFスパッタ成長時の基板温度がガラス基板上BaSi₂膜の特性に与える影響

[16a-Z23-2] スパッタリング法によるB-doped BaSi₂膜の作製と評価

[16a-Z23-3] Co-sputteringによる赤外域で透明な多結晶β-FeSi₂薄膜の作製

[16a-Z23-4] β-(Fe_1-xRu_x)Si₂多結晶薄膜の作製と発光特性評価

[16a-Z23-5] メカノケミカル効果を活用した近接蒸着法によるBaSi₂成膜

△ [16a-Z23-6] As-doped n-BaSi₂膜の水素パッシベーションによる分光感度向上と第一原理計算によるミクロ構造考察

[16a-Z23-7] ポストアニールが B-doped p-BaSi₂膜の分光感度特性に与える影響

[16a-Z23-8] 低速成長したBaSi₂蒸着膜へのin situアニール効果

[16a-Z23-9] MBE 法による B-doped BaSi₂膜の熱電特性評価

[16a-Z23-10] Si濃度66.7at.%付近でのSr-Si系の相関係

[16a-Z23-11] シリサイドの体積弾性率と体積熱膨張係数

[16p-Z23-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-Z23-1] トポロジカル絶縁体 Bi₂Se₃の低温エピタキシャル成長と電気特性評価

▼ [16p-Z23-2] A New Synthesis Technique for type-II Ge Clathrate Film

▲ [16p-Z23-3] Synthesis of ternary type II clathrate films using AlGe alloy

[16p-Z23-4] 近接蒸着法によるCaGe₂成膜とゲルマナンへの変換

[16p-Z23-5] パイライト型硫化物半導体FeS₂中の水素シミュレーション

[16p-Z23-6] コアシェル量子ドットの光物性予測における第一原理計算と AI 逆設計手法の応用

[16p-Z23-7] 熱拡散でMg₂Si基板に作製したpn接合ダイオードの少数キャリア拡散寿命と暗電流の評価

[16p-Z23-8] リングメッシュ状電極Mg₂Siフォトダイオードの分光感度のバイアス依存性

△ [16p-Z23-9] n⁺-AZO/p-BaSi₂太陽電池におけるZn_1-xGe_xO界面層の検討

[16p-Z23-10] β-FeSi₂ pnホモ接合素子の作製と光応答特性

[16p-P11-1~1] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-P11-1] スパッタ成膜条件の異なる窒化銅薄膜からのヨウ素溶液法によるヨウ化銅薄膜の形成

認証

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13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-Z23-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [16a-Z23-6] As-doped n-BaSi2膜の水素パッシベーションによる分光感度向上と第一原理計算によるミクロ構造考察

[16p-Z23-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

▼ [16p-Z23-2] A New Synthesis Technique for type-II Ge Clathrate Film

▲ [16p-Z23-3] Synthesis of ternary type II clathrate films using AlGe alloy

△ [16p-Z23-9] n+-AZO/p-BaSi2太陽電池におけるZn1-xGexO界面層の検討

[16p-P11-1~1] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

認証

△ [16a-Z23-6] As-doped n-BaSi₂膜の水素パッシベーションによる分光感度向上と第一原理計算によるミクロ構造考察

△ [16p-Z23-9] n⁺-AZO/p-BaSi₂太陽電池におけるZn_1-xGe_xO界面層の検討