[G-6-02] A 28nm High- k/Metal-gate Symmetric 10T 2RW Dual-port SRAM bitcell design

T. Y. Lu¹, C. H. Huang¹, S. S. Chen¹, Y. T. Kuo¹, C. C. Lung¹, O. Cheng¹, Y. Ishii², M. Tanaka², M. Yabuuchi², Y. Sawada², S. Tanaka²,^○K. Nii² (1.United Microelectronics Corp. (Taiwan), 2.Renesas Electronics Corp. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 11:45 〜 12:05 |PDF ダウンロード

[G-6-03] Fully Digital Ternary Content Addressable Memory using Ratio-less SRAM Cells and Hierarchical-AND Matching Comparator for Ultra-low-voltage Operation

^○D. Nishikata¹, M. A. Bin Mohd Ali¹, K. Hosoda¹, H. Matsumoto¹, K. Nakamura¹ (1.Kyushu Inst. of Tech. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 12:05 〜 12:25 |PDF ダウンロード

[G-7-01 (Invited)] QZSS Short Message Synchronized SS-CDMA Communication

^○S. Kameda¹, K. Ohya¹, H. Oguma², N. Suematsu¹ (1.Tohoku Univ. (Japan), 2.National Inst. of Tech., Toyama College (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 13:40 〜 14:10 |PDF ダウンロード

[G-7-02] High Volume Testing and Calibration Technique of CMOS Analog Circuits for System-on-Chips and Microprocessors

^○T. Oshita¹, J. Douglas¹, A. Krishnamoorthy¹ (1.Intel Corp. (USA))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 14:10 〜 14:30 |PDF ダウンロード

[G-7-03] A Temperature Monitor Circuit with Small Voltage Sensitivity using a Topology Reconfigurable Ring Oscillator

^○T. Kishimoto¹, T. Ishihara¹, H. Onodera¹ (1.Kyoto Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 14:30 〜 14:50 |PDF ダウンロード

[G-8-01 (Invited)] Open Innovation of CMOS-MEMS Integrated Devices by Open Facility

^○Y. Mita¹ (1.Univ. of Tokyo (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 15:10 〜 15:40 |PDF ダウンロード

[G-8-02] A Capacitive Sensor Circuit Based on Relaxation Oscillator for Sub-1mG MEMS Inertial Sensors

^○M. Takayasu¹, S. Dosho¹, H. Ito¹, D. Yamane¹, T. Konishi^1,2, K. Machida¹, N. Ishihara¹, K. Masu¹ (1.Tokyo Tech (Japan), 2.NTT Adv. Tech. Corp. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 15:40 〜 16:00 |PDF ダウンロード

[G-8-03] A 120dBΩ 16MHz Pseudo Differential CMOS Analog Front End Circuit for Optical Probe Current Sensor

^○T. Uekura¹, K. Oyanagi, M. Sonehara¹, T. Sato¹, K. Miyaji¹ (1.Shinshu Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 16:00 〜 16:20 |PDF ダウンロード

[H-1-01 (Invited)] Nanocarbon application including interconnects and thermal interface materials

^○D. Kondo¹, S. Sato¹, T. Iwai¹, N. Yokoyama¹ (1.Fujitsu Labs. Ltd. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 13:30 〜 14:00 |PDF ダウンロード

[H-1-02] Moisture Barrier Properties of Single-Layer Graphene Deposited on Cu Films for Cu Metallization

^○P. Gomasang¹, T. Abe¹, K. Kawahara², Y. Wasai³, N. Nabatova-Gabain³, N. T. Cuong⁴, H. Ago², S. Okada⁵, K. Ueno^1,6 (1.Shibaura Inst. of Tech. (Japan), 2.Kyushu Univ. (Japan), 3.Horiba Ltd. (Japan), 4.NIMS (Japan), 5.Univ. of Tsukuba (Japan), 6.SIT Res. Center for Green Innov. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 14:00 〜 14:15 |PDF ダウンロード