一般セッション(口頭講演)

[20p-S421-1~12] 17.3 層状物質

2016年3月20日(日) 13:45 〜 16:45 S421 (南4号館)

上野啓司(埼玉大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

[20p-S421-1] シリセン-アミンヘテロ界面の電子物性に対する電界効果

〇飯田健二¹、野田真史¹、信定克幸¹ (1.分子研)

14:00 〜 14:15

△ [20p-S421-2] 単結晶六方晶ボロンナイトライドの絶縁破壊強度の異方性

〇服部吉晃¹、谷口尚²、渡邊賢司²、長汐晃輔^1,3 (1.東大マテリアル、2.NIMS、3.JST-さきがけ)

14:15 〜 14:30

△ [20p-S421-3] MoS₂/WS₂半導体ヘテロ接合界面におけるバンドギャップ変調

〇(M2)小林佑¹、吉田昭二²、櫻田龍司²、斉藤哲輝¹、渡邊賢司³、谷口尚³、真庭豊¹、重川秀実²、宮田耕充^1,4 (1.首都大院理工、2.筑波大数理、3.物材機構、4.JSTさきがけ)

14:30 〜 14:45

[20p-S421-4] 電界効果ドーピングによる
遷移金属ダイカルコゲナイド原子層ヘテロ構造の発光変調

〇毛利真一郎¹、張文金¹、宮内雄平¹、松田一成¹ (1.京都大学エネ研)

14:45 〜 15:00

[20p-S421-5] 単層・2層GeSeおよびGeSe/MoS₂ヘテロ構造の第一原理計算

〇大淵真理¹ (1.富士通研)

15:00 〜 15:15

△ [20p-S421-6] マイルド酸素プラズマ機能化数層WSe₂を用いた高性能光電子デバイスの開発

〇永井黎人¹、加藤俊顕¹、金子俊郎¹ (1.東北大院工)

15:15 〜 15:30

△ [20p-S421-7] CVD-MoS₂/SiO₂相互作用評価と完全被覆TGによるデュアルゲート変調

〇(M1)倉林空¹、長汐晃輔^1,2 (1.東大工、2.JST-さきがけ)

15:30 〜 15:45

[20p-S421-8] MoS₂ FETの電気特性を向上させるための熱処理プロセスの検討

〇佐野宏亮¹、足立薫彦¹、下川慶久¹、高橋綱己^1,2、内田建^1,2 (1.慶應大理工、2.JST CREST)

15:45 〜 16:00

[20p-S421-9] シリケイン及びゲルマナンをチャネルとするCMOSトランジスタのバリスティック性能解析

〇兼古志郎¹、岡直左¹、土屋英昭¹、小川真人¹ (1.神戸大工)

16:00 〜 16:15

△ [20p-S421-10] 数層WSe₂ショットキー型太陽電池における光発電特性の高性能化

〇(M2)赤間俊紀¹、加藤俊顕¹、金子俊郎¹ (1.東北大院工)

16:15 〜 16:30

[20p-S421-11] MoS₂ー単層グラフェンへテロ構造の局所ガス応答特性評価

〇佐藤雄太¹、大井皓平¹、麻下卓嗣¹、田畑博史¹、久保理¹、片山光浩¹ (1.阪大院工)

16:30 〜 16:45

△ [20p-S421-12] Ti_0.87O₂ナノシートの固相変態による極薄TiO_xアナターゼFET

〇関崎舜也¹、長田実²、佐々木高義²、長汐晃輔^1,3 (1.東大マテリアル、2.NIMS、3.JST-さきがけ)

一般セッション(口頭講演)

[22a-S421-1~11] 17.3 層状物質

2016年3月22日(火) 09:00 〜 12:00 S421 (南4号館)

宮田耕充(首都大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[22a-S421-1] 【講演奨励賞受賞記念講演】 WSe₂表面酸化層のp型コンタクト・ドーパント応用

〇山本真人¹、中払周¹、上野啓司²、塚越一仁¹ (1.物材機構、2.埼玉大院理工)

09:15 〜 09:30

[22a-S421-2] 単層から二層シリセンへの相変態

〇八百川律子¹、大砂哲¹、中野秀之^1,2 (1.豊田中研、2.JST　さきがけ)

09:30 〜 09:45

[22a-S421-3] 拡散・析出法によるh-BN薄膜の形成過程

〇鈴木哲¹、小川友以¹、 Wang Shengnan¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性基礎研)

09:45 〜 10:00

▲ [22a-S421-4] Synthesis of large-area hexagonal boron nitride films using chemical vapor deposition

HAMILTON VICTORIA¹、〇WANG SHENGNAN¹、鈴木哲¹、日比野浩樹^1,2、山本秀樹¹ (1.NTT 物性基礎研、2.関西学院大学理工)

10:00 〜 10:15

[22a-S421-5] CVD法により合成したh-BN多層膜の触媒依存性

〇近藤大雄^1,2、林賢二郎^1,2、片岡真紗子^1,2、岩井大介^1,2、佐藤信太郎^1,2 (1.富士通研、2.富士通)

10:15 〜 10:30

▼ [22a-S421-6] Synthesis of BCN layers and anisotropic etching for nanoribbon fabrication

〇(DC)Vishwakarma Riteshkumar Ratneshkumar¹、 Kalita Golap¹、 Tanemura Masaki¹ (1.Nagoya Inst.Technol.)

10:45 〜 11:00

△ [22a-S421-7] 単層単結晶 WS₂の広域集積化合成

〇高橋智之¹、加藤俊顕¹、金子俊郎¹ (1.東北大院工)

11:00 〜 11:15

[22a-S421-8] GaAs基板上へのMoSe₂/WSe₂ヘテロ構造のMBE成長

〇小野満恒二¹、熊倉一英¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性科学基礎研究所)

11:15 〜 11:30

[22a-S421-9] ミストCVDによる二硫化モリブデン(MoS₂)層状薄膜作製への挑戦

〇(M1)佐藤翔太¹、川原村敏幸^1,2 (1.高知工大院知能機械システム工学コース、2.高知工大総研)

11:30 〜 11:45

△ [22a-S421-10] スパッタ堆積MoS₂薄膜のXPSと光学コントラスト法による層数識別

〇石原聖也¹、日比野祐介¹、澤本直美¹、須田耕平¹、大橋匠²、松浦賢太郎²、町田英明³、石川真人³、須藤弘³、若林整²、小椋厚志¹ (1.明治大、2.東工大、3.気相成長(株))

11:45 〜 12:00

▼ [22a-S421-11] Passivation of Phosphorene in Ambient Conditions by Encapsulation with Monolayer Hexagonal Boron Nitride Grown by Chemical Vapor Deposition Technique

〇(B)Sinha Sapna¹、 Takabayashi Yuya¹、 Omachi Haruka¹、 Shinohara Hisanori¹、 Kitaura Ryo¹ (1.Nagoya Univ.)

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[20p-S421-1~12] 17.3 層状物質

[20p-S421-1] シリセン-アミンヘテロ界面の電子物性に対する電界効果

△ [20p-S421-2] 単結晶六方晶ボロンナイトライドの絶縁破壊強度の異方性

△ [20p-S421-3] MoS₂/WS₂半導体ヘテロ接合界面におけるバンドギャップ変調

[20p-S421-4] 電界効果ドーピングによる
遷移金属ダイカルコゲナイド原子層ヘテロ構造の発光変調

[20p-S421-5] 単層・2層GeSeおよびGeSe/MoS₂ヘテロ構造の第一原理計算

△ [20p-S421-6] マイルド酸素プラズマ機能化数層WSe₂を用いた高性能光電子デバイスの開発

△ [20p-S421-7] CVD-MoS₂/SiO₂相互作用評価と完全被覆TGによるデュアルゲート変調

[20p-S421-8] MoS₂ FETの電気特性を向上させるための熱処理プロセスの検討

[20p-S421-9] シリケイン及びゲルマナンをチャネルとするCMOSトランジスタのバリスティック性能解析

△ [20p-S421-10] 数層WSe₂ショットキー型太陽電池における光発電特性の高性能化

[20p-S421-11] MoS₂ー単層グラフェンへテロ構造の局所ガス応答特性評価

△ [20p-S421-12] Ti_0.87O₂ナノシートの固相変態による極薄TiO_xアナターゼFET

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[22a-S421-1] 【講演奨励賞受賞記念講演】 WSe₂表面酸化層のp型コンタクト・ドーパント応用

[22a-S421-2] 単層から二層シリセンへの相変態

[22a-S421-3] 拡散・析出法によるh-BN薄膜の形成過程

▲ [22a-S421-4] Synthesis of large-area hexagonal boron nitride films using chemical vapor deposition

[22a-S421-5] CVD法により合成したh-BN多層膜の触媒依存性

▼ [22a-S421-6] Synthesis of BCN layers and anisotropic etching for nanoribbon fabrication

△ [22a-S421-7] 単層単結晶 WS₂の広域集積化合成

[22a-S421-8] GaAs基板上へのMoSe₂/WSe₂ヘテロ構造のMBE成長

[22a-S421-9] ミストCVDによる二硫化モリブデン(MoS₂)層状薄膜作製への挑戦

△ [22a-S421-10] スパッタ堆積MoS₂薄膜のXPSと光学コントラスト法による層数識別

▼ [22a-S421-11] Passivation of Phosphorene in Ambient Conditions by Encapsulation with Monolayer Hexagonal Boron Nitride Grown by Chemical Vapor Deposition Technique

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[20p-S421-1~12] 17.3 層状物質

△ [20p-S421-2] 単結晶六方晶ボロンナイトライドの絶縁破壊強度の異方性

△ [20p-S421-3] MoS2/WS2半導体ヘテロ接合界面におけるバンドギャップ変調

△ [20p-S421-6] マイルド酸素プラズマ機能化数層WSe2を用いた高性能光電子デバイスの開発

△ [20p-S421-7] CVD-MoS2/SiO2相互作用評価と完全被覆TGによるデュアルゲート変調

△ [20p-S421-10] 数層WSe2ショットキー型太陽電池における光発電特性の高性能化

△ [20p-S421-12] Ti0.87O2ナノシートの固相変態による極薄TiOxアナターゼFET

[22a-S421-1~11] 17.3 層状物質

▲ [22a-S421-4] Synthesis of large-area hexagonal boron nitride films using chemical vapor deposition

▼ [22a-S421-6] Synthesis of BCN layers and anisotropic etching for nanoribbon fabrication

△ [22a-S421-7] 単層単結晶 WS2の広域集積化合成

△ [22a-S421-10] スパッタ堆積MoS2薄膜のXPSと光学コントラスト法による層数識別

▼ [22a-S421-11] Passivation of Phosphorene in Ambient Conditions by Encapsulation with Monolayer Hexagonal Boron Nitride Grown by Chemical Vapor Deposition Technique

認証

△ [20p-S421-3] MoS₂/WS₂半導体ヘテロ接合界面におけるバンドギャップ変調

△ [20p-S421-6] マイルド酸素プラズマ機能化数層WSe₂を用いた高性能光電子デバイスの開発

△ [20p-S421-7] CVD-MoS₂/SiO₂相互作用評価と完全被覆TGによるデュアルゲート変調

△ [20p-S421-10] 数層WSe₂ショットキー型太陽電池における光発電特性の高性能化

△ [20p-S421-12] Ti_0.87O₂ナノシートの固相変態による極薄TiO_xアナターゼFET

△ [22a-S421-7] 単層単結晶 WS₂の広域集積化合成

△ [22a-S421-10] スパッタ堆積MoS₂薄膜のXPSと光学コントラスト法による層数識別