2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

2017年9月19日〜 2017年9月22日
Sendai International Center

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[D-2-01 (Invited)] FinFET Split-Gate MONOS for Embedded Flash in 16/14nm-node and Beyond

^○S. Tsuda¹, Y. Kawashima¹, K. Sonoda¹, A. Yoshitomi¹, T. Mihara¹, S. Narumi¹, M. Inoue¹, S. Muranaka¹, T. Maruyama¹, T. Yamashita¹, Y. Yamaguchi¹, D. Hisamoto² (1.Renesas Electronics Corp. (Japan), 2.Hitachi, Ltd. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 15:40 〜 16:10 |PDF ダウンロード

[D-2-02] P-channel Differential Multiple-Time Programmable Memory Cells by Laterally Coupled Floating Metal Gate FinFETs

^○T. -M. Wang¹, W. -Y. Chien¹, C. -L. Hsu¹, Y. -D. Chih², C. J. Lin¹, Y. -C. King¹ (1.National Tsing Hua Univ. (Taiwan), 2.Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 16:10 〜 16:30 |PDF ダウンロード

[D-2-03] In-situ formation of Hf-based MONOS structure for nonvolatile memory application

^○S. Kudoh¹, M. Tsukazaki¹, S. Ishimatsu¹, S. Ohmi¹ (1.Tokyo Tech (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 16:30 〜 16:50 |PDF ダウンロード

[D-2-04] 23% Higher Performance 2D MLC/3D TLC NAND Flash Hybrid Solid-State Drive

^○Y. Sakaki¹, T. Yamada¹, C. Matsui¹, Y. Yamaga¹, K. Takeuchi¹ (1.Chuo Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 16:50 〜 17:10 |PDF ダウンロード

[D-2-05] Read Disturb Improvement for 1znm TLC NAND Flash

^○H. -N. Yoo¹, H. Shim¹, J. -W. Kim¹, K. -H. Noh¹, H. Chang¹ (1.SK Hynix Inc. (Korea))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 17:10 〜 17:30 |PDF ダウンロード

[D-3-01 (Invited)] “More-than-Neumann” and “Beyond-Neumann” Architectures

^○T. Asai¹ (1.Hokkaido Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 09:30 〜 10:00 |PDF ダウンロード

[D-3-02] An Energy Efficient and High Speed Architecture for Convolution Computing Based on Binary RRAMs

^○C. Liu¹, R. Han¹, Z. Zhou¹, P. Huang¹, L. Liu¹, X. Liu¹, J. Kang¹ (1.Peking Univ. (China))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 10:00 〜 10:20 |PDF ダウンロード

[D-3-03] Characteristics of Crystalline Oxide Semiconductor-based Single Transistor Multiplier for Analog Neural Network

^○T. Aoki¹, S. Harada¹, Y. Okamoto¹, T. Nakagawa¹, H. Inoue¹, T. Ikeda¹, Y. Kurokawa¹, Y. Shima¹, M. Jincho¹, M. Ikeda², S. Yamazaki¹ (1.Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd. (Japan), 2.Univ. of Tokyo (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 10:20 〜 10:40 |PDF ダウンロード

[D-3-04] A Study of Validation of an Evaluation Model of Accurate Thermal Stability Factor for MTJs Using Its Thermal Dependency

^○T. Saito^1,2,3, T. Endoh^1,2,3 (1.Tohoku Univ. (Japan), 2.ACCEL, JST (Japan), 3.OPERA, JST (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 10:40 〜 10:55 |PDF ダウンロード

[D-3-05] Design of an MTJ-Oriented Nonvolatile Lookup Table Circuit with Write-Operation Minimizing

^○D. Suzuki¹, T. Hanyu¹ (1.Tohoku Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 10:55 〜 11:10 |PDF ダウンロード

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