2019 International Conference on Solid State Devices and Materials

2019年9月2日〜 2019年9月5日
Nagoya University

検索条件
検索フィルタ

検索条件

フリーワード
タイトル
発表者、著者・共著者
所属

検索条件

設定なし

検索フィルタ

この条件でさらに絞り込みできます。

発表者、著者・共著者

なし

所属

なし

779件中(551 - 560)

[PS-1-12] A Junctionless SOI FET with Channel Thinning by Ion Implantation (CTIFET) and its application to 6T-SRAM Cell

^○P.K. Huang¹, H.Y. Chen¹, S.J. Wang^1,2, R.M. Ko², Y.C. Huang¹, M.H. Chiang¹ (1.Dept. of Electrical Eng., National Cheng Kung Univ. (Taiwan), 2.College of Electrical Eng. and Computer Sci., National Cheng Kung Univ. (Taiwan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 13:00 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[PS-1-13] Theoretical Investigation of Performance Improvement in GeSn/SiGeSn TFET withDouble Type-II Staggered Heterojunction

^○Y. Xu¹, H. Wang¹, G. Han¹, Y. Liu¹, Y. Hao¹ (1.Xidian Univ. (China))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 13:00 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[PS-1-14] Novel Multi-Flux Device Simulation Method Applied to 2DEG Analyses- Drift Diffusion with subbands -

K. Fukuda¹, J. Hattori¹,^○ H. Asai¹, T. Ikegami¹ (1.AIST (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 13:00 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[PS-1-15] Scalability and V_th Sensitivity Assessment of Core-Shell Junctionless MOSFET

^○N. Jaiswal¹, A. Kranti¹ (1.Indian Institute of Technology Indore (India))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 13:00 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[PS-1-16] Impact of Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Material on Monolayer Black Phosphorus Transistor for Negative Capacitance and Memory Application

^○K.-T. Chen¹, Y.-F. Chung¹, Y.-T. Tang³, M.-H. Lee², S.-T. Chang¹ (1.National Chung Hsing Univ. (Taiwan), 2.National Taiwan Normal Univ. (Taiwan), 3.Taiwan Semiconductor Research Institute (TSRI) (Taiwan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 13:00 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[PS-1-17] Calculation of interfacial energy for design of phase change materials

^○Y. Kim¹, M. Choi², H. Choi³, J. Ahn² (1.KIST (Korea), 2.Univ. of Hanyang (Korea), 3.Univ. of Cologne (Korea))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 13:00 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[PS-1-18] Memory window and retention time of double back gate Z²-FET

^○Y. Kim¹, S. Kwon², F. Gamiz³, P. Galy⁵, S. Cristolovenau⁴ (1.KIST (Korea), 2.Univ. of Hanyang (Korea), 3.Univ. of Granada (Spain), 4.INPG (France), 5.STMicron (France))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 13:00 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[PS-1-19 (Late News)] Extremely low temperature selective epitaxial processes for advanced CMOS applications

A. Hikavyy¹,^○C. Porret¹, E. Rosseel¹, P. Favia¹, R. Loo¹ (1.imec (Belgium))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 13:00 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[PS-1-20 (Late News)] Experiment and Modeling of Dynamical Hysteresis in thin film Ferroelectrics

^○P. Chang¹, Y. Zhang¹, G. Du¹, X. Liu¹ (1.Peking Univ. (China))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 13:00 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[PS-1-21 (Late News)] Circuit speed oriented device design scheme for double gate hetero tunnel FETs

K. Fukuda^1,2, N. Nogami², S. Kunisada²,^○Y. Miyamoto² (1.AIST (Japan), 2.Tokyo Tech (Japan))

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials |2019年9月4日(水) 13:00 〜 15:00 |PDF ダウンロード

779件中(551 - 560)