シンポジウム(口頭講演)

[19p-G203-1~7] ゲルマニウムはシリコンを代替するのか？

2018年3月19日(月) 13:30 〜 17:10 G203 (63-203)

入沢寿史(産総研)、手塚勉(東芝)、遠藤和彦(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 14:00

▲ [19p-G203-1] Why don’t you enjoy Ge CMOS more?

〇Akira Toriumi¹ (1.Univ. Tokyo)

14:00 〜 14:30

▲ [19p-G203-2] Ge NW FETs Fabrication

〇Yao-Jen Lee Lee¹、 F.-J. Hou¹、 P.-J. Sung¹、 M.-S. Yeh¹ (1.NDL)

14:30 〜 15:00

▲ [19p-G203-3] High quality UTB GeOI by HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) technology for future Ge CMOS application

〇Wen Hsin Chang¹、 Toshifumi Irisawa¹、 Hiroyuki Ishii¹、 Hiroyuki Hattori¹、 Hiroyuki Ota¹、 Hideki Takagi¹、 Yuichi Kurashima¹、 Noriyuki Uchida¹、 Tatsuro Maeda¹ (1.AIST)

15:10 〜 15:40

▲ [19p-G203-4] Prospects and Challenges for Ge MOSFETs

〇Shinichi Takagi¹、 Kwang-Won Jo¹、 Wu-Kang Kim¹、 Mengnan Ke¹、 Kimihiko Kato¹、 Mitsuru Takenaka¹ (1.Univ. Tokyo)

15:40 〜 16:10

▲ [19p-G203-5] Enabling Improved Contact Resistivity for Si, Ge and GeSn Technology

〇Yung-Hsien Wu¹、 Kuen-Yi Chen¹、 Chuan-Pu Chou¹、 Shih-Chieh Teng¹ (1.Natl. Tsing Hua Univ.)

16:10 〜 16:40

▲ [19p-G203-6] Atomic Layer Defect-free Ge Fin Fabrication by Neutral Beam Processes

〇Seiji Samukawa^1,2 (1.AIMR, Tohoku Univ.、2.IFS, Tohoku Univ.)

16:40 〜 17:10

▲ [19p-G203-7] Spin-dependent transport in ferromagnet-germanium structures for spintronic applications

〇Kohei Hamaya^1,2 (1.GSES, Osaka Univ.、2.CSRN, Osaka Univ.)

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