〇Cuong Van Vuong¹、 Seiji Ishikawa^1,2、 Tomonori Maeda^1,2、 Hiroshi Sezaki^1,2、 Tetsuya Meguro¹、 Tadashi Sato¹、 Shin-Ichiro Kuroki¹ (1.Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University、2.Phenitec Semiconductor Corp)

11:15 〜 11:30

△ [18a-Z05-9] 界面層挿入が低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBHに与える影響

〇土井拓馬^1,2、柴山茂久¹、坂下満男¹、清水三聡²、中塚理^1,3 (1.名大院工、2.産総研・名大GaN-OIL、3.名大未来研)

11:30 〜 11:45

△ [18a-Z05-10] 4H-SiC ショットキー PNダイオードのスイッチング特性解析

〇亀和田亮¹、児島一聡²、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大学、2.産総研)

11:45 〜 12:00

△ [18a-Z05-11] 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化

〇(B)北村雄大¹、亀和田亮¹、児島一聡²、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大、2.産総研)

一般セッション(口頭講演)

[18p-Z05-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2021年3月18日(木) 13:30 〜 18:00 Z05 (Z05)

細井卓治(阪大)、竹内和歌奈(愛工大)、平井悠久(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 13:45

[18p-Z05-1] 高温動作SiC相補型JFET論理ゲートの論理閾値電圧の温度変化抑制に関する理論的検討

〇金子光顕¹、中島誠志¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

13:45 〜 14:00

△ [18p-Z05-2] Sイオン注入n型SiC層のHall効果測定によるSドナーの評価

〇(B)松岡大雅¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大工)

14:00 〜 14:15

[18p-Z05-3] 光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたSiC-MOSFET動作時の過渡的内部温度変化の可視化

〇藤本渓也¹、小柳樹¹、佐藤拓磨¹、花房宏明¹、東清一郎¹ (1.広大院先進理工)

14:15 〜 14:30

[18p-Z05-4] [講演奨励賞受賞記念講演] 水素エッチングとSiO₂堆積後の窒化処理を組み合わせた
高品質4H-SiC/SiO₂界面の形成

〇立木馨大¹、金子光顕¹、小林拓真¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

14:30 〜 14:45

△ [18p-Z05-5] 様々なボディ層ドナー密度を有する 4H-SiC(0001) pチャネルMOSFETのチャネル移動度評価

〇三上杏太¹、伊藤滉二¹、立木馨大¹、木本恒暢¹ (1.京大工)

14:45 〜 15:00

△ [18p-Z05-6] リン処理を施したSiC MOSFETにおける実効移動度のボディ電位依存性

〇(D)伊藤滉二¹、堀田昌宏^1,2、須田淳^1,2、木本恒暢¹ (1.京大院工、2.名大院工)

15:15 〜 15:30

△ [18p-Z05-7] NO窒化処理を施したSiO₂/4H-SiC(112(_)0)界面のX線光電子分光分析

〇中沼貴澄¹、細井卓司¹、染谷満²、岡本光央²、志村考功¹、渡部平司¹ (1.大阪大工、2.産総研)

15:30 〜 15:45

△ [18p-Z05-8] 高温アニールとγ線照射による4H-SiC/SiO₂窒化界面構造の変化の違い

〇(M2)佐俣勇祐¹、増永昌弘²、島明生²、桑名諒²、喜多浩之¹ (1.東大院工、2.日立製作所)

15:45 〜 16:00

▼ [18p-Z05-9] Positive V_FB shift of 4H-SiC MOS capacitors induced by Al₂O₃/SiO₂ interface dipole layer formation

〇(D)Taehyeon Kil¹、 Munetaka Noguchi²、 Hiroshi Watanabe²、 Koji Kita¹ (1.Dept. of Materials Engineering, The Univ. of Tokyo、2.Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation)

16:00 〜 16:15

△ [18p-Z05-10] 低温化によるキャリア捕獲時定数の増大に着目した4H-SiC MOS界面近傍欠陥の評価手法の検討

〇(M1)長谷川凛平¹、喜多浩之¹ (1.東京大工)

16:15 〜 16:30

△ [18p-Z05-11] 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析

〇松谷優汰¹、矢野裕司¹ (1.筑波大数物)

16:45 〜 17:00

▲ [18p-Z05-12] Considerations on competition between SiC surface nitridation and etching at SiO₂/SiC interface induced by high-temperature N₂ annealing

〇(M2)Yang Tianlin¹、 Kita Koji¹ (1.Univ. Tokyo)

17:00 〜 17:15

[18p-Z05-13] 予め高温N₂+H₂アニールを施した4H-SiC表面へのMOS形成プロセス

〇佐賀利浩¹、喜多浩之¹ (1.東大工)

17:15 〜 17:30

[18p-Z05-14] SiC 基板表面の熱酸化速度：酸素圧力依存性

〇室野優太¹、佐藤聖能¹、郡山春人¹、遠田義晴¹ (1.弘前大院理工)

17:30 〜 17:45

[18p-Z05-15] ドライおよびウェット酸化種が共存する4H-SiC/SiO₂界面での反応機構の理論検討

〇清水紀志¹、秋山亨¹、伊藤智徳¹、影島博之²、植松真司³、白石賢二⁴ (1.三重大院工、2.島根大自然科学、3.慶応大理工、4.名大未来研)

17:45 〜 18:00

[18p-Z05-16] 第一原理計算によるwet酸化SiC(000-1)/SiO₂界面の欠陥構造解析

〇(M1)綱崎夢開¹、民部優輝¹、植本光治¹、小野倫也¹ (1.神戸大工)

セッション一覧

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17a-Z28-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18a-Z05-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [18a-Z05-3] 放射光トポグラフィーによるSiC中の基底面転位の深さ評価

△ [18a-Z05-4] HClを用いたSiC CVD成長におけるステップ端の水素被覆の理論研究

△ [18a-Z05-5] 近接昇華法による4H-SiCのB,N高濃度コドーピングに関する検討

△ [18a-Z05-6] 電圧制御陽極酸化法を用いたポーラス蛍光SiCと表面パッシベーション効果についての検討

▲ [18a-Z05-8] Improve High-Temperature Reliability at 500℃ of Ni/Nb/4H-SiC Ohmic Contactwith CF4:O2 Surface Treatment