一般セッション(ポスター講演)

[14p-P8-1~10] 3.13 半導体光デバイス

3.13と3.15のコードシェアセッションあり

2017年3月14日(火) 16:00 〜 18:00 P8 (展示ホールＢ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

[14p-P8-1] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザ構造のX線回折評価

〇杉山滉一¹、西山哲央¹、鎌田直樹¹、大貫雄也¹、韓旭¹、ペリヤナヤガムガンディカッラサン¹、相川政輝¹、早坂夏樹¹、内田和希¹、下村和彦¹ (1.上智大理工)

16:00 〜 18:00

[14p-P8-2] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPレーザの低温発振特性

〇内田和希¹、西山哲央¹、鎌田直樹¹、大貫雄也¹、韓旭¹、ペリヤナヤガムガンディカッラサン¹、杉山滉一¹、相川政輝¹、早坂夏樹¹、下村和彦¹ (1.上智大理工)

16:00 〜 18:00

[14p-P8-3] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの電気特性

〇韓旭¹、西山哲央¹、鎌田直樹¹、大貫雄也¹、べリヤナヤガムガンディカッラサン¹、内田和希¹、相川政輝¹、杉山滉一¹、早坂夏樹¹、下村和彦¹ (1.上智大学理工)

16:00 〜 18:00

[14p-P8-4] QD-SOAを用いた非線形方向性結合器による超高速再生デバイスの特性解析

〇(M2)ジョイツロク¹、杉中亮太¹、松本敦³、松島裕一²、石川浩¹、宇髙勝之¹ (1.早大理工、2.早大GCS機構、3.NICT)

16:00 〜 18:00

[14p-P8-5] フォトクロミック材料を用いた光ニューラルネットワークの研究

〇谷本桂理¹、雨宮嘉照¹、田部井哲夫¹、横山新¹ (1.広島大ナノデバイス・バイオ融合科学研究所)

16:00 〜 18:00

[14p-P8-6] MoS₂-フォトトランジスタの光応答特性

〇宮本悠雅¹、吉川大貴¹、竹井邦晴¹、有江隆之¹、秋田成司¹ (1.大阪府大工)

16:00 〜 18:00

[14p-P8-7] 量子カスケードレーザ/検出器集積型センサチップ

伊藤昭生¹、〇道垣内龍男¹、日髙正洋¹、藤田和上¹、枝村忠孝¹ (1.浜ホト中研)

16:00 〜 18:00

[14p-P8-8] Si/CaF₂量子カスケードレーザの導波路構造設計

〇近藤弘規¹、齋藤侑祐¹、田辺直之¹、渡辺正裕¹ (1.東工大工学院)

16:00 〜 18:00

[14p-P8-9] sol-gel法を用いたanatase型二酸化チタンへのAlドープ

〇小澤一謹¹、関谷隆夫¹ (1.横浜国大)

16:00 〜 18:00

[14p-P8-10] Thermal Management Method for Chip-Scale Package Light-Emitting Diodes During Reliability Tests

〇Ma Byungjin¹、 Park Eung Suk²、 Lee Hae Hyung²、 Lee Kwanhun¹ (1.KETI、2.Semicon Light Co.)

一般セッション(口頭講演)

[15a-422-1~12] 3.13 半導体光デバイス

3.13と3.15のコードシェアセッションあり

2017年3月15日(水) 09:00 〜 12:15 422 (422)

雨宮智宏(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[15a-422-1] ショックレー-クワイサー限界における平衡条件の一考察

〇波多腰玄一¹、伊賀健一² (1.早稲田大、2.東工大)

09:15 〜 09:30

[15a-422-2] 波長スプリッティング太陽電池ボトムセルへの応用を目指したヘテロ接合Ge太陽電池

〇(B)大谷俊貴¹、佐藤綾祐¹、澤野憲太郎¹、小長井誠^1,2 (1.都市大工、2.科学技術振興機構)

09:30 〜 09:45

[15a-422-3] InGaP//Si波長スプリッティング太陽電池の屋外発電特性

〇(B)高橋怜美¹、澤野憲太郎¹、熊田昌年²、渡辺晴菜²、山田繁²、植田譲³、小長井誠^1,2 (1.東京都市大学工、2.科学技術振興機構、3.東京理科大学)

09:45 〜 10:00

[15a-422-4] 光無線給電高効率化のためのIII-V族化合物太陽電池の応用(2)

田中文明¹、秋葉駿希¹、代盼²、陆书龙²、〇内田史朗¹ (1.千葉工大、2.蘇州ナノテク)

10:00 〜 10:15

[15a-422-5] 光無線給電における光波長選択に関する考察

〇宮本智之¹ (1.東工大未来研)

10:15 〜 10:30

[15a-422-6] 光給電システムの電力効率の高効率化に向けた基礎検討

〇谷沢元春¹、上田将也¹、中平英翔¹、丸山武男¹ (1.金沢大)

10:45 〜 11:00

[15a-422-7] LEDの電力効率に関する検討

〇波多腰玄一¹ (1.早稲田大)

11:00 〜 11:15

[15a-422-8] 微小円錐台を光取り出し構造に用いた高出力・高効率AlGaInP薄膜LED

〇王学論¹、熊谷直人¹、郝国棟¹ (1.産総研)

11:15 〜 11:30

[15a-422-9] フッ素系樹脂の深紫外発光ダイオード用封止樹脂としての耐久性とその劣化機構

〇長澤陽祐¹、山田貴穂¹、永井祥子¹、平野光¹、一本松正道¹、青崎耕²、本田善央³、天野浩³、赤﨑勇⁴ (1.創光科学株式会社、2.旭硝子株式会社、3.名古屋大学、4.名城大学)

11:30 〜 11:45

[15a-422-10] 膜厚変調DBRによるVCSELの電気抵抗低減

須原壮¹、〇宮本智之¹ (1.東工大未来研)

11:45 〜 12:00

[15a-422-11] 薄膜積層構造の熱伝導減少効果を考慮した面発光レーザの熱抵抗解析

〇(M1)三村正樹¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

12:00 〜 12:15

[15a-422-12] Talbot効果を用いた位相同期面発光レーザアレイにおけるアレイ内スーパーモードの影響解析

小森雄貴¹、〇宮本智之¹ (1.東工大未来研)

一般セッション(口頭講演)

[15p-422-1~16] 3.13 半導体光デバイス

3.13と3.15のコードシェアセッションあり

2017年3月15日(水) 13:15 〜 17:45 422 (422)

丸山武男(金沢大)、西山伸彦(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:45

▲ [15p-422-1] [2016 Fellow International Special Lectures] Electron Affinities and Band Offsets of Semiconductors and Insulators, and their use in Electronic Devices

〇Robertson John¹ (1.Cambridge University)

13:45 〜 14:00

▲ [15p-422-2] Numerical analysis of high output slow light VCSEL amplifier

〇Hassan MohamedAhmed Ahmed^1,3、 Ahmed Moustafa²、中濵正統¹、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.Minia Univ.、3.Al-Azhar Univ.)

14:00 〜 14:15

[15p-422-3] 面発光レーザ高出力化のための長尺半導体光増幅器

〇許在旭¹、志村京亮¹、顧暁冬¹、中濵正統¹、松谷晃宏²、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

14:15 〜 14:30

[15p-422-4] 増幅機能を有するVCSELビーム掃引デバイス

〇志村京亮¹、顧暁冬¹、中濵正統¹、許在旭¹、松谷晃宏²、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

14:30 〜 14:45

[15p-422-5] 機械的共振を用いた MEMS 波長可変 VCSEL の広帯域掃引・低駆動電圧動作

〇中濱正統¹、井上俊也¹、松谷晃宏²、坂口孝浩¹、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

14:45 〜 15:00

[15p-422-6] 熱光学効果による1060nm帯面発光レーザの高速波長掃引特性

〇西村駿¹、顧暁冬¹、中濵正統¹、坂口孝浩¹、松谷晃宏²、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

15:00 〜 15:15

▲ [15p-422-7] Enhancing the modulation bandwidth of double transverse coupled cavity VCSELs

〇Ibrahim Hameeda¹、 Ahmed Moustafa²、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.Minia Univ.)

15:15 〜 15:30

▲ [15p-422-8] Electro-absorption Modulator Integrated with Transverse Coupled Cavity VCSELs

〇(D)Hu Shanting¹、 Gu Xiaodong¹、 Koyama Fumio¹ (1.Tokyo Tech.)

15:45 〜 16:00

[15p-422-9] 量子ドットDFBレーザの広い温度範囲での低消費電力動作

〇羽鳥伸明¹、鄭錫煥¹、田中有¹ (1.PETRA)

16:00 〜 16:15

△ [15p-422-10] GaAsP歪量子井戸高次結合ディープエッチDBRレーザ

〇山下諒大¹、上向井正裕¹、片山竜二¹ (1.阪大院工)

16:15 〜 16:30

[15p-422-11] 広帯域量子ドットゲインチップ及びASEフリーECDL特性

〇吉沢勝美¹、沢渡義規¹、福岡大輔²、室清文²、赤羽浩一³、山本直克³ (1.パイオニアMTC、2.スペクトラ･クエスト･ラボ、3.情報通信研究機構)

16:30 〜 16:45

△ [15p-422-12] ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP薄膜DFBレーザのしきい値電流の温度依存性

〇福田快¹、井上大輔¹、平谷拓生¹、冨安高弘¹、瓜生達也¹、雨宮智宏^1,2、西山伸彦^1,2、荒井滋久^1,2 (1.東工大工、2.東工大科創院)

16:45 〜 17:00

[15p-422-13] 低微分抵抗を有するGaInAsP/InP半導体薄膜DRレーザ

〇中村なぎさ¹、冨安高弘¹、平谷拓生¹、井上大輔¹、雨宮智宏^1,2、西山伸彦^1,2、荒井滋久^1,2 (1.東工大工、2.東工大科技創成研究院)

17:00 〜 17:15

[15p-422-14] p-GaInAsPベース層バンドギャップ低減による1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電流増幅率の向上

〇(B)吉冨翔一¹、只野翔太郎¹、山中健太郎¹、西山伸彦^1,2、荒井滋久^1,2 (1.東工大工電気電子、2.東工大科学技術創成研究院)

17:15 〜 17:30

[15p-422-15] 非対称方向性発振マイクロリングレーザのための帰還光位相制御特性の測定

〇河村雄作¹、青木椋祐¹、荒川太郎¹、國分泰雄¹ (1.横国大院工)

17:30 〜 17:45

▼ [15p-422-16] Mode Selective Light Source Based on Active Multimode Interferometer Laser Diode

〇ホンビンゾウ¹、北野拓也¹、姜海松¹、浜本貴一¹ (1.九大)

一般セッション(口頭講演)

[16a-422-1~10] 3.13 半導体光デバイス

3.13と3.15のコードシェアセッションあり

2017年3月16日(木) 09:00 〜 11:30 422 (422)

下村和彦(上智大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[16a-422-1] 多モード干渉計を有する高消光比電界吸収型光変調器の提案

〇沖津大輔¹、山野祐¹、盧柱亨²、荒川太郎¹ (1.横国大院工、2.関東学院大)

09:15 〜 09:30

△ [16a-422-2] 光モードスイッチの高速モードスイッチング動作実証

〇小江祥太¹、 Ryan Imansyah¹、ヒンブルルーク¹、姜海松¹、浜本貴一¹ (1.九州大学総理工)

09:30 〜 09:45

[16a-422-3] カプセル型波長スケール金属共振器レーザの試作と室温パルス発振

〇(D)肖イ¹、リチャードテイラー¹、虞伝慶¹、種村拓夫¹、中野義昭¹ (1.東京大学)

09:45 〜 10:00

[16a-422-4] ガウシアンビーム光学を用いた共振器モード近似解の精度

〇福嶋丈浩¹、石原幸奈¹ (1.岡山県立大情報工)

10:00 〜 10:15

[16a-422-5] 結合量子井戸構造を用いた量子カスケード検出器

〇道垣内龍男¹、藤田和上¹、廣畑徹¹、伊藤昭生¹、日髙正洋¹、枝村忠孝¹ (1.浜ホト中研)

10:15 〜 10:30

[16a-422-6] InAlAs薄層増倍層を有する反転型APDの過剰雑音特性

〇山田友輝¹、名田允洋¹、松崎秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

10:30 〜 10:45

[16a-422-7] エッジ強調電子線描画法によるInP系曲げ導波路の作製と評価

〇新田毅¹、右田温¹、水島裕亮¹、荒雄也¹、山下翼¹、清水大雅¹ (1.農工大工)

10:45 〜 11:00

[16a-422-8] C-V測定によるAl₂O₃/p-InP基板界面の電気特性の評価

〇漆原義文¹、新田毅¹、清水大雅¹ (1.農工大工)

11:00 〜 11:15

[16a-422-9] グラフェン／n型Siショットキー接合ゲートFETにおける光応答特性

〇小林史歩¹、安野裕貴¹、竹井邦晴¹、有江隆之¹、秋田成司¹ (1.大阪府大工)

11:15 〜 11:30

[16a-422-10] LEDとSi太陽電池から成るダイスターパワーアンプ

〇岡本研正¹ (1.光半導体デバイス技研)

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[14p-P8-1~10] 3.13 半導体光デバイス

3.13と3.15のコードシェアセッションあり

[15a-422-1~12] 3.13 半導体光デバイス

3.13と3.15のコードシェアセッションあり

[15p-422-1~16] 3.13 半導体光デバイス

3.13と3.15のコードシェアセッションあり

▲ [15p-422-1] [2016 Fellow International Special Lectures] Electron Affinities and Band Offsets of Semiconductors and Insulators, and their use in Electronic Devices

▲ [15p-422-2] Numerical analysis of high output slow light VCSEL amplifier

▲ [15p-422-7] Enhancing the modulation bandwidth of double transverse coupled cavity VCSELs

▲ [15p-422-8] Electro-absorption Modulator Integrated with Transverse Coupled Cavity VCSELs

△ [15p-422-10] GaAsP歪量子井戸高次結合ディープエッチDBRレーザ

△ [15p-422-12] ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP薄膜DFBレーザのしきい値電流の温度依存性

▼ [15p-422-16] Mode Selective Light Source Based on Active Multimode Interferometer Laser Diode

[16a-422-1~10] 3.13 半導体光デバイス

3.13と3.15のコードシェアセッションあり

△ [16a-422-2] 光モードスイッチの高速モードスイッチング動作実証

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