2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

2016年9月26日〜 2016年9月29日
Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan

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[PS-4-07] Enhanced Retention Characteristics in Double Gate Tunnel FET based DRAM

^○N. Navlakha¹, J. T. Lin², A. Kranti¹ (1.Indian Inst. of Tech. Indore(India), 2.National Sun Yat-Sen Univ.(Taiwan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 11:18 〜 11:21 |PDF ダウンロード

[PS-4-08] Facile Aqueous Synthesis of CeO₂ Octahedrons for Memristor Application

^○H. Du¹, B. Qu¹, T. Wan¹, J. Chen², D. Chu¹ (1.UNSW(Australia), 2.IMR, Tohoku Univ.(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 11:21 〜 11:24 |PDF ダウンロード

[PS-4-09(Late News)] Improvement of Switching Endurance of Conducting-Bridge Random Access Memory by Addition of Metal Ion-Containing Ionic Liquid

^○K. Kinoshita¹, A. Harada¹, H. Yamaoka¹, A. Sakaguchi¹, K. Watanabe¹, S. Kishida¹, Y. Fukaya¹, T. Nokami¹, T. Itoh¹ (1.Tottori Univ.(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 11:24 〜 11:27 |PDF ダウンロード

[PS-4-10(Late News)] One-Transistor Ferroelectric Versatile Memory with Multi-Level Operation

Y. C. Chiu¹,^○Y. W. Hung¹, C. C. Fan¹, C. Liu¹, W. W. Lai¹, Y. R. Chen¹, P. W. Chen², C. H. Cheng², C. Y. Chang¹, W. C. Chou¹ (1.NCTU(Taiwan), 2.National Taiwan Normal Univ.(Taiwan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 11:27 〜 11:30 |PDF ダウンロード

[PS-4-01] Enhanced Operation Characteristics in Poly-Si Nanowire Charge-Trapping Flash Memory Device with Ge Buried Channel

^○C. Cheng¹, K. S. Chang-Liao¹, H. Fang¹, C. Huang¹ (1.National Tsing Hua Univ.(Taiwan))