シンポジウム(口頭講演)

[20a-C212-1~4] 酸化物中の水素とその役割

2019年9月20日(金) 09:55 〜 12:15 C212 (C212)

秋永広幸(産総研)、平松秀典(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:55 〜 10:30

[20a-C212-1] 酸化物中の水素の電荷補償への寄与とその安定性

〇大橋直樹¹、大澤健男¹、坂口勲¹ (1.物材機構)

10:30 〜 11:05

[20a-C212-2] アモルファス酸化物半導体中の水素: 薄膜成長とデバイス特性への影響

〇神谷利夫^1,2、細野秀雄² (1.東工大フロ研、2.東工大元素セ)

11:05 〜 11:40

[20a-C212-3] Siデバイスにおける絶縁膜信頼性と水素

〇三谷祐一郎¹、関春海¹、中崎靖¹ (1.東芝メモリ(株))

11:40 〜 12:15

[20a-C212-4] 水素イオン移動型抵抗変化メモリ

〇木下健太郎¹ (1.東理大理)

シンポジウム(口頭講演)

[20p-C212-1~7] 酸化物中の水素とその役割

2019年9月20日(金) 14:00 〜 18:00 C212 (C212)

上野和紀(東大)、田中秀和(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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14:00 〜 14:35

[20p-C212-1] 錯体水素化物のリチウム超イオン伝導性とエネルギーデバイス応用

〇折茂慎一¹ (1.東北大AIMR / 金研)

14:35 〜 15:10

[20p-C212-2] チタン系酸化物表面における水素の定量と電子状態評価

〇福谷克之^1,2 (1.東大生研、2.原研先端基礎研)

15:10 〜 15:45

[20p-C212-3] 酸化物半導体ガスセンサの研究開発の現状：高感度水素検出に向けて

〇北村雅季¹ (1.神戸大工)

15:45 〜 16:00

[20p-C212-4] 超水素高感度昇温熱脱離分析装置の開発

〇平松秀典^1,2、半那拓²、坂口勲³、細野秀雄² (1.東工大フロンティア研、2.東工大元素戦略セ、3.物材機構)

16:15 〜 16:50

[20p-C212-5] LaH_3–2xO_xにおける中温域高速ヒドリドイオン伝導

〇飯村壮史¹、福井慧賀¹、多田朋史¹、藤津悟¹、笹瀬雅人¹、玉造博夢²、本田孝志²、池田一貴²、大友季哉²、細野秀雄¹ (1.東工大、2.高エネ研)

16:50 〜 17:25

[20p-C212-6] H^–導電性酸水素化物のアニオン配列制御とイオン導電特性

〇小林玄器^1,2 (1.分子研、2.総研大)

17:25 〜 18:00

[20p-C212-7] ヒドリドの特性を活かした組成、構造、機能制御

〇陰山洋¹ (1.京大工)

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