一般セッション(口頭講演)

[18p-C1-1~13] 13.2 半導体表面

2013年9月18日(水) 13:00 〜 16:30 C1 (TC3 1F-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:15

[18p-C1-1] Si(110)-(16×2)のさまざまな安定表面構造

^○山崎隆浩¹，加藤弘一²，宇田毅³，大野隆央^1,4 (物材機構¹，東芝R&Dセンター²，アスムス³，東大生研⁴)

13:15 〜 13:30

[18p-C1-2] Siのドーパントの水素による不動態化のEUPSによる観測

石塚知明¹，^○富江敏尚¹，金山敏彦² (産総研　計測フロンティア¹，産総研²)

13:30 〜 13:45

[18p-C1-3] 255eV光励起のEUPSで観測されるSiウエハーのサテライトスペクトル

石塚知明，^○富江敏尚 (産総研　計測フロンティア)

13:45 〜 14:00

[18p-C1-4] Si(111)表面へのNiイオン照射過程のリアルタイムSTM観察

^○武良光太郎¹，神岡武文²，木谷哲¹，今津研太¹，渡邉孝信¹ (早大理工¹，豊田工大²)

14:00 〜 14:15

[18p-C1-5] Si(100)表面平坦化によるMOSダイオードの電気特性に関する検討

^○工藤聡也，韓大熙，大見俊一郎 (東工大総理工)

14:15 〜 14:30

▲ [18p-C1-6] Investigation of Si(110) surface roughness on MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering

^○Dae-Hee Han，Shun-ichiro Ohmi (東工大)

休憩　（14:30 〜 14:45）

14:45 〜 15:00

△ [18p-C1-7] ゲルマニウム表面の水分吸着量の評価

^○樫原宏明，鈴木仁，高萩隆行，坂上弘之 (広島大・先端研)

15:00 〜 15:15

[18p-C1-8] シリコン表面複合汚染挙動解析法

小野伸賢，中込健，桜井あゆみ，^○羽深等 (横国大院工)

15:15 〜 15:30

△ [18p-C1-9] 化学的転写法を用いた極低反射Si表面の創製

^○入鹿大地，今村健太郎，小林光 (阪大産研)

15:30 〜 15:45

△ [18p-C1-10] Pd触媒を用いたSiの気相エッチングと貫通孔形成

^○（M1）川口遼馬，原田隆史，池田茂，松村道雄 (阪大太陽エネ化学研セ)

15:45 〜 16:00

[18p-C1-11] 枚葉式湿式洗浄機におけるシリコン酸化膜エッチング速度モデル

^○水野浩輔¹，大橋新太郎¹，羽深等¹，木下哲男² (横国大院工¹，プレテック²)

16:00 〜 16:15

[18p-C1-12] バッチ式シリコンウエハ湿式洗浄機における水噴出ノズル設計

^○小野伸賢¹，羽深等¹，後藤昭広² (横国大院工¹，プレテック²)

16:15 〜 16:30

[18p-C1-13] CMP装置における表面帯電の膜質影響

^○石橋知淳，塩川陽一，渡辺和英 (荏原製作所)

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