一般セッション(口頭講演)

[11a-A27-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年3月11日(水) 09:00 〜 12:30 A27 (6A-202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[11a-A27-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 半導体プロセスを用いたナノギャップ電極の作製及びその電気特性

〇吉水康人¹、田中裕介¹、冨田寛¹ (1.東芝)

09:15 〜 09:30

△ [11a-A27-2] 回転白金電極を用いるSiC基板の平坦化

〇赤井智喜¹、今村健太郎¹、小林光¹ (1.阪大産研)

09:30 〜 09:45

△ [11a-A27-3] 高Ge濃度SiGeにおけるフォノン変形ポテンシャルの導出

〇武内一真¹、小瀬村大亮¹、山本章太郎¹、富田基裕^1,³、臼田宏治²、小椋厚志¹ (1.明治大理工, 2.産総研 GNC, 3.学振特別研究員 DC)

09:45 〜 10:00

△ [11a-A27-4] 高Ge濃度歪SiGeメサ構造に印加された異方性2軸応力評価

〇山本章太郎¹、武内一真¹、富田基裕^1,³、小瀬村大亮¹、臼田宏冶²、小椋厚志¹ (1.明治大理工, 2.産総研GNC, 3.学振特別研究員DC)

10:00 〜 10:15

△ [11a-A27-5] EBSP法を用いた微細な全Ge濃度域における歪SiGeメサ構造に生じる応力緩和分布の評価

〇(D)富田基裕^1,²、小瀬村大亮¹、臼田宏治³、小椋厚志¹ (1.明大理工, 2.学振特別研究員DC, 3.産総研GNC)

10:15 〜 10:30

△ [11a-A27-6] シリコンナノ粒子による水の分解と水素濃度

〇松田真輔¹、小林悠輝¹、赤井智喜¹、今村健太郎¹、小林光¹ (1.阪大産研)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

△ [11a-A27-7] 局在プラズモン共鳴を用いたラマン分光法におけるひずみSi表面のAg粒子被覆率と信号増強の関係

〇木嶋隆浩¹、山本章太郎¹、横川凌¹、武内一真¹、村上達美¹、小瀬村太亮¹、小椋厚志¹ (1.明大理工)

11:00 〜 11:15

▼ [11a-A27-8] Band Bending Model Reproducing Si(111) Hole Subband Levels Measured by ARPES

〇Idayu Nur¹, Sakura Nishino Takeda¹, Takeshi J. Inagaki¹, Hiroshi Daimon¹ (1.NAIST)

11:15 〜 11:30

△ [11a-A27-9] 二光子吸収過程を用いたレーザーによるソフトエラーシミュレーションの再現性

〇井辻宏章^1,²、小林大輔^1,²、廣瀬和之^1,² (1.東大院工, 2.JAXA宇宙研)

11:30 〜 11:45

△ [11a-A27-10] トンネルFETのシングルイベント耐性評価

〇呉研¹、山本航汰¹、家城大輔¹、高橋芳浩¹ (1.日大理工)

11:45 〜 12:00

△ [11a-A27-11] 電界効果型マイクロウォール太陽電池の膜厚依存性

〇(M1)大木康平¹、若宮彰太¹、部家彰¹、松尾直人¹ (1.兵庫県立大学院工)

12:00 〜 12:15

[11a-A27-12] Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価

〇竹内大智¹、牧原克典¹、大田晃生²、池田弥央³、宮崎誠一¹ (1.名大院工, 2.名大VBL, 3.広大院先端研)

12:15 〜 12:30

[11a-A27-13] P添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響

〇近藤圭悟¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

一般セッション(口頭講演)

[12a-A27-1~9] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年3月12日(木) 10:00 〜 12:30 A27 (6A-202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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10:00 〜 10:15

[12a-A27-1] Si表面平坦化の熱処理雰囲気依存性

〇工藤聡也¹、Atthi Nithi¹、大見俊一郎¹ (1.東工大)

10:15 〜 10:30

[12a-A27-2] NO₂を用いたSi系材料の低速ケミカルドライエッチング中の表面反応

〇田嶋聡美¹、林俊雄¹、石川健治¹、関根誠¹、堀勝¹ (1.名大院工)

10:30 〜 10:45

[12a-A27-3] Cuアシスト無電解エッチングによるSiナノワイヤの作製と評価

〇高橋翔平¹、安達定雄¹ (1.群馬大学)

10:45 〜 11:00

[12a-A27-4] Zr Lα線源を用いたAESによるSiO₂/Si界面構造の評価

〇天野裕士^1,²、小林大輔²、野平博司¹、廣瀬和之² (1.東京都市大工, 2.宇宙研)

11:00 〜 11:15

[12a-A27-5] 純水中極微量金属によるウエーハ汚染

〇中津正人¹ (1.三重富士通ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ)

休憩（11:15 〜 11:30）

11:30 〜 11:45

[12a-A27-6] QSSPCライフタイム測定におけるトラッピング効果の補正方法

〇中山明¹、吉川博道¹ (1.京セラ)

11:45 〜 12:00

[12a-A27-7] SSRMによる不純物揺らぎ測定の検討

〇松沢一也¹、板井翔吾¹、小野瑞城¹、石原貴光¹、張利¹ (1.東芝研究開発センター)

12:00 〜 12:15

[12a-A27-8] 非線形誘電率顕微鏡法による低濃度ドーパントプロファイル評価

〇広田潤¹、鷹野正宗¹、竹野史郎¹、赤堀浩史¹、茅根慎通²、長康雄² (1.東芝S＆S社, 2.東北大通研)

12:15 〜 12:30

[12a-A27-9] 深紫外レーザーを用いたレーザー補助３次元アトムプローブの検討

〇金野晃之¹、大久保忠勝²、富田充裕¹、宝野和博² (1.東芝研究開発センター, 2.物質・材料研究機構)

一般セッション(口頭講演)

[12p-A27-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年3月12日(木) 14:00 〜 18:00 A27 (6A-202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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14:00 〜 14:15

[12p-A27-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 酸化被膜型Siナノワイヤにおける熱伝導率低下の起源に関する原子論的考察

〇図師知文^1,³、大毛利健治²、山田啓作²、渡邉孝信¹ (1.早大理工, 2.筑波大, 3.学振特別研究員DC2)

14:15 〜 14:30

[12p-A27-2] 波付きシリコン量子細線における音響フォノンとその熱輸送

〇服部淳一¹、ウラジーミルポボルチー¹、多田哲也¹ (1.産総研)

14:30 〜 14:45

▲ [12p-A27-3] Atomistic phonon study of Hydrogen-terminated extremely thin silicon films

〇Manoharan Muruganathan¹, Hiroshi Mizuta^1,² (1.JAIST, 2.Univ. of Southampton)

14:45 〜 15:00

[12p-A27-4] BおよびPをドープしたSi量子ドットの電子状態～不純物準位のドーパント位置依存性～

〇金田千穂子¹ (1.富士通研)

15:00 〜 15:15

[12p-A27-5] SiO₂/Si構造中における金属原子の安定性に関する第一原理解析

〇(M2)柴田大生¹ (1.岡山県立大学情報工)

15:15 〜 15:30

[12p-A27-6] 金属/Ge界面における点欠陥の理論：MIGSの役割に関する第一原理的検討

〇佐々木奨悟¹、中山隆史¹ (1.千葉大理)

休憩（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[12p-A27-7] 次世代TCAD(1) 第一原理計算を用いた4H-SiC中の格子欠陥準位と形成エネルギーの評価

〇加藤信彦¹、岡崎一行¹、小池秀耀¹ (1.(株)アドバンスソフト)

16:00 〜 16:15

[12p-A27-8] 次世代TCAD(2) 3次元デバイスシミュレータによるCMOSインバータチェーンの一括過渡解析

〇原田昌紀¹、桑原匠史¹、大倉康幸¹、山口憲¹、小池秀耀¹ (1.アドバンストソフト)

16:15 〜 16:30

[12p-A27-9] 次世代TCAD(3) 台形チャネルSi-nMOSFETの耐圧特性解析

〇山田吉宏¹、大倉康幸¹、山口憲¹、小池秀耀¹ (1.アドバンスソフト株式会社)

16:30 〜 16:45

[12p-A27-10] 簡易SBDモデルによるデバイス回路混合シミュレーション

〇松沢一也¹、阿部真利¹、小田嘉則¹、小町潤¹、伊藤浩之¹、秋山豊¹ (1.ＳＴＡＲＣ)

16:45 〜 17:00

[12p-A27-11] 領域分割半導体デバイスシミュレーションの収束ループの検討

〇福田浩一¹、服部淳一¹、越本浩央¹、池上努¹ (1.産総研)

17:00 〜 17:15

[12p-A27-12] 超高速撮像素子におけるアバランシェ増倍効果のシミュレーション解析

〇南谷夏海¹、Dao Vu Truong Son²、下ノ村和弘²、江藤剛冶²、鎌倉良成¹ (1.阪大工, 2.立命館理工)

17:15 〜 17:30

[12p-A27-13] 放射線衝突に伴う不揮発メモリのソフトエラーに関するシミュレーション

〇脇村豪¹、鎌倉良成¹ (1.阪大院工)

17:30 〜 17:45

[12p-A27-14] SOI-MOSFETにおける重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果

〇(M1C)山本航汰¹、家城大輔¹、呉研¹、高橋芳浩¹ (1.日大理工)

17:45 〜 18:00

[12p-A27-15] 放射線による局所昇温現象を考慮したソフトエラーシミュレーションの適用可能性

〇小林大輔^1,²、伊藤大智¹、廣瀬和之^1,² (1.JAXA宇宙研, 2.東大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[13p-P16-1~4] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年3月13日(金) 16:30 〜 18:30 P16 (総合体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:30 〜 18:30

[13p-P16-1] Al,Nを添加したSiの構造安定性と電子状態

〇屋山巴¹、知京豊裕¹ (1.物材機構)

16:30 〜 18:30

[13p-P16-2] アニール条件がGe表面の原子スケールのモフォロジーに与える影響

〇森田行則¹、太田裕之¹、昌原明植¹、前田辰郎¹ (1.産総研)

16:30 〜 18:30

[13p-P16-3] Ga-In-O薄膜のウェットエッチングプロセス検討

〇(B)吉田邦晃¹、藤岡秀平¹、後藤良介¹、尾沼猛儀^1,²、永井裕己¹、山口智広¹、本田徹¹ (1.工学院大工, 2.東京高専)

16:30 〜 18:30

[13p-P16-4] 太陽電池用バイパスダイオードに自己バイアスチャネルMOSダイオードを用いた時の電気的特性の検討

〇山田大輔¹、工藤嗣友¹、菅原文彦² (1.神奈川工大, 2.東北学)

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13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[11a-A27-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [11a-A27-2] 回転白金電極を用いるSiC基板の平坦化

△ [11a-A27-3] 高Ge濃度SiGeにおけるフォノン変形ポテンシャルの導出

△ [11a-A27-4] 高Ge濃度歪SiGeメサ構造に印加された異方性2軸応力評価

△ [11a-A27-5] EBSP法を用いた微細な全Ge濃度域における歪SiGeメサ構造に生じる応力緩和分布の評価

△ [11a-A27-6] シリコンナノ粒子による水の分解と水素濃度

△ [11a-A27-7] 局在プラズモン共鳴を用いたラマン分光法におけるひずみSi表面のAg粒子被覆率と信号増強の関係

▼ [11a-A27-8] Band Bending Model Reproducing Si(111) Hole Subband Levels Measured by ARPES

△ [11a-A27-9] 二光子吸収過程を用いたレーザーによるソフトエラーシミュレーションの再現性

△ [11a-A27-10] トンネルFETのシングルイベント耐性評価

△ [11a-A27-11] 電界効果型マイクロウォール太陽電池の膜厚依存性

[12a-A27-1~9] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12p-A27-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

▲ [12p-A27-3] Atomistic phonon study of Hydrogen-terminated extremely thin silicon films

[13p-P16-1~4] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

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