一般セッション(口頭講演)

[17a-A27-1~11] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

2014年9月17日(水) 09:00 〜 12:00 A27 (N302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[17a-A27-1] 銀ナノインクを用いたスクリーン印刷によるGaN 系青色発光ダイオードへの電極形成

^○重宗翼¹，小泉淳¹，柏木行康²，垣内宏之³，竹村康孝⁴，山本真理²，斉藤大志²，高橋雅也²，大野敏信²，中許昌美²，青柳伸宜³，吉田幸雄³，村橋浩一郎⁴，大塚邦顕⁴，藤原康文¹ (阪大院工¹，大阪市立工業研究所²，大研化学工業³，奥野製薬⁴)

09:15 〜 09:30

[17a-A27-2] InPの陽極酸化反応に関する研究

^○（M1C）岩崎太平，森下義隆 (農工大工)

09:30 〜 09:45

[17a-A27-3] 両面陽極酸化ポーラスアルミナのReRAM動作

^○（M1）小川大翔，森下義隆，細野貴也 (農工大工)

09:45 〜 10:00

△ [17a-A27-4] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた実動作中SiC-DMOSFETの断面観察

^○茅根慎通，長康雄 (東北大)

10:00 〜 10:15

△ [17a-A27-5] F級増幅器におけるInGaAs-HEMTゲート寄生遅延時間の影響

^○吉田智洋¹，小山雅史²，渡邊邦彦²，楳田洋太郎²，尾辻泰一¹，末光哲也¹ (東北大通研¹，東理大理工²)

10:15 〜 10:30

[17a-A27-6] 貫通転位が InSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析

^○初芝正太¹，長井彰平¹，藤川紗千恵¹，原紳介²，遠藤聡²，渡邊一世^1,2，笠松章史²，藤代博記^1,2 (東理大院基礎工¹，情報通信研究機構²)

休憩10:30～10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

△ [17a-A27-7] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける SSとON電流のボディ幅依存性

^○（M2）大橋一水，藤松基彦，宮本恭幸 (東工大)

11:00 〜 11:15

[17a-A27-8] プレーナードープGaAsSbトンネルダイオードの170GHz感度特性

^○高橋剛^1,2，佐藤優^1,2，中舍安宏^1,2，芝祥一^1,2，原直紀^1,2，岩井大介² (富士通¹，富士通研²)

11:15 〜 11:30

[17a-A27-9] 表面活性化接合を用いた基板トランスファInP HBT作製に関する検討

^○白鳥悠太¹，柏尾典秀¹，栗島賢二¹，星拓也¹，日暮栄治²，松崎秀昭¹ (NTTフォトニクス研¹，東大²)

11:30 〜 11:45

△ [17a-A27-10] CBr₄流量変調によるInP系DHBTの組成傾斜InGaAsSbベース形成

^○（D）星拓也^1,3，柏尾典秀¹，杉山弘樹¹，横山春喜¹，栗島賢二¹，井田実¹，松崎秀昭¹，神徳正樹¹，後藤秀樹^2,3 (NTTフォトニクス研¹，NTT物性基礎研²，筑波大院³)

11:45 〜 12:00

[17a-A27-11] f_t/f_max>450GHzの高周波特性を有する高電流利得InP/InGaAs DHBT

^○柏尾典秀，栗島賢二，井田実，松崎秀昭 (NTTフォトニクス研)

一般セッション(口頭講演)

[17p-A27-1~14] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

2014年9月17日(水) 14:00 〜 17:45 A27 (N302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食12:00～14:00 （12:00 〜 14:00）

14:00 〜 14:15

[17p-A27-1] GaN基板上MOCVDn-GaNで観測されるトラップの濃度分散

^○宮本一輝，徳田豊 (愛知工大)

14:15 〜 14:30

▲ [17p-A27-2] Influence of intentional impurities (O, C) on the epitaxial GaN layers properties

^〇（P）Yaxin Wang¹，Takashi Teramoto²，Kazuhiro Ohkawa¹ (TUS¹，AL²)

14:30 〜 14:45

[17p-A27-3] 変調ドープGaNキャップ層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造におけるホール移動度の温度依存性

^○安藤彰浩¹，長田大和²，上村隆一郎²，分島彰男¹，江川孝志¹ (名工大¹，ULVAC²)

14:45 〜 15:00

[17p-A27-4] AlGaN/GaNヘテロ接合界面トラップのコンダクタンス法解析

^○馬場俊之¹，川那子高暢²，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

15:00 〜 15:15

[17p-A27-5] 硬Ｘ線光電子分光を用いた金属/AlGaN/GaN のバンド構造の解析

^○大賀一樹¹，陳江寧¹，川那子高暢²，角嶋邦之²，野平博司³，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東京都市大³)

15:15 〜 15:30

[17p-A27-6] 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と評価

^○藤田周，三好実人，江川孝志 (名工大)

15:30 〜 15:45

[17p-A27-7] MOVPE法を用いたSi添加AlInN/GaNヘテロ接合の電気的特性

^○池山和希¹，安田俊輝¹，小塚祐吾¹，堀川航佑¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大・赤﨑記念研究センター²)

休憩15:45～16:00 （15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

▲ [17p-A27-8] RTA of MOVPE-grown Mg-doped In_xGa_1-xN (x~0.3) for Mg activation

^〇Mdtanvir Hasan^1,2，A. Mihara^1,2，N. Shigekawa³，A. Yamamoto^1,2，M. Kuzuhara¹ (Univ. of Fukui¹，JST-CREST²，Osaka City Univ.³)

16:15 〜 16:30

[17p-A27-9] Si基板上に成長したAlGaN/GaN HEMTエピにおけるバッファ構造と耐圧の関係

^○渡邉則之，田邉真一，前田就彦，松崎秀昭 (NTT PH研)

16:30 〜 16:45

[17p-A27-10] AlGaN/GaN系Pチャネル型HFETにおけるリーク電流制御

^○萱沼怜¹，久保田俊介¹，中島昭³，西澤伸一³，大橋弘通^2,3，筒井一生¹，角嶋邦之¹，若林整¹，岩井洋² (東工大総理工¹，東工大フロンティア研²，産総研³)

16:45 〜 17:00

△ [17p-A27-11] 非接触超音波共振法による高温における高抵抗GaNのキャリアダイナミクスの研究

^○（M2）筒井裕貴¹，荻博次¹，中村暢伴¹，森勇介²，今出完²，吉村政志²，平尾雅彦¹ (阪大院基礎工¹，阪大院工²)

17:00 〜 17:15

[17p-A27-12] THzエリプソメトリーによるサファイア基板上GaN膜の電気特性測定

^○藤井高志^1,4，岩本敏志¹，佐藤幸徳¹，上山智²，長島健³，荒木努⁴ (日邦プレシジョン¹，名城大²，摂南大³，立命館大⁴)

17:15 〜 17:30

[17p-A27-13] MgドープAlGaNによるAlGaN/GaN HFET型紫外フォトセンサーの高性能化

^○山本雄磨¹，村瀬卓弥¹，草深敏匡¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大・赤崎記念研究センター²)

17:30 〜 17:45

[17p-A27-14] Radiation Hard AlGaN/GaN Heterostructure- Micro-Hall Sensors

Abdelkader Abderrahmane¹，^○高村司²，佐藤真一郎³，大島武³，岡田浩^1,2，アダルシュサンドゥー^1,2 (豊橋技大工¹，豊橋技大アイリス²，日本原子研³)

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[17a-A27-1] 銀ナノインクを用いたスクリーン印刷によるGaN 系青色発光ダイオードへの電極形成

[17a-A27-2] InPの陽極酸化反応に関する研究

[17a-A27-3] 両面陽極酸化ポーラスアルミナのReRAM動作

△ [17a-A27-4] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた実動作中SiC-DMOSFETの断面観察

△ [17a-A27-5] F級増幅器におけるInGaAs-HEMTゲート寄生遅延時間の影響

[17a-A27-6] 貫通転位が InSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析

△ [17a-A27-7] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける SSとON電流のボディ幅依存性

[17a-A27-8] プレーナードープGaAsSbトンネルダイオードの170GHz感度特性

[17a-A27-9] 表面活性化接合を用いた基板トランスファInP HBT作製に関する検討

△ [17a-A27-10] CBr₄流量変調によるInP系DHBTの組成傾斜InGaAsSbベース形成

[17a-A27-11] f_t/f_max>450GHzの高周波特性を有する高電流利得InP/InGaAs DHBT

[17p-A27-1~14] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[17p-A27-1] GaN基板上MOCVDn-GaNで観測されるトラップの濃度分散

▲ [17p-A27-2] Influence of intentional impurities (O, C) on the epitaxial GaN layers properties

[17p-A27-3] 変調ドープGaNキャップ層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造におけるホール移動度の温度依存性

[17p-A27-4] AlGaN/GaNヘテロ接合界面トラップのコンダクタンス法解析

[17p-A27-5] 硬Ｘ線光電子分光を用いた金属/AlGaN/GaN のバンド構造の解析

[17p-A27-6] 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と評価

[17p-A27-7] MOVPE法を用いたSi添加AlInN/GaNヘテロ接合の電気的特性

▲ [17p-A27-8] RTA of MOVPE-grown Mg-doped In_xGa_1-xN (x~0.3) for Mg activation

[17p-A27-9] Si基板上に成長したAlGaN/GaN HEMTエピにおけるバッファ構造と耐圧の関係

[17p-A27-10] AlGaN/GaN系Pチャネル型HFETにおけるリーク電流制御

△ [17p-A27-11] 非接触超音波共振法による高温における高抵抗GaNのキャリアダイナミクスの研究

[17p-A27-12] THzエリプソメトリーによるサファイア基板上GaN膜の電気特性測定

[17p-A27-13] MgドープAlGaNによるAlGaN/GaN HFET型紫外フォトセンサーの高性能化

[17p-A27-14] Radiation Hard AlGaN/GaN Heterostructure- Micro-Hall Sensors

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[17a-A27-1~11] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

△ [17a-A27-4] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた実動作中SiC-DMOSFETの断面観察

△ [17a-A27-5] F級増幅器におけるInGaAs-HEMTゲート寄生遅延時間の影響

△ [17a-A27-7] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける SSとON電流のボディ幅依存性

△ [17a-A27-10] CBr4流量変調によるInP系DHBTの組成傾斜InGaAsSbベース形成

[17p-A27-1~14] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

▲ [17p-A27-2] Influence of intentional impurities (O, C) on the epitaxial GaN layers properties

▲ [17p-A27-8] RTA of MOVPE-grown Mg-doped InxGa1-xN (x~0.3) for Mg activation

△ [17p-A27-11] 非接触超音波共振法による高温における高抵抗GaNのキャリアダイナミクスの研究

△ [17a-A27-10] CBr₄流量変調によるInP系DHBTの組成傾斜InGaAsSbベース形成

▲ [17p-A27-8] RTA of MOVPE-grown Mg-doped In_xGa_1-xN (x~0.3) for Mg activation