一般セッション(口頭講演)

[17a-Z35-1~10] 13.9 化合物太陽電池

2021年3月17日(水) 09:00 〜 11:45 Z35 (Z35)

渡辺健太郎(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[17a-Z35-1] 放射線検出器応用のためのInGaP太陽電池のアルファ線劣化評価 –Ⅱ

〇今泉充¹、奥野泰希²、佐藤真一郎³、大島武³ (1.宇宙機構、2.東北大金研、3.量研)

09:15 〜 09:30

[17a-Z35-2] 陽子線・電子線照射によるGaAsPN太陽電池の発電効率向上

〇濱本大輝¹、山根啓輔¹、新井智也¹、二村綾¹、住田泰史²、今泉充²、大島武³、若原昭浩¹ (1.豊橋技科大、2.宇宙研、3.量研)

09:30 〜 09:45

△ [17a-Z35-3] 低倍集光Ⅲ-Ⅴ族太陽電池へのLuminescent Solar Concentratorの融合による年間発電量向上

〇富澤亮太¹、佐藤大輔²、奥村健一¹、増田泰造^1,3、山田昇² (1.トヨタ自動車、2.長岡技科大、3.電気通信大)

09:45 〜 10:00

[17a-Z35-4] スペクトル分割多接合設計に対する非対称導波管結合方式の優位性

〇(M2)余佳興¹、洪性百¹、澤村信雄¹、石橋晃¹ (1.北大電子研)

10:00 〜 10:15

[17a-Z35-5] 【注目講演】人工光合成反応のための直列/並列3接合光電変換素子

〇竹田康彦¹、森川健志¹、加藤直彦¹ (1.豊田中研)

10:30 〜 10:45

[17a-Z35-6] ZnTeO 中間バンド型太陽電池のブロック層への Cl ドーピングによる効果

〇七種朗¹、齊藤勝彦¹、郭其新¹、田中徹¹ (1.佐賀大院理工)

10:45 〜 11:00

[17a-Z35-7] 連続行動型深層強化学習を用いた半透明薄型中間バンド太陽電池の3次元逆設計

〇(M2)斯波廣大^2,3、坂本克好²、山口浩一²、沈青²、岡田至崇⁴、曽我部東馬^1,2,3 (1.電通大 i-PERC、2.電通大基盤理工、3.(株)グリッド、4.東大先端研)

11:00 〜 11:15

[17a-Z35-8] 変調ドープした二段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における電圧上昇効果

渡辺航平¹、〇朝日重雄¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工)

11:15 〜 11:30

▲ [17a-Z35-9] Efficiency Compensation from Intraband Transitions of Opposite Carrier in a Quantum Dot-in-well Intermediate Band Solar Cell

〇(DC)Yaxing Zhu¹、 Shigeo Asahi¹、 Takashi Kita¹ (1.Kobe Univ.)

11:30 〜 11:45

[17a-Z35-10] 埋め込み量子構造を有する3端子構成太陽電池

〇野田武司¹、間野高明¹ (1.物材機構)

一般セッション(口頭講演)

[17p-Z35-1~12] 13.9 化合物太陽電池

2021年3月17日(水) 13:30 〜 16:45 Z35 (Z35)

赤木洋二(都城高専)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

[17p-Z35-1] Epitaxial Cu(In,Ga)Se₂太陽電池のアルカリ金属添加効果

〇西永慈郎¹、石塚尚吾¹ (1.産総研)

13:45 〜 14:00

[17p-Z35-2] EBIC法を用いたCu(In,Ga)Se₂太陽電池の評価

〇福田遼太郎¹、中田和吉¹、山田明¹ (1.東工大工)

14:00 〜 14:15

▲ [17p-Z35-3] The Advantage of Low Electron Affinity Materials as the Window Layer of Buffer-free CIGS₂ Solar Cells

〇(D)Dwinanri Egyna¹、 Kazuyoshi Nakada¹、 Akira Yamada¹ (1.Tokyo Tech)

14:15 〜 14:30

▲ [17p-Z35-4] Combined treatment of cesium fluoride as precursor and post-treatment on CIGS thin film solar cell fabricated onto sodalime glass substrates

〇Ishwor Khatri¹、 Mutsumi Sugiyama¹ (1.TUS)

14:30 〜 14:45

[17p-Z35-5] サブストレート型CdTe太陽電池線量計へのHeイオン・電子線照射の影響

〇岡本保¹、古牧郁弥¹、佐藤瑛空¹、奥野泰希²、今泉充³、秋吉優史⁴、大島武⁵、小林知洋⁶、後藤康仁⁷ (1.木更津高専、2.東北大、3.宇宙機構、4.大阪府大、5.量研、6.理研、7.京大院工)

14:45 〜 15:00

[17p-Z35-6] 真空蒸着法により作製した硫化すず薄膜の電気特性

〇大前洸斗¹、江口陽人¹、田中久仁彦² (1.釧路高専、2.長岡技科大)

15:15 〜 15:30

[17p-Z35-7] Na効果がCu₂SnS₃太陽電池の電気特性に及ぼす影響

〇(DC)金井綾香^1,3、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研、3.学振DC)

15:30 〜 15:45

[17p-Z35-8] CdS/Cu₂SnS₃界面の電子構造

〇寺田教男¹、平山拓也¹、 Chen Guanzhong¹、井出優弥¹、宮之原勇¹、大橋亮太²、荒木秀明² (1.鹿児島大、2.長岡高専)

15:45 〜 16:00

[17p-Z35-9] ファインチャネルミストCVD 法によるMo コート基板上へのCu-Sn プリカーサの堆積とCu2SnS3 薄膜の作製

〇友野巧也¹、吉久史貴¹、岡村和哉¹、田中久仁彦¹ (1.長岡技科大)

16:00 〜 16:15

[17p-Z35-10] フォトルミネッセンス観測によるCu_xSn_1-yGe_yS₃のCu/IV族比依存の検討

〇阿部司¹、田中久仁彦¹ (1.長岡技科大)

16:15 〜 16:30

[17p-Z35-11] 透過型Cu₂O太陽電池をトップセルに用いたタンデム太陽電池の研究開発

〇保西祐弥¹、芝崎聡一郎¹、中川直之¹、水野幸民¹、山崎六月¹、西田靖孝¹、山本和重¹ (1.東芝)

16:30 〜 16:45

[17p-Z35-12] CuBr_1-xI_x/ZnOナノロッド透明太陽電池の作製

〇渡辺海斗¹、森涼太¹、田中久仁彦¹ (1.長岡技科大)

一般セッション(ポスター講演)

[17p-P11-1~8] 13.9 化合物太陽電池

2021年3月17日(水) 17:00 〜 17:50 P11 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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17:00 〜 17:50

[17p-P11-1] 【注目講演】ヘテロ接合太陽電池における狭ギャップベース層のEL強度と広ギャップエミッタ層不純物濃度の相関

〇中村徹哉¹、今泉充¹、ヤンワチラークンワラーコン²、杉山正和³、秋山英文^4,5、岡田至崇³ (1.宇宙航空研究開発機構、2.東大工、3.東大先端研、4.東大物性研、5.OPERANDO-OIL)

17:00 〜 17:50

[17p-P11-2] HVPE法におけるAlInGaPの成膜とInGaPセルの高効率化

〇庄司靖¹、大島隆治¹、牧田紀久夫¹、生方映徳²、菅谷武芳¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

17:00 〜 17:50

[17p-P11-3] Cu₂SnSe₃化合物を用いたプリカーサの硫化法によるCu₂Sn(S,Se)₃薄膜太陽電池の作製

〇中嶋崇喜¹、上田彩貴¹、山口利幸¹、笹野順司²、伊﨑昌伸² (1.和歌山高専、2.豊橋技科大)

17:00 〜 17:50

[17p-P11-4] SnS太陽電池におけるバッファ層ZnOのキャップ層としての役割の検討

〇道岡黎史¹、伊能駿豪¹、中村駿介¹、草津圭那¹、滝沢康太¹、杉山睦^1,2 (1.東理大理工、2.東理大総研)

17:00 〜 17:50

[17p-P11-5] スパッタ堆積時のN₂-Ar混合ガスがSnS薄膜へ与える影響

〇伊能駿豪¹、道岡黎史¹、滝沢康太¹、草津圭那¹、中村駿介¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

17:00 〜 17:50

[17p-P11-6] Ti基板上に作製したCu(In,Ga)Se₂太陽電池の放射線照射及びヒートサイクルによる劣化耐性の検討

〇立野智也¹、屋代貴彦¹、 Ishwor Khatri²、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

17:00 〜 17:50

[17p-P11-7] Zn添加したCuGaS₂薄膜のフォトルミネッセンス評価

〇(D)金明玉¹、アーサンナズムル^1,2,3、三浦七輝^1,2、グプタアビシェーク^1,3、岡田至崇^1,2,3、イエルザッカリー⁴ (1.東大先端研、2.東大院工、3.東大教養、4.IREC)

17:00 〜 17:50

[17p-P11-8] CIGS太陽電池におけるパッシベーション構造導入の効果検討

〇上川由紀子¹、ナルドンマルコ²、柴田肇¹、石塚尚吾¹ (1.産総研、2.BGSU)

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[17a-Z35-1~10] 13.9 化合物太陽電池

[17a-Z35-1] 放射線検出器応用のためのInGaP太陽電池のアルファ線劣化評価 –Ⅱ

[17a-Z35-2] 陽子線・電子線照射によるGaAsPN太陽電池の発電効率向上

△ [17a-Z35-3] 低倍集光Ⅲ-Ⅴ族太陽電池へのLuminescent Solar Concentratorの融合による年間発電量向上

[17a-Z35-4] スペクトル分割多接合設計に対する非対称導波管結合方式の優位性

[17a-Z35-5] 【注目講演】人工光合成反応のための直列/並列3接合光電変換素子

[17a-Z35-6] ZnTeO 中間バンド型太陽電池のブロック層への Cl ドーピングによる効果

[17a-Z35-7] 連続行動型深層強化学習を用いた半透明薄型中間バンド太陽電池の3次元逆設計

[17a-Z35-8] 変調ドープした二段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における電圧上昇効果

▲ [17a-Z35-9] Efficiency Compensation from Intraband Transitions of Opposite Carrier in a Quantum Dot-in-well Intermediate Band Solar Cell

[17a-Z35-10] 埋め込み量子構造を有する3端子構成太陽電池

[17p-Z35-1~12] 13.9 化合物太陽電池

[17p-Z35-1] Epitaxial Cu(In,Ga)Se₂太陽電池のアルカリ金属添加効果

[17p-Z35-2] EBIC法を用いたCu(In,Ga)Se₂太陽電池の評価

▲ [17p-Z35-3] The Advantage of Low Electron Affinity Materials as the Window Layer of Buffer-free CIGS₂ Solar Cells

▲ [17p-Z35-4] Combined treatment of cesium fluoride as precursor and post-treatment on CIGS thin film solar cell fabricated onto sodalime glass substrates

[17p-Z35-5] サブストレート型CdTe太陽電池線量計へのHeイオン・電子線照射の影響

[17p-Z35-6] 真空蒸着法により作製した硫化すず薄膜の電気特性

[17p-Z35-7] Na効果がCu₂SnS₃太陽電池の電気特性に及ぼす影響

[17p-Z35-8] CdS/Cu₂SnS₃界面の電子構造

[17p-Z35-9] ファインチャネルミストCVD 法によるMo コート基板上へのCu-Sn プリカーサの堆積とCu2SnS3 薄膜の作製

[17p-Z35-10] フォトルミネッセンス観測によるCu_xSn_1-yGe_yS₃のCu/IV族比依存の検討

[17p-Z35-11] 透過型Cu₂O太陽電池をトップセルに用いたタンデム太陽電池の研究開発

[17p-Z35-12] CuBr_1-xI_x/ZnOナノロッド透明太陽電池の作製

[17p-P11-1~8] 13.9 化合物太陽電池

[17p-P11-1] 【注目講演】ヘテロ接合太陽電池における狭ギャップベース層のEL強度と広ギャップエミッタ層不純物濃度の相関

[17p-P11-2] HVPE法におけるAlInGaPの成膜とInGaPセルの高効率化

[17p-P11-3] Cu₂SnSe₃化合物を用いたプリカーサの硫化法によるCu₂Sn(S,Se)₃薄膜太陽電池の作製

[17p-P11-4] SnS太陽電池におけるバッファ層ZnOのキャップ層としての役割の検討

[17p-P11-5] スパッタ堆積時のN₂-Ar混合ガスがSnS薄膜へ与える影響

[17p-P11-6] Ti基板上に作製したCu(In,Ga)Se₂太陽電池の放射線照射及びヒートサイクルによる劣化耐性の検討

[17p-P11-7] Zn添加したCuGaS₂薄膜のフォトルミネッセンス評価

[17p-P11-8] CIGS太陽電池におけるパッシベーション構造導入の効果検討

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[17a-Z35-1~10] 13.9 化合物太陽電池

△ [17a-Z35-3] 低倍集光Ⅲ-Ⅴ族太陽電池へのLuminescent Solar Concentratorの融合による年間発電量向上

▲ [17a-Z35-9] Efficiency Compensation from Intraband Transitions of Opposite Carrier in a Quantum Dot-in-well Intermediate Band Solar Cell

[17p-Z35-1~12] 13.9 化合物太陽電池

▲ [17p-Z35-3] The Advantage of Low Electron Affinity Materials as the Window Layer of Buffer-free CIGS2 Solar Cells

▲ [17p-Z35-4] Combined treatment of cesium fluoride as precursor and post-treatment on CIGS thin film solar cell fabricated onto sodalime glass substrates

[17p-P11-1~8] 13.9 化合物太陽電池

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▲ [17p-Z35-3] The Advantage of Low Electron Affinity Materials as the Window Layer of Buffer-free CIGS₂ Solar Cells