2019 International Conference on Solid State Devices and Materials

2019年9月2日〜 2019年9月5日
Nagoya University

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[PS-10-15 (Late News)] Modeling of Embedded Split-Gate Flash Memory for Pattern Classification

^○L.R. Gan¹, C. Wang¹ (1.Fudan Univ. (China))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 11:13 〜 11:15 |PDF ダウンロード

[PS-10-16 (Late News)] [No-Show]Role of TiW Barrier Layer on Resistive Switching Characteristic of ZnO-nanorods Electrochemical Metallization Cell

^○P. Singh¹, F.M. Simanjuntak², S. Chandrasekaran¹, D. Panda³, T.Y. Tseng¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan), 2.Tohoku Univ. (Japan), 3.National Inst. of Sci. and Tech. (India))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 11:15 〜 11:17

[PS-10-17 (Late News)] The investigation of nitrogen-doped LaB₆ thin film formation on n-Si(100) substrate utilizing RF sputtering

^○K.E. Park¹, H. Kamata¹, S. Ohmi¹ (1.Tokyo Tech (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 11:17 〜 11:19 |PDF ダウンロード

[PS-11-01] Study of defects in diamond Schottky barrier diode by photocurrent and photoluminescence spectroscopy

^○J. Guo^1,2, A. Traore¹, M.H.B. Abu Bakar^1,2, T. Makino^1,2, S. Yamasaki^1,2, M. Ogura², T. Sakurai¹ (1.Univ. of Tsukuba (Japan), 2.AIST (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 10:45 〜 10:47 |PDF ダウンロード

[PS-11-02] Nanocarbon Fabrication from Pentacene using Tungsten Mesh Supported Nickel

^○A. Heya¹, R. Yamasaki², N. Matsuo¹ (1.Univ.of Hyogo (Japan), 2.Tocalo Co., Ltd. (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 10:47 〜 10:49 |PDF ダウンロード

[PS-11-03] Growth of Graphitic Carbon Layers on SiO₂ Surfaces of Silicon Nanowires

^○S.M. Wallace^1,2, T. Subramani^2,3, N. Fukata^1,2 (1.Univ. of Tsukuba (Japan), 2.NIMS (Japan), 3.Int'l Center for Young Scientists (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 10:49 〜 10:51 |PDF ダウンロード

[PS-11-04] Sub 10nm Localized Thinning of Atomic Layers Tungsten Disulfide via In-situ STEM/TEM

^○Y.T. Tseng¹, K.L. Tai¹, W.W. Wu¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 10:51 〜 10:53 |PDF ダウンロード

[PS-11-05] Optical Characterization of PbI₂Crystals Grown by Chemical Vapor Transport

^○B.C. Kuo¹, D.Y. Lin¹, H.P. Hsu², S.B. Hwang³ (1.National Changhua Univ. of Edu. (Taiwan), 2.Ming Chi Univ. of Tech. (Taiwan), 3.Chienkuo Tech. Univ. (Taiwan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 10:53 〜 10:55 |PDF ダウンロード

[PS-11-06] Influence of Dopant on Thermoelectric Properties of Si-rich Poly-Si_1-_xSn_x Layers Grown on Insulators

^○K. Sato¹, O. Nakatsuka^1,2, M. Kurosawa^1,3,4 (1.Grad. Sch. Eng., Nagoya Univ. (Japan), 2.IMaSS, Nagoya Univ. (Japan), 3.IAR, Nagoya Univ. (Japan), 4.JST-PRESTO (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 10:55 〜 10:57 |PDF ダウンロード

[PS-11-07] Hole Mobility Enhancement Observed in (110)-Oriented Strained Si

^○K. Arimoto¹, N. Utsuyama¹, S. Mitsui¹, K. Satoh¹, T. Yamada¹, J. Yamanaka¹, K.O. Hara¹, K. Sawano², K. Nakagawa¹ (1.Univ. of Yamanashi (Japan), 2.Tokyo City Univ. (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 10:57 〜 10:59 |PDF ダウンロード

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