2019 International Conference on Solid State Devices and Materials

2019年9月2日〜 2019年9月5日
Nagoya University

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[G-4-02] High-performance Transfer Printing method using Acetone Soluble Tape without adhesion promoter for Heterogeneous Integration

^○J. Zhang¹, Y.C. Wu¹, Z. Li¹, Y. Peng¹, Y.C. Zhang¹, C.F. Zhang¹, Y. Hao¹ (1.Xidian Univ. (China))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 15:45 〜 16:00 |PDF ダウンロード

[G-4-03] Low Temperature Poly-Si Junctionless TFTs with Low Temperature Cyclic Trimming Process for 3D-ICs and Low Power Applications

^○C.C-C. Chung¹, C.M. Ko¹, T.S. Chao¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 16:00 〜 16:15 |PDF ダウンロード

[G-4-04] Asymmetrical Voltage Driving for Memory Window Improvement of Flexible 1TFT-1RRAM Cells for Future Internet-of-Things Applications

^○A. Lebanov^1,2, A. Fantini¹, J. Genoe^1,2, P. Heremans^1,2, K. Myny¹ (1.imec (Belgium), 2.KU Leuven (Belgium))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 16:15 〜 16:30 |PDF ダウンロード

[G-5-01] Characteristics Variations and Reliability of CAAC-IGZO FETs

^○S. Tezuka¹, T. Takeuchi¹, H. Sawai¹, M. Kurata¹, T. Kakehata¹, K. Ikeda¹, R. Motoyoshi¹, T. Hanada¹, E. Asano¹, T. Murakawa¹, S. Yamazaki¹ (1.Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月5日(木) 09:00 〜 09:15 |PDF ダウンロード

[G-5-02] Low-temperature (150 °C) Processed Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with Hydrogenated In–Ga–Zn–O Stacked Channel

^○Y. Magari¹, M. Aman¹, D. Koretomo¹, K. Masuda¹, K. Shimpo¹, M. Furuta^1,2 (1.Kochi Univ. of Tech. (Japan), 2.Center for Nanotech. (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月5日(木) 09:15 〜 09:30 |PDF ダウンロード

[G-5-03] Analyzing the effect of Rapid Thermal Annealing on Mg-doped ZnO EIS Structure Membrane for Na⁺ and K⁺ Sensing

^○C.F. Lin¹, C.H. Kao^1,2,3, K.L. Chen¹, Y.H. Lin¹, C.Y. Lin² (1.Chang Gung Univ. (Taiwan), 2.Chang Gung Memorial Hospital (Taiwan), 3.Ming Chi Univ. of Technology (Taiwan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月5日(木) 09:30 〜 09:45 |PDF ダウンロード

[G-5-04] 5291-ppi OLED Display using CAAC-IGZO FET with Channel Length of 60 nm

^○H. Kobayashi¹, S. Katsui¹, T. Nakagawa¹, Y. Tamatsukuri¹, H. Shishido¹, S. Uesaka¹, R. Yamaoka¹, T. Nagata¹, T. Aoyama¹, Y. Okazaki¹, T. Ikeda¹, S. Yamazaki¹ (1.Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月5日(木) 09:45 〜 10:00 |PDF ダウンロード

[G-5-05] Roll-to-toll Growth of Ga-doped ZnO Transparent Conducting Films by Using Plasma-assisted Molecular Beam Deposition

^○T. Muranaka¹, Y. Tsuchiya¹, T. Aoki¹, N. Onojima¹, T. Matsumoto¹, S. Hiraki², H. Kono³, K. Kijima³, S. Hagihara³ (1.Univ. of Yamanashi (Japan), 2.Nakaya Corp. (Japan), 3.Yamanashi Indus. Tech. Center (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月5日(木) 10:00 〜 10:15 |PDF ダウンロード

[G-6-01 (Invited)] Controlled CVD Growth of High-Quality 2D Materials and Their Heterostructures for Device Applications

^○H. Ago¹ (1.Kyushu Univ. (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月5日(木) 10:30 〜 11:00 |PDF ダウンロード

[G-6-02 (Invited)] Epitaxial bridging with nanocluster assisted film growth under the mesoplasma condition

^○M. Kambara¹, R. Yamada¹, H. Yamada¹ (1.Univ. of Tokyo (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月5日(木) 11:00 〜 11:30 |PDF ダウンロード

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