2023 International Conference on Solid State Devices and Materials

2023年9月5日〜 2023年10月31日
Nagoya Congress Center

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[M-4-03] Seed-layer driven solid phase epitaxy of amorphous Ge ₁₋ _xSn _x layers on Si(001) substrates toward in-plane strain control

^○Tatsuma Hiraide¹, Masashi Kurosawa¹, Shigehisa Shibayama¹, Mitsuo Sakashita¹, Osamu Nakatsuka¹ (1. Nagoya Univ. (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月7日(木) 11:15 〜 11:30 |PDF ダウンロード

[M-4-04] Various Metal Contacts on Polycrystalline Ge with Amorphous Interlayer Formed by ZrN Sputter-Deposition

^○Kenta Moto¹, Kaoru Toko², Tomonari Takayama¹, Takamitsu Ishiyama², Keisuke Yamamoto¹ (1. Kyushu Univ. (Japan), 2. Univ. of Tsukuba (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月7日(木) 11:30 〜 11:45 |PDF ダウンロード

[M-4-05] Giant thermoelectric power of n-type Si ₁₋ _xSn _x layers grown on FZ-Si(001) substrates

^○Tatsuki Oiwa¹, Shigehisa Shibayama¹, Mitsuo Sakashita¹, Osamu Nakatsuka¹, Takayoshi Katase², Masashi Kurosawa¹ (1. Nagoya Univ. (Japan), 2. Tokyo Tech. (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月7日(木) 11:45 〜 12:00 |PDF ダウンロード

[M-6-01] Bayesian Optimization of Polycrystalline III-V Compound Semiconductors Films for Thermoelectric Applications

^○Takamitsu Ishiyama^1,2, Koki Nozawa¹, Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko¹ (1. Univ. of Tsukuba (Japan), 2. JSPS Res. Fellow (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月8日(金) 10:45 〜 11:00 |PDF ダウンロード

[M-6-02] Near-infrared Photoresponsivity of Polycrystalline InGaAs Films for Flexible Multi-junction Solar Cells

^○Takeshi Nishida^1,2, Takashi Suemasu², Kaoru Toko² (1. AIST (Japan), 2. Univ. of Tsukuba (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月8日(金) 11:00 〜 11:15 |PDF ダウンロード

[M-6-03] Ab Initio Study for Adsorption-Desorption Behavior on AlN(0001) Surface with Steps and Kinks

^○Toru Akiyama¹, Takahiro Kawamura¹ (1. Mie University (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月8日(金) 11:15 〜 11:30 |PDF ダウンロード

[M-6-04] Investigation of precipitation conditions of perovskite crystals into widegap semiconductor nanotrench structures

^○Tomoaki Momma¹, Akihiko Kikuchi^1,2,3 (1. Sophia Univ. (Japan), 2. Sophia Photonics Reserch Center (Japan), 3. Sophia Semiconductor Reserch Institute (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月8日(金) 11:30 〜 11:45 |PDF ダウンロード

[M-6-05] Manipulation of Local Band Alignment Distribution by Controlling the Stacking Sequence in Dipole Layer at Perovskite Oxide Interface Characterized by Conductive AFM

^○Atsushi Tamura¹, Takashi Onaya², Koji Kita^1,2 (1. Dept. of Materials Engineering, Univ. of Tokyo (Japan), 2. Dept. of Advanced Materials Science, Univ. of Tokyo (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月8日(金) 11:45 〜 12:00 |PDF ダウンロード

[M-7-01] Theoretical Study of the Gas-Phase Reaction of Hexachlorodisilane by Thermodynamic Analysis and Kinetics Calculation

^○Tomoya Nagahashi^1,2, Hajime Karasawa², Ryota Horiike², Kenji Shiraishi^1,3 (1. Nagoya Univ. (Japan), 2. KOKUSAI ELECTRIC (Japan), 3. IMaSS (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月8日(金) 13:30 〜 13:45 |PDF ダウンロード

[M-7-02] Formation of b–FeSi ₂ NDs by SiH ₄–Exposure to Fe–NDs

^○Haruto Saito¹, Katsunori Makihara¹, Noriyuki Taoka², Seiichi Miyazaki¹ (1. Nagoya Univ. (Japan), 2. Aichi Institute of Tech. (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月8日(金) 13:45 〜 14:00 |PDF ダウンロード

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