〇(P)Amr Attia Abuelwafa¹、 Riteshkumar Vishwakarma¹、 Zhu Rucheng¹、 Sudip Adhikari¹、 Masayoshi Umeno¹ (1.C`s Techno,Inc, Cooperative Research center for Advanced Technology, Nagoya Science Park,)

11:15 〜 11:30

△ [20a-311-9] h-BN/2層グラフェンヘテロ構造における光応答

〇ウワンノーティーラユット^1,2、谷口尚³、渡邊賢司³、長汐晃輔¹ (1.東大、2.KMITL、3.NIMS)

11:30 〜 11:45

[20a-311-10] 波長選択型グラフェン赤外線センサに向けたプラズモニックメタマテリアルによる吸収制御

〇小川新平¹、嶋谷政彰¹、福島昌一郎¹、奥田聡志¹、金井康²、小野尭生²、井上恒一²、松本和彦² (1.三菱電機、2.阪大産研)

11:45 〜 12:00

△ [20a-311-11] Siチップ上での高速・高集積グラフェン黒体放射発光素子

〇深澤佑介¹、三好勇輔¹、天坂裕也¹、レックマンロビン^1,2、横井智哉¹、河原憲治³、吾郷浩樹³、牧英之^1,4 (1.慶大理工、2.アーヘン工科大、3.九大、4.JST さきがけ)

12:00 〜 12:15

△ [20a-311-12] 簡便な手法で合成したグラフェン/シリコン複合体を負極材料に用いたリチウムイオン二次電池の充放電特性

〇行永滉平¹、今榮一郎¹ (1.広島大工)

一般セッション(口頭講演)

[20p-311-1~18] 17.2 グラフェン

2018年9月20日(木) 13:45 〜 18:30 311 (カスケード)

内田建(慶大)、田畑博史(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

[20p-311-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 音響電流を活用するグラフェン表面弾性波センサの開発

〇奥田聡志¹、金井康²、小野尭生²、嶋谷政彰^1,3、小川新平¹、生田昂^2,3、井上恒一²、前橋兼三^2,3、松本和彦² (1.三菱電機、2.阪大産研、3.東京農工大)

14:00 〜 14:15

[20p-311-2] SiC上グラフェンのタンパク質吸着特性におけるpH依存性

〇秋山大宇¹、谷口嘉昭¹、大野恭秀¹、永瀬雅夫¹ (1.徳島大院)

14:15 〜 14:30

△ [20p-311-3] p 型 SiC 上グラフェンのタンパク質吸着特性

〇(D)谷口嘉昭¹、高村真琴²、谷保芳孝²、大野泰秀¹、永瀬雅夫¹ (1.徳島大学、2.NTT 物性基礎研)

14:30 〜 14:45

[20p-311-4] SiC上グラフェンの糖鎖機能化によるインフルエンザウイルス検出

〇小野尭生¹、谷口嘉昭²、牛場翔太³、金井康¹、前橋兼三^1,4、井上恒一¹、渡邊洋平⁵、中北愼一⁶、鈴木康夫⁷、河原敏男⁷、木村雅彦³、大野恭秀^1,2、永瀬雅夫²、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.徳島大、3.村田製作所、4.東京農工大、5.京都府立医大、6.香川大、7.中部大)

14:45 〜 15:00

△ [20p-311-5] グラフェンを用いた荷電分子イメージング

〇牛場翔太¹、小野尭生²、金井康²、井上恒一²、木村雅彦¹、松本和彦² (1.村田製作所、2.阪大産研)

15:00 〜 15:15

△ [20p-311-6] グラフェンFETでのオープンサンドイッチ免疫測定法による低分子ペプチド検出の高感度化

〇金井康¹、大室有紀²、谷奥正巳¹、牛場翔太³、小野尭生¹、井上恒一¹、木村雅彦³、上田宏²、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.東工大化生研、3.村田製作所)

15:15 〜 15:30

△ [20p-311-7] グラフェンを用いたppbレベルでのガス分子検出

〇(M1)野崎諒¹、生田昂¹、前橋兼三¹ (1.農工大工)

15:30 〜 15:45

▲ [20p-311-8] Detection of ammonia via charge transfer-induced shift of graphene charge neutrality point

〇(D)Osazuwa Gabriel Agbonlahor¹、 Jothiramalingam Kulothungan¹、 Manoharan Muruganathan¹、 Hiroshi Mizuta^1,2 (1.JAIST、2.Hitachi Camb. Lab.)

15:45 〜 16:00

△ [20p-311-9] 亜鉛ポルフィリン修飾グラフェンを用いたアンモニアセンサの作製と評価

〇澤田圭¹、横山誉宗¹、斎藤雄太¹、山知亮介¹、田中貴久¹、岡勇気²、千葉湧介²、寺尾潤²、内田建¹ (1.慶應大理工、2.東大院総合文化)

16:00 〜 16:15

△ [20p-311-10] 超分子修飾グラフェンFETを用いた高感度ガス検出

〇生田昂¹、玉木孝²、正井宏²、寺尾潤²、前橋兼三¹ (1.東京農工大、2.東京大学)

16:30 〜 16:45

[20p-311-11] 酸化グラフェン-カーボンナノチューブ複合薄膜を用いた揮発性有機化合物センシング

〇田畑博史¹、杉浦知樹¹、久保理¹、片山光浩¹ (1.阪大院工)

16:45 〜 17:00

△ [20p-311-12] グラフェンデバイス量産に向けたCVD単層グラフェンのSi/SiO₂基板上への直接接合

〇嶋谷政彰^1,2、奥田聡志¹、福島昌一郎¹、小川新平¹、生田昂²、前橋兼三² (1.三菱電機、2.東京農工大)

17:00 〜 17:15

[20p-311-13] グラフェンFET作製レジストによるデバイス特性の向上

〇中村裕子¹、吉村玲子¹ (1.東芝)

17:15 〜 17:30

△ [20p-311-14] 酸化イットリウム絶縁膜を用いた高性能エピタキシャルグラフェンデバイス

〇(B)諏訪健斗¹、遠藤則史¹、秋山昌次²、田島圭一郎¹、末光眞希¹、小西繁²、茂木弘²、川合信²、久保田芳宏²、堀場弘司³、組頭広志³、吹留博一¹ (1.東北大通研、2.信越化学工業、3.高エネ研)

17:30 〜 17:45

△ [20p-311-15] プラズマCVD成長架橋グラフェンナノリボンデバイスにおける量子特性発現確率の向上

〇大北若奈¹、鈴木弘朗¹、金子俊郎¹、加藤俊顕^1,2 (1.東北大院工、2.JST さきがけ)

17:45 〜 18:00

[20p-311-16] グラフェン/h-BN/グラフェン構造における面直方向熱輸送の評価

〇木下圭¹、守谷頼¹、増渕覚¹、渡邊賢司²、谷口尚²、町田友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST-JST)

18:00 〜 18:15

[20p-311-17] グラフェン/MoS₂/グラフェン縦型 FET を用いたサイクロトロン共鳴検出

〇若藤祐斉¹、守谷頼¹、木下圭¹、増渕覚¹、渡邉賢司²、谷口尚²、町田友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST-JST)

18:15 〜 18:30

[20p-311-18] 酸化グラフェンを触媒としたSiの化学エッチング

〇(M2)石塚隆高¹、宇都宮徹¹、一井崇¹、杉村博之¹ (1.京大院工)

一般セッション(口頭講演)

[21a-311-1~14] 17.2 グラフェン

2018年9月21日(金) 09:00 〜 12:45 311 (カスケード)

相馬聡文(神戸大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[21a-311-1] 窒素ドープグラフェンのベーサル面における酸素還元反応

〇(D)松山治薫¹、中村淳¹ (1.電通大院基盤理工)

09:15 〜 09:30

[21a-311-2] グラフェンとh-BN境界のエネルギー論

〇澤畑恒来¹、山中綾香²、丸山実那¹、岡田晋¹ (1.筑波大学、2.高度情報科学技術研究機構)

09:30 〜 09:45

[21a-311-3] 窒素ドープグラフェンの構造安定性の系統的評価

〇千葉紗彩¹、中村淳¹ (1.電通大院情報理工)

09:45 〜 10:00

△ [21a-311-4] 電界下におけるCO_x吸着グラフェンのエネルギー論と電子構造

〇(DC)松原愛帆¹、岡田晋¹ (1.筑波大数理)

10:00 〜 10:15

[21a-311-5] 2層ジグザググラフェンナノリボンのエッジ状態間相互作用

〇浅野大造¹、中村淳¹ (1.電通大院情報理工)

10:15 〜 10:30

▲ [21a-311-6] First-Principle Study of Bilayer Graphene Valley States

〇(D)Afsal Kareekunnan¹、 Manoharan Muruganathan¹、 Hiroshi Mizuta^1,2 (1.JAIST、2.Hitachi Camb. Lab.)

10:30 〜 10:45

[21a-311-7] 水素付加によるピリジン型の端を有するグラフェンの電子物性制御

〇(M2)安間愛莉¹、丸山実那¹、岡田晋¹ (1.筑波大数理)

10:45 〜 11:00

△ [21a-311-8] 弱く結合した多層グラフェンの電子輸送特性解析

〇堅田侑汰¹、橋本風渡¹、森伸也¹ (1.阪大院工)

11:15 〜 11:30

[21a-311-9] h-BN/グラフェン/h-BNにおける不純物C過多領域の影響評価

〇小野寺桃子¹、渡邊賢司²、諌山都子¹、荒井美穂¹、増渕覚¹、谷口尚²、町田友樹^1,3 (1.東大生産研、2.物材機構、3.CREST-JST)

11:30 〜 11:45

△ [21a-311-10] 3次元曲面グラフェン上ディラック電子におけるトポロジー効果

〇岡本拓也¹、伊藤良一²、藤田武志³、河野行雄¹ (1.東工大未来研、2.筑波大数理物質系、3.高知工大環境理工学群)

11:45 〜 12:00

[21a-311-11] 単層・2層・3層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴の観測

〇荒井美穂¹、井上尚子¹、小野寺桃子¹、浅川友太¹、増渕覚¹、渡邊賢司²、谷口尚²、町田友樹^1,3 (1.東大生産研、2.物材機構、3.CREST-JST)

12:00 〜 12:15

[21a-311-12] 水溶液中における単層グラフェンへの電気化学ドーピング評価

〇保田諭¹、田村和久²、朝岡秀人¹、丹野駿³、佐藤祐輔³、加藤優³、八木一三³ (1.原子力機構先端基礎、2.原子力機構物質、3.北大)

12:15 〜 12:30

△ [21a-311-13] CVD-真空接触角測定複合装置の開発及び合成したグラフェンの濡れ性のその場評価

〇(M2)木下拓哉¹、丸山伸伍¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

12:30 〜 12:45

[21a-311-14] エピタキシャルグラフェン上構造水層の機械特性

〇葛尾理樹¹、山田裕輔¹、松井一史¹、谷口嘉昭¹、大野恭秀¹、永瀬雅夫¹ (1.徳島大院)

セッション一覧

17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[19p-311-9~14] 17.2 グラフェン

△ [19p-311-10] アルコールCVD法による絶縁体上へのグラフェンの直接生成と評価

△ [19p-311-11] ナノダイヤモンドを用いた多層グラフェンのSiO2/Si基板上への直接析出成長――加熱温度依存――

[20a-311-1~12] 17.2 グラフェン

△ [20a-311-6] コールドスプレー法で作製したCu-グラフェン複合材料膜の摺動特性

▲ [20a-311-8] Chemical Doping of Graphene Grown Directly on Glass using MW-SWP-CVD for Use as Transparent, Conducting Electrodes