〇(D)Patel Ritesh¹、 Tainosho Takeshi¹、 Hisamatsu Yuki¹、 Sharmin Sonia¹、 Yanagihara Hideto¹、 Kita Eiji¹ (1.Institute of Applied Physics, University of Tsukuba)

14:15 〜 14:30

▲ [21p-H103-5] Influence of NO doping on the properties of ZnO thin films on a-plane sapphire
grown by catalytic-reaction-assisted chemical vapor deposition

〇安井寛治¹、渡邊航大¹、田島諒一¹、石塚侑己¹、大橋優樹¹、玉山泰宏¹ (1.長岡技科大)

14:30 〜 14:45

▲ [21p-H103-6] Controlling material ratio and gradient of mixed lead halide films for tandem solar cell fabrication

〇(D)Stecker Chandler Collin¹、 Ono Luis K.¹、 Qi Yabing¹ (1.OIST)

14:45 〜 15:00

▲ [21p-H103-7] An effective approach to synthesize monolayer tungsten disulfide crystals using tungsten hexachloride

〇(D)Thangaraja Amutha¹、 Shinde Sachin¹、 Kalita Golap¹、 Tanemura Masaki¹ (1.Nagoya Inst.Technol.)

15:15 〜 15:30

[21p-H103-8] SrTiO₃(110)上に成膜したBiFeO₃薄膜及び人工超格子の結晶構造解析及び電気的磁気的特性

〇松山裕貴¹、稲葉隆哲¹、大島佳祐¹、王春¹、張琦¹、渡部雄太¹、宋華平¹、橋本拓也²、永田知子¹、山本寛¹、岩田展幸¹ (1.日大理工、2.日大文理)

15:30 〜 15:45

[21p-H103-9] H₂O添加成膜したIn-Ga-O半導体薄膜の特性

〇西村英一郎¹、森本敏夫¹、中山徳行¹、松村文彦¹、白木真菜¹、清水耕作²、大野祐樹²、田中聡² (1.住友金属鉱山株式会社、2.日本大学)

15:45 〜 16:00

[21p-H103-10] HfO₂/SiO_X/Si構造におけるC-V特性のアニール温度依存性

〇(M1)上岡聡史¹、三宅省三¹、堀田育志¹、新船幸二¹、佐藤真一¹ (1.兵庫県立大学)

16:00 〜 16:15

[21p-H103-11] プローバーコンパチ非破壊電気コンタクトプローブ

〇吉武道子¹、柳生進二郎¹、知京豊裕¹ (1.物質・材料研究機構)

16:15 〜 16:30

[21p-H103-12] 【注目講演】水素前方散乱測定を用いたBaH₂のヒドリドイオン電界応答観察水素前方散乱測定を用いたBaH₂のヒドリドイオン電界応答観察

〇大口裕之^1,2,3、齋藤正裕⁴、佐藤豊人⁵、桑野博喜¹、折茂慎一^5,6、一杉太郎^6,7 (1.東北大院工、2.東北大μSIC、3.東北大NICHe、4.東レリサーチセンター、5.東北大金研、6.東北大AIMR、7.東工大)

16:30 〜 16:45

[21p-H103-13] Ce₂O₂Biエピタキシャル薄膜における金属絶縁体転移

〇柴田峻佑¹、清良輔^1,2、福村知昭²、長谷川哲也¹ (1.東大院理、2.東北大院理)

16:45 〜 17:00

[21p-H103-14] (100)配向ScN薄膜の光・電気特性

〇大垣武¹、坂口勲¹、大橋直樹¹、羽田肇¹ (1.物材機構)

17:15 〜 17:30

[21p-H103-15] オンデマンド赤外線透過率-導電率同時切替デバイスの作製

〇片瀬貴義¹、遠藤賢司²、太田裕道¹ (1.北大電子研、2.北大院情報科学)

17:30 〜 17:45

[21p-H103-16] VO₂薄膜のサーモクロミズムによる熱ふく射の波長制御

〇室井直人¹、名村今日子¹、鈴木基史¹ (1.京大院工)

17:45 〜 18:00

[21p-H103-17] TiO₂光学薄膜の結晶構造と機械的特性 (Ⅱ)

〇竹上真司¹、椎名赳智¹、室谷裕志¹、勝俣力² (1.東海大工、2.(株)パルメソ)

18:00 〜 18:15

[21p-H103-18] 複合成膜装置によるアクリル基板上へ形成した光学薄膜の密着性

〇田島直弥¹、室谷裕志¹、松本繁治²、本多博光² (1.東海大工、2.(株)シンクロン)

18:15 〜 18:30

[21p-H103-19] ニオブとチタンの複合酸化物光学薄膜における光学特性の評価 (2)

〇宮川とも子¹、室谷裕志¹ (1.東海大工)

18:30 〜 18:45

[21p-H103-20] CeO₂光学薄膜の成膜手法の検討 (Ⅱ)

〇成田彩希¹、室谷裕志¹、天野辰次²、岡茂樹² (1.東海大工、2.（株）ニデック)

18:45 〜 19:00

[21p-H103-21] エレクトロクロミック特性を有するニッケル化合物の水蒸気を原料とした高速反応性スパッタリング

〇奈良井哲¹、若松央暉²、山内駿²、釘宮敏洋¹、阿部良夫² (1.神戸製鋼所、2.北見工大)

一般セッション(ポスター講演)

[22a-P5-1~18] 6.4 薄膜新材料

2016年3月22日(火) 09:30 〜 11:30 P5 (屋内運動場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[22a-P5-1] hcp構造を有するNi膜の成長と熱処理の影響

〇池之上卓己¹、上野仁希¹、小森祥央²、掛谷一弘²、三宅正男¹、平藤哲司¹ (1.京大院エネ科、2.京大院工)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-2] SmFe₇及びSmFe₇N_xエピタキシャル薄膜の結晶磁気異方性

〇楠森毅¹、藤田麻哉¹、尾崎公洋¹ (1.産総研中部)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-3] パラジウム基板(001)上のニッケル超薄膜の磁性

〇(M1)有本昌平¹、クリューガーピーター¹ (1.千葉大院)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-4] [(CaFeOx)n/(LaFeO3)n]m {m=14 for n=3,5,7 and (m,n)=(98,1),(33,3),(20,5)}人工超格子の精密な堆積量制御手法の開発及び結晶構造解析

〇大橋祥平¹、大島佳祐¹、松山裕貴¹、稲葉隆哲¹、渡部雄太¹、王春¹、張琦¹、宋華平¹、橋本拓也²、高瀬浩一¹、永田知子¹、山本寛¹、岩田展幸¹ (1.日大理工、2.日大文理)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-5] MoSi2-Si複合体薄膜の電気伝導機構

〇下薗宏祐¹、木谷遼介¹、佐藤祐喜¹、吉門進三¹ (1.同志社大理工)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-6] オクタデシルホスホン酸の自己組織化単分子膜の作製と評価

〇馬場稔也¹、ニエヘンヨン²、山本伸一¹ (1.龍谷大理工、2.Univ. of Western Ontario)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-7] 交流インピーダンス法による酸化物薄膜の伝導性評価

〇(B)山口雅仁¹、井上貴明¹、佐藤智也¹、内山潔¹ (1.鶴岡高専)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-8] スピンコートによるLaNiO₃薄膜の微構造制御

〇(B)熊谷佳郎¹、内山潔¹ (1.鶴岡高専)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-9] 大気開放型CVD法によるNb:TiO₂/SUS304構造体の合成

〇菊田剛史¹、小林望¹、小松啓志¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技科大)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-10] RFマグネトロンスパッタリング法によるBiVO₄薄膜作製

〇馬場稔也¹、小漆間拓人¹、西谷幹彦²、山本伸一¹ (1.龍谷大理工、2.大阪大学)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-11] II型Siクラスレート薄膜におけるフッ化水素酸処理および物性評価

〇浦野和俊¹、上原康暉¹、浅野友紀¹、大橋史隆¹、久米徹二¹、伴隆幸¹、野々村修一¹ (1.岐大工)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-12] TiO₂を複合化したCu₂O光電極の水還元反応の安定性評価

〇西川雅美¹、福田真之¹、野坂芳雄¹、中島智彦²、土屋哲男²、齊藤信雄¹ (1.長岡技大、2.産総研)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-13] RFスパッタ法を用いたIGZO薄膜の作製とTFT応用

〇(B)高橋崇典¹、門脇圭佑¹、佐藤智也¹、井上貴明¹、熊谷佳郎¹、宝賀剛¹、内山潔¹ (1.鶴岡高専)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-14] スパッタリングを用いて作製したMn添加ZnO薄膜の評価

〇箕輪直輝¹、那須菜穂¹、張宇¹、趙新為¹ (1.東理大理)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-15] 超音波噴霧法によるシリコン酸化膜の低温成膜

〇香取重尊¹、平松考樹¹、永幡正憲¹、織田真也²、人羅俊実² (1.津山高専、2.株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-16] 非熱平衡二次元プラズマを利用した酸化スズ薄膜の形成

〇堀水懸登¹、金指翔大¹、増田優貴¹、奥谷昌之^1,2 (1.静岡大院工、2.静岡大グリーン研)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-17] エアロゾルデポジション法による多孔質酸化物膜の作製

〇(B)井上貴明¹、志藤泰紀¹、佐藤智也¹、明渡純²、内山潔¹ (1.鶴岡高専、2.産総研)

09:30 〜 11:30

[22a-P5-18] キレートフレーム法で合成したY₂O₃膜とEr₂O₃膜の断面観察

〇淡焱鑫¹、中村淳^1,2、小松啓志¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技科大、2.中部キレスト)

一般セッション(口頭講演)

[22p-H103-1~8] 6.4 薄膜新材料

2016年3月22日(火) 13:00 〜 15:00 H103 (本館)

篠田健太郎(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:00 〜 13:15

[22p-H103-1] SOI基板を用いたSi(100)上の複合面方位CeO₂領域間の完全分離

〇井上知泰¹、信田重成¹ (1.いわき明星大科学技術)

13:15 〜 13:30

[22p-H103-2] 強磁場スパッタ法によるマンガン窒化物薄膜の作製

〇松本利希¹、川口昂彦¹、畑野敬史¹、原田俊太¹、飯田和昌¹、宇治原徹¹、生田博志¹ (1.名大工)

13:30 〜 13:45

[22p-H103-3] ガルバノ走査型PLD装置の開発とターゲットの打ち分けによる2元組成薄膜の高速成膜

〇丸山伸伍¹、山王堂尚輝¹、原田龍馬¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

13:45 〜 14:00

[22p-H103-4] アブレーション化学種と雰囲気ガスの反応が
ハイドロキシアパタイト薄膜の表面形態とCa/P 比に及ぼす影響

〇長谷川司¹、橋本典也²、西川博昭³ (1.近大院生物理工、2.大阪歯科大、3.近大生物理工)

14:00 〜 14:15

[22p-H103-5] NbO₂テンプレート層を用いた、PLD法によるTaO₂薄膜の作製

〇村岡祐治^1,2、藤本佑樹¹、亀岡美咲²、松浦由佳²、砂川正典¹、寺嶋健成¹、脇田高徳¹、横谷尚睦^1,2 (1.岡山大院自然科学、2.岡山大理界面)

14:15 〜 14:30

[22p-H103-6] 前駆体溶液への非平衡プラズマ照射によるTiO₂膜の作製

増田優貴¹、〇堀水懸登¹、丹祐人¹、金指翔大¹、奥谷昌之^1,2 (1.静岡大院工、2.静岡大グリーン研)

14:30 〜 14:45

[22p-H103-7] 全ALD構成水蒸気ハイバリア膜～膜構成とバリア性の関係～

〇座間秀昭¹、本田和広¹ (1.アルバック超材研)

14:45 〜 15:00

[22p-H103-8] 室温において封止スペース内に形成したSiO₂ 接着層の封止性

〇歸山敏之

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[21a-H103-1~10] 6.4 薄膜新材料

△ [21a-H103-5] 一軸加圧下熱処理による非晶質酸化モリブデン薄膜の固相結晶化

△ [21a-H103-6] ペチーニ法で作製した粉末によるBi過剰Bi1.2FeOxターゲットを用いたBiFeO3薄膜の作製と評価

△ [21a-H103-7] 塗布光照射法における酸化スズ膜結晶化過程のナノ秒温度計測

△ [21a-H103-8] 深紫外LEDのためのITO/Ga2O3多層膜透明電極の検討

△ [21a-H103-9] EuドープNiOエピタキシャル薄膜の室温作製と特性評価

△ [21a-H103-10] ソフト化学的Li挿入によるアナターゼ型TaONへのキャリアドープ

[21p-H103-1~21] 6.4 薄膜新材料

▼ [21p-H103-1] Flux-mediated epitaxy growth of ferroelectric relaxor Bi-based for high-temperature functional capacitors

▼ [21p-H103-2] Measures for mitigating environmental degradation of Two Dimensional Hafnium Disulfide Field Effect Transistors

▼ [21p-H103-3] Laser modification of TiO2 thin films for applications in photovoltaics.

▲ [21p-H103-4] Thickness dependence of epitaxially grown cobalt ferrite (111) thin films onsapphire (0001) substrate using RF sputtering

▲ [21p-H103-5] Influence of NO doping on the properties of ZnO thin films on a-plane sapphiregrown by catalytic-reaction-assisted chemical vapor deposition

▲ [21p-H103-6] Controlling material ratio and gradient of mixed lead halide films for tandem solar cell fabrication

▲ [21p-H103-7] An effective approach to synthesize monolayer tungsten disulfide crystals using tungsten hexachloride

[22a-P5-1~18] 6.4 薄膜新材料

[22p-H103-1~8] 6.4 薄膜新材料

認証

△ [21a-H103-6] ペチーニ法で作製した粉末によるBi過剰Bi_1.2FeO_xターゲットを用いたBiFeO₃薄膜の作製と評価

△ [21a-H103-8] 深紫外LEDのためのITO/Ga₂O₃多層膜透明電極の検討

▼ [21p-H103-3] Laser modification of TiO₂ thin films for applications in photovoltaics.

▲ [21p-H103-4] Thickness dependence of epitaxially grown cobalt ferrite (111) thin films on
sapphire (0001) substrate using RF sputtering

▲ [21p-H103-5] Influence of NO doping on the properties of ZnO thin films on a-plane sapphire
grown by catalytic-reaction-assisted chemical vapor deposition