一般セッション(口頭講演)

[28a-B9-1~11] 9.3 ナノエレクトロニクス

2013年3月28日(木) 10:00 〜 13:00 B9 (K2号館 4F-1407)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[28a-B9-1] 量子ドット単電子ネットワーク内の電子移動解析 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○藤野啓基，大矢剛嗣 (横国大院工)

[28a-B9-2] 単電子ドミノ論理回路の応用展開 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○（B）大竹央将，栗山栄太郎，大矢剛嗣 (横国大工)

[28a-B9-3] アリの群行動に学ぶ単電子情報処理 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○（B）小尾勇志，大矢剛嗣 (横国大工)

[28a-B9-4] 超機能性微粒子を用いたナノ領域の電気特性 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○板倉聡之¹，浦岡行治²，山下一郎³，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，奈良先端大²，ATRL Panasonic³)

[28a-B9-5] ▼Thermoelectricity in Ni Nanocontact (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○（D）See Kei Lee，山田亮，夛田博一 (阪大院基礎工)

[28a-B9-5.1] 休憩(15分)

[28a-B9-6] 分子定規無電解金メッキ法(MoREP)によるナノギャップ電極の断面観察 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○武下宗平^1,2，Victor Serdio^1,2，寺西利治^2,3，真島豊^1,2 (東工大応セラ研¹，CREST-JST²，京大化研³)

[28a-B9-7] ▲Aluminum Oxide Passivated Chemically Assembled Single-Electron Transistors (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○Guillaume Hackenberger^1,2，東康男^1,2，武下宗平^1,2，松崎功佑¹，須崎友文¹，田中大介^2,3，坂本雅典^2,4，寺西利治^2,4，真島豊^1,2 (東工大応セラ研¹，CREST-JST²，筑波大院数理³，京大化研⁴)

[28a-B9-8] ボトムアップ単電子トランジスタによる2-bit A/Dコンバータ (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○青山詠樹^1,2，東康男^1,2，武下宗平^1,2，Guillaume Hackenberger^1,2，田中大介^2,3，坂本雅典^2,4，寺西利治^2,4，真島豊^1,2 (東工大応セラ研¹，CREST-JST²，筑波大院数理³，京大化研⁴)

[28a-B9-9] チオール基を有するオリゴフェニレンエチニレン誘導体保護Auナノ粒子の統計的スイッチ現象 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○加納伸也^1,2，Hyunmo Koo³，田中大介^2,4，坂本雅典^2,5，寺西利治^2,5，真島豊^1,2,3 (東工大応セラ研¹，CREST-JST²，スンチョン大³，筑波大院数理⁴，京大化研⁵)

[28a-B9-10] ▲Room Temperature Memory Operation in a Solid-State Device based on　Thiol-Functionalized Oligo(Phenylene-Ethynylene)-Protected Gold Nanoparticles (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○Hurtado Daniel^1,2，加納伸也^1,2，東康男^1,2，田中大介^2,3，坂本雅典^2,4，寺西利治^2,4，真島豊^1,2 (東工大応セラ研¹，CREST-JST²，筑波大院数理³，京大化研⁴)

[28a-B9-11] 金ナノギャップ電極中に導入した[6,6]-Phenyl-C61-Butyric Acid Methyl Esterの非弾性トンネル効果の測定 (12:45 PM ～ 1:00 PM)

^○東康男^1,2，武下宗平^1,2，真島豊^1,2 (東工大応セラ研¹，ＣＲＥＳＴ－ＪＳＴ²)

一般セッション(口頭講演)

[28p-B9-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

2013年3月28日(木) 14:30 〜 17:15 B9 (K2号館 4F-1407)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28p-B9-0] 昼食(90分)

[28p-B9-1] 微小Josephson接合列を用いた電流整数倍器の高精度化 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○武田晃一¹，Srinivas Gandrothula²，水柿義直¹，島田宏^1,2 (電通大院先進理工¹，電通大院量子・物質工²)

[28p-B9-2] △GaAs ナノワイヤ3 分岐接合デバイスの表面状態と非線形特性の関連性についての検討 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○佐藤将来，葛西誠也 (北大)

[28p-B9-3] △SiN/AlGaAs/GaAsナノワイヤFETのしきい値制御 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○黒田亮太^1,2，葛西誠也^1,2 (北大院情報科学研究科¹，量集センター²)

[28p-B9-4] 単分子接合の磁気抵抗効果：結合部依存性 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○金松東成，山田亮，夛田博一 (阪大院基礎工)

[28p-B9-5] 強磁性単一分子トランジスタにおける磁化変化に伴う静電容量変調効果 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○（PC）吉田健治¹，坂田修一¹，平川一彦^1,2 (東大生研・ナノ量子機構¹，CREST-JST²)

[28p-B9-5.1] 休憩(15分)

[28p-B9-6] △単一ポリフィリン分子トランジスタにおける分子の回転と異方性分子軌道の効果 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○坂田修一^1,2，北川裕一¹，小尾匡司¹，吉田健治^1,2，石井和之¹，平川一彦^1,2,3 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²，JST-CREST³)

[28p-B9-7] メタルマスクを用いた数nmサイズナノギャップ電極の作製 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○内藤泰久¹，大川恵里²，大畑達彦²，堀川昌代¹，王東方² (産総研ナノシステム¹，茨城大工²)

[28p-B9-8] △結晶粒界近傍におけるエレクトロマイグレーションのその場観察 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○村上暢介¹，越智隼人¹，有田正志¹，浜田弘一¹，高橋庸夫¹，竹田精治² (北大院情報¹，阪大産研²)

[28p-B9-9] 集積化ナノギャップでのエレクトロマイグレーションによる数nm級ギャップ制御の検討 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○平田晃大，須田隆太郎，伊藤光樹，石井聡一，白樫淳一 (東京農工大院工)

[28p-B9-10] ナノギャップ系単電子トランジスタの作製におけるエレクトロマイグレーションの適用回数の検討 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○秋元俊介，須田隆太郎，安藤昌澄，森原康平，白樫淳一 (東京農工大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[29a-PB3-1~9] 9.3 ナノエレクトロニクス

2013年3月29日(金) 09:30 〜 11:30 PB3 (第二体育館)

ポスター掲示時間9:30〜11:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29a-PB3-1] デバイスエラーを許容する二次元単電子振動子システムの評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）村上可諭，大矢剛嗣 (横国大院工)

[29a-PB3-2] Collision Based Computingを適用した単電子回路設計と評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

林俊介，^○大矢剛嗣 (横国大院工)

[29a-PB3-3] 雑音エネルギーを利用する単電子ブラウン・ラチェット回路の開発 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○河村祐介，大矢剛嗣 (横国大院工)

[29a-PB3-4] △FinFETとナノディスクアレイ構造を結合したニューロンデバイス (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○東原敬¹，梁海超¹，遠藤和彦²，五十嵐誠³，寒川誠二³，昌原明植²，森江隆¹ (九工大生命体¹，産総研²，東北大流体研³)

[29a-PB3-5] エレクトロマイグレーションによるNiナノ構造の作製と評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○越智隼人，村上暢介，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫 (北大院情報)

[29a-PB3-6] 直列接続型集積化ナノギャップでのエレクトロマイグレーションを用いた狭窄過程における電気的特性の制御 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○石井聡一，須田隆太郎，伊藤光樹，平田晃大，白樫淳一 (東京農工大院工)

[29a-PB3-7] グラフェンに対するSPMスクラッチ加工の探針走査条件の検討 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○吉田卓¹，須田隆太郎¹，齋藤孝成¹，Tseng Ampere. A.²，白樫淳一¹ (東京農工大院工¹，アリゾナ州立大²)

[29a-PB3-8] SPM探針を用いた機械的手法によるグラフェンの表面処理 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○須田隆太郎¹，齋藤孝成¹，吉田卓¹，Tseng Ampere. A.²，白樫淳一¹ (東京農工大院工¹，アリゾナ州立大²)

[29a-PB3-9] CCD近赤外イメージングによるグラフェンの通電過程におけるその場温度測定 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○齋藤孝成，厚母息吹，須田隆太郎，伊藤光樹，白樫淳一 (東京農工大院工)

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