一般セッション(ポスター講演)

[22p-P05-1~4] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2022年3月22日(火) 16:00 〜 18:00 P05 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:00 〜 18:00

[22p-P05-1] Fe で部分置換した MnSi_γ 単結晶の作製と評価

〇(M1)千葉俊明¹、林慶¹、宮﨑讓¹ (1.東北大院工)

16:00 〜 18:00

[22p-P05-2] 平坦性の高いヨウ化銅薄膜の形成に向けたヨウ素化条件の検討

〇(M1)王孟陽¹、磯村雅夫¹、金子哲也¹ (1.東海大院工)

16:00 〜 18:00

[22p-P05-3] DFT+U計算によるランタノイド添加ペロブスカイトSrTiO₃の熱電物性評価

〇(BC)小野寺優太¹、村山真理子¹、玉元悠里¹、納見元久¹、趙新為¹ (1.東理大理)

16:00 〜 18:00

[22p-P05-4] イオン液体を利用した高抵抗材料の高精度キャリア易動度評価

〇(M1)柴崎剛¹、木村匠¹、山田泰裕¹、音賢一¹ (1.千葉大理)

一般セッション(口頭講演)

[23a-F308-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2022年3月23日(水) 09:00 〜 11:45 F308 (F308)

末益崇(筑波大)、原康祐(山梨大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[23a-F308-1] X線ロッキングカーブ測定によるMg₂Si基板の評価(Ⅱ)

〇梅原翼¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院)

09:15 〜 09:30

[23a-F308-2] Mg₂Si結晶のキャリア濃度と赤外吸収の関係(II)

〇土田裕大¹、水沼直樹¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院理工)

09:30 〜 09:45

[23a-F308-3] NaSiの電子状態と光学的性質

〇今井基晴¹、山田高広²、山根久典² (1.物材機構、2.東北大学)

09:45 〜 10:00

[23a-F308-4] NaAlSi単結晶の合成と物性特性評価

〇山田高広¹、平井大悟郎²、池野辺寿弥²、山根久典¹、広井善二² (1.東北大多元研、2.東大物性研)

10:00 〜 10:15

[23a-F308-5] SrSi₂の合成と物性評価Ⅱ

〇今井基晴¹、Babak Alinejad²、鵜殿治彦² (1.物材機構、2.茨城大)

10:30 〜 10:45

▲ [23a-F308-6] Synthesis and Properties of Type II Ge clathrate film on Sapphire Substrate

〇(D)Tun Naing Aye¹、Yuto Kawaura¹、Himanshu S. Jha¹、Fumitaka Ohashi¹、Tetsuji Kume¹ (1.Gifu Univ.)

10:45 〜 11:00

[23a-F308-7] CaGe₂粉末の熱処理によるGe基ナノシート束の作製

〇(M1C)関野海斗¹、志村洋介^1,2、立岡浩一¹ (1.静大院工、2.静大電研)

11:00 〜 11:15

[23a-F308-8] 液相成長法を用いて作製したMg₂Siナノシート束の微細構造

〇佐々木啓悟¹、古賀友也¹、志村洋介^1,2、立岡浩一¹ (1.静大院工、2.静大電研)

11:15 〜 11:30

[23a-F308-9] MnCl2溶融塩を用いて作成したMnSi1.7ナノシート束の微細構造

〇米田文緒¹、伊藤聖悟²、志村洋介^2,3、立岡浩一² (1.静大工、2.静大院工、3.静大電研)

11:30 〜 11:45

[23a-F308-10] ナノ結晶β-FeSi₂/Si複合薄膜のキャリア密度制御

〇(M1)城所拓海¹、松田朋大¹、勝俣裕¹ (1.明大理工)

一般セッション(口頭講演)

[23p-F308-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2022年3月23日(水) 13:15 〜 17:00 F308 (F308)

立岡浩一(静大)、山口憲司(量研機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

[23p-F308-1] 機械学習を用いたBaSi₂蒸着膜の組成比予測モデルの予測精度改善

〇上田龍斗¹、有元圭介¹、山中淳二²、原圭介¹ (1.山梨大クリスタル研、2.山梨大機器分析)

13:30 〜 13:45

[23p-F308-2] スパッタ法により作製した多結晶BaSi₂膜のポテンシャル障壁の評価

〇木戸一輝¹、小板橋嶺太¹、長谷部隼¹、召田雅実²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

13:45 〜 14:00

[23p-F308-3] スパッタ堆積時におけるB-doped BaSi₂膜の作製と評価

〇長谷部隼¹、小板橋嶺太¹、木戸一輝¹、山下雄大¹、召田雅実²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大、2.東ソー株式会社)

14:00 〜 14:15

[23p-F308-4] B-doped p-BaSi₂/n-Siヘテロ接合太陽電池へのポストアニール効果

〇成田隼翼¹、山下雄大¹、青貫翔¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

14:15 〜 14:30

[23p-F308-5] BaSi₂太陽電池の電子輸送層応用に向けたZn_1-xGe_xO_yの作製

〇高柳香織¹、山下雄大¹、青貫翔¹、成田隼翼¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

14:30 〜 14:45

[23p-F308-6] BaSi₂ヘテロ接合型太陽電池の作製に向けたNiO膜の検討

〇竹中晴紀¹、小板橋嶺太¹、長谷部隼¹、木戸一輝¹、召田雅実²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大、2.東ソー株式会社)

14:45 〜 15:00

[23p-F308-7] 低温STMによるInAs p-n接合の空乏層解析

〇鈴木恭一¹、小野満恒二²、蟹澤聖² (1.福岡工大、2.NTT物性基礎研)

15:15 〜 15:30

[23p-F308-8] BaSi₂太陽電池の限界発電効率の再検討

〇原康祐¹ (1.山梨大クリスタル研)

15:30 〜 15:45

[23p-F308-9] Si基板上BaSi₂近接蒸着膜の実効キャリア寿命

〇原康祐¹、高垣僚太¹、有元圭介¹、宇佐美徳隆² (1.山梨大クリスタル研、2.名大院工)

15:45 〜 16:00

△ [23p-F308-10] P-ion-implanted n-BaSi₂膜の太陽電池応用

〇青貫翔¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学)

16:00 〜 16:15

[23p-F308-11] リンイオン注入によるn+層の形成とMg₂Si-PDの分光感度特性

〇中村陸斗¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院)

16:15 〜 16:30

[23p-F308-12] 熱拡散でMg₂Si基板に作製したpn接合ダイオードの少数キャリア拡散寿命と暗電流の評価(II)

水沼直樹¹、〇鵜殿治彦¹ (1.茨城大院)

16:30 〜 16:45

[23p-F308-13] 時間分解顕微SHG法による有機半導体のドリフト・拡散過程の分離評価

〇永坂審平¹、間中孝彰¹、田口大¹ (1.東工大工)

16:45 〜 17:00

[23p-F308-14] Ge薄膜伝導帯下端構造の膜厚依存性：第一原理的研究

〇山内淳¹ (1.慶大理工)

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[22p-P05-1~4] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[22p-P05-1] Fe で部分置換した MnSi_γ 単結晶の作製と評価

[22p-P05-2] 平坦性の高いヨウ化銅薄膜の形成に向けたヨウ素化条件の検討

[22p-P05-3] DFT+U計算によるランタノイド添加ペロブスカイトSrTiO₃の熱電物性評価

[22p-P05-4] イオン液体を利用した高抵抗材料の高精度キャリア易動度評価

[23a-F308-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23a-F308-1] X線ロッキングカーブ測定によるMg₂Si基板の評価(Ⅱ)

[23a-F308-2] Mg₂Si結晶のキャリア濃度と赤外吸収の関係(II)

[23a-F308-3] NaSiの電子状態と光学的性質

[23a-F308-4] NaAlSi単結晶の合成と物性特性評価

[23a-F308-5] SrSi₂の合成と物性評価Ⅱ

▲ [23a-F308-6] Synthesis and Properties of Type II Ge clathrate film on Sapphire Substrate

[23a-F308-7] CaGe₂粉末の熱処理によるGe基ナノシート束の作製

[23a-F308-8] 液相成長法を用いて作製したMg₂Siナノシート束の微細構造

[23a-F308-9] MnCl2溶融塩を用いて作成したMnSi1.7ナノシート束の微細構造

[23a-F308-10] ナノ結晶β-FeSi₂/Si複合薄膜のキャリア密度制御

[23p-F308-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23p-F308-1] 機械学習を用いたBaSi₂蒸着膜の組成比予測モデルの予測精度改善

[23p-F308-2] スパッタ法により作製した多結晶BaSi₂膜のポテンシャル障壁の評価

[23p-F308-3] スパッタ堆積時におけるB-doped BaSi₂膜の作製と評価

[23p-F308-4] B-doped p-BaSi₂/n-Siヘテロ接合太陽電池へのポストアニール効果

[23p-F308-5] BaSi₂太陽電池の電子輸送層応用に向けたZn_1-xGe_xO_yの作製

[23p-F308-6] BaSi₂ヘテロ接合型太陽電池の作製に向けたNiO膜の検討

[23p-F308-7] 低温STMによるInAs p-n接合の空乏層解析

[23p-F308-8] BaSi₂太陽電池の限界発電効率の再検討

[23p-F308-9] Si基板上BaSi₂近接蒸着膜の実効キャリア寿命

△ [23p-F308-10] P-ion-implanted n-BaSi₂膜の太陽電池応用

[23p-F308-11] リンイオン注入によるn+層の形成とMg₂Si-PDの分光感度特性

[23p-F308-12] 熱拡散でMg₂Si基板に作製したpn接合ダイオードの少数キャリア拡散寿命と暗電流の評価(II)

[23p-F308-13] 時間分解顕微SHG法による有機半導体のドリフト・拡散過程の分離評価

[23p-F308-14] Ge薄膜伝導帯下端構造の膜厚依存性：第一原理的研究

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[22p-P05-1~4] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

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▲ [23a-F308-6] Synthesis and Properties of Type II Ge clathrate film on Sapphire Substrate

[23p-F308-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [23p-F308-10] P-ion-implanted n-BaSi2膜の太陽電池応用

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△ [23p-F308-10] P-ion-implanted n-BaSi₂膜の太陽電池応用