一般セッション(口頭講演)

[9p-W521-1~16] 17.2 グラフェン

2019年3月9日(土) 13:45 〜 18:00 W521 (W521)

上野啓司(埼玉大)、鈴木哲(兵庫県立大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[9p-W521-1] 単層および数層グラフェンの軟X線吸収／発光スペクトル

〇新部正人¹、鈴木哲¹、本多信一² (1.兵庫県大高度研、2.兵庫県大院工)

14:00 〜 14:15

[9p-W521-2] Hex-Au(100)再構成表面上でのグラフェンの電子バンド構造の変調

〇寺澤知潮^1,2、保田諭¹、林直輝³、乗松航³、伊藤孝寛⁴、町田真一¹、矢野雅大¹、斉木幸一朗²、朝岡秀人¹ (1.原研先端研、2.東大院新領域、3.名大院工、4.名大SRセ)

14:15 〜 14:30

[9p-W521-3] 回転角度制御したモアレ系二層グラフェンの電子状態

〇今村均¹、魚谷亮介¹、梶原隆司¹、ビシコフスキーアントン¹、飯盛拓嗣²、宮町俊生²、中辻寛³、間瀬一彦⁴、小森文夫²、田中悟¹ (1.九大院工、2.東大物性研、3.東工大総理工、4.高エネ研)

14:30 〜 14:45

△ [9p-W521-4] ランダム積層グラフェンの量子ホール効果とバンド分散

〇村野裕一¹、生嶋健司¹、生田昂¹、前橋兼三¹ (1.農工大院工)

14:45 〜 15:00

[9p-W521-5] グラフェンの光熱電効果を用いたサイクロトロン共鳴の検出

〇木下圭¹、守谷頼¹、荒井美穂¹、増渕覚¹、渡邊賢司²、谷口尚²、町田友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST-JST)

15:00 〜 15:15

[9p-W521-6] ファンデルワールスヘテロ構造内で空間的に隔てられたグラフェン間の熱輸送

〇木下圭¹、守谷頼¹、増渕覚¹、渡邊賢司²、谷口尚²、町田友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST-JST)

15:15 〜 15:30

△ [9p-W521-7] Polypropylene carbonate(PPC)を用いた原子層Dry release転写法による高品質グラフェン/h-BNファンデルワールスヘテロ構造の作製

〇木下圭¹、守谷頼¹、増渕覚¹、渡邊賢司²、谷口尚²、町田友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST-JST)

15:30 〜 15:45

[9p-W521-8] 六方晶窒硼素のグラフェンへのキャリア蓄積に対する電界遮蔽効果

〇岡田晋¹ (1.筑波大数理)

16:00 〜 16:15

▲ [9p-W521-9] Berry Curvature Study of hBN-Bilayer Graphene Heterostructure

〇(D)Afsal Kareekunnan¹、 Manoharan Muruganathan¹、 Hiroshi Mizuta^1,2 (1.JAIST、2.Hitachi Camb. Lab.)

16:15 〜 16:30

[9p-W521-10] グラフェンテンプレート上に合成した多層グラフェンのキャリア伝導特性

〇根岸良太¹、魏超鵬¹、小川友以²、赤堀誠志³、谷保芳孝²、小林慶裕¹ (1.阪大院工、2.NTT物性基礎研、3.北陸先端大)

16:30 〜 16:45

[9p-W521-11] ロックイン発熱解析法によるCVDグラフェン膜の移動度低減メカニズムに関する考察

〇中島秀朗¹、沖川侑揮¹、森本崇宏¹、生田美植¹、山田貴壽¹、岡崎俊也¹ (1.産総研)

16:45 〜 17:00

[9p-W521-12] 単層グラフェンのプロトン透過能と電気化学的手法を利用したグラフェン-金属界面への水素ナノバブル形成

〇保田諭¹、田村和久²、矢野雅大¹、寺澤知潮¹、加藤優³、八木一三³、朝岡秀人¹ (1.原子力機構先端基礎、2.原子力機構物質、3.北大院環境)

17:00 〜 17:15

[9p-W521-13] ナノオーダーの周期性を有する4H-SiC-m面へのグラフェンの直接転写

〇魚谷亮介¹、今村均¹、梶原隆司¹、ビシコフスキーアントン¹、飯森拓嗣²、小森文夫²、田中悟¹ (1.九大院工、2.東大物性研)

17:15 〜 17:30

▲ [9p-W521-14] Electrostatic properties of bilayer graphene nanoribbons under an external electric field

〇(D)YANLIN GAO¹、 Susumu Okada¹ (1.Univ. of Tsukuba)

17:30 〜 17:45

[9p-W521-15] 窒素ドープグラフェンナノリボンにおける酸素還元反応

〇(DC)松山治薫¹、五味駿一¹、中村淳¹ (1.電通大院情報理工)

17:45 〜 18:00

[9p-W521-16] グラフェンナノリボンよりカーボンアトミックチェンへの形成メカニズム

〇張暁賓¹、 Muruganathan Manoharan¹、岩下晋也¹、 Schmidt Marek¹、水田博^1,2、大島義文¹ (1.北陸先端大、2.日立ケンブリッジ研)

一般セッション(口頭講演)

[10a-W521-1~12] 17.2 グラフェン

2019年3月10日(日) 09:00 〜 12:15 W521 (W521)

永瀬雅夫(徳島大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[10a-W521-1] 化学的ドーピングによるグラフェンガスセンサの高感度化

〇田中貴久¹、澤田圭¹、内田建¹ (1.慶大理工)

09:15 〜 09:30

△ [10a-W521-2] グラフェンFETにおけるヒト血清中でのオープンサンドイッチ免疫測定法による低分子ペプチドの検出

〇金井康^1,2、大室有紀²、谷奥正巳¹、牛場翔太³、小野尭生¹、井上恒一¹、木村雅彦³、上田宏²、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.東工大化生研、3.村田製作所)

09:30 〜 09:45

△ [10a-W521-3] グラフェンバイオセンサ実用化にむけたFET特性ドリフトの抑制

〇宮川成人¹、品川歩¹、牛場翔太¹、木村雅彦¹、小野尭生²、金井康²、井上恒一²、松本和彦² (1.村田製作所、2.阪大産研)

09:45 〜 10:00

△ [10a-W521-4] グラフェンFETを用いたppb領域メタンチオールガスの検出

〇坂本優莉¹、生田昂¹、前橋兼三¹ (1.東京農工大学)

10:00 〜 10:15

△ [10a-W521-5] チアカリックスアレーン機能化グラフェンFETによる重金属センサの開発

〇(M1)高桐佑貴¹、生田昂¹、前橋兼三¹ (1.東京農工大)

10:15 〜 10:30

[10a-W521-6] 横型グラフェントンネルダイオードにおけるゲート電界効果の解析

〇志賀佳菜子¹、菅原健太²、佐藤昭²、吹留博一²、尾辻泰一²、内野俊¹ (1.東北工大、2.東北大通研)

10:45 〜 11:00

[10a-W521-7] デバイス構造制御によるランダム積層グラフェンデバイスの輸送特性の評価

〇山田直輝¹、生田昂¹、前橋兼三¹ (1.東京農工大学)

11:00 〜 11:15

[10a-W521-8] コンダクティブAFMを用いたグラフェン/SiC界面特性評価

〇藤井健志¹、瀧川亜樹¹ (1.富士電機)

11:15 〜 11:30

△ [10a-W521-9] 高オンオフ比グラフェンナノリボントランジスタの集積化合成

〇(M1C)小倉士忠¹、鈴木弘朗¹、金子俊郎¹、加藤俊顕^1,2 (1.東北大院工、2.さきがけ)

11:30 〜 11:45

▲ [10a-W521-10] Quantum Dot Formation in Locally Doped Graphene Nano Ribbons

〇WANG Zhongwang¹、 Jian Sun²、 Manoharan Muruganathan¹、 Hiroshi Mizuta^1,3 (1.JAIST、2.Central South Univ.、3.Hitachi Cambridge Laboratory)

11:45 〜 12:00

▼ [10a-W521-11] Evaluation of IrO₂ Activity as an Electrocatalyst for Oxygen Evolution Reaction by Heteroatom doped Reduced Graphene Oxide

〇(P)Prerna Joshi¹、 Hsin-Hui Huang¹、 Masanori Hara¹、 Masamichi Yoshimura¹ (1.Toyota Techno. Inst.)

12:00 〜 12:15

[10a-W521-12] ナノ粒子の配列を用いたグラフェンのポーラス化

〇米津明生¹、古谷拓己¹ (1.中大理工)

一般セッション(口頭講演)

[10p-W521-1~8] 17.2 グラフェン

2019年3月10日(日) 13:45 〜 15:45 W521 (W521)

森山悟士 (物材機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[10p-W521-1] [講演奨励賞受賞記念講演] Siチップ上での高速･高集積グラフェン黒体放射発光素子

〇深澤佑介¹、三好勇輔¹、中川鉄馬^1,2、天坂裕也¹、ロビンレックマン^1,3、横井智哉¹、河原憲治⁴、吾郷浩樹⁴、牧英之^1,5 (1.慶大理工、2.KISTEC、3.アーヘン工科大、4.九大、5.JSTさきがけ)

14:00 〜 14:15

△ [10p-W521-2] 電荷注入構造を用いたグラフェン中波長赤外光検出器

〇福島昌一郎¹、嶋谷政彰¹、奥田聡志¹、小川新平¹、金井康²、小野尭生²、井上恒一²、松本和彦² (1.三菱電機、2.阪大産研)

14:15 〜 14:30

△ [10p-W521-3] 【注目講演】乱層積層グラフェンによる光ゲート型高感度光検出器

〇嶋谷政彰^1,2、山田直輝²、福島昌一郎¹、奥田聡志¹、小川新平¹、生田昂²、前橋兼三² (1.三菱電機株式会社、2.東京農工大)

14:30 〜 14:45

▲ [10p-W521-4] Ultraviolet Light Induced Electrical Hysteresis Effect in Graphene-GaN Heterojunction

〇(D)Ajinkya Ranade¹、 Rakesh Mahyavanshi¹、 Pradeep Desai¹、 Masaki Tanemura¹、 Golap Kalita¹ (1.Nagoya Inst. of Tech)

14:45 〜 15:00

[10p-W521-5] 液中分散グラフェンを可視化するトワイライト蛍光顕微鏡のコントラスト機構

石川裕貴¹、渡辺優人¹、〇佐野正人¹ (1.山形大院有機材料)

15:00 〜 15:15

[10p-W521-6] トワイライト蛍光顕微鏡による酸化グラフェン単一片の還元反応速度論

金澤克樹¹、佐藤光¹、〇佐野正人¹ (1.山形大院有機材料)

15:15 〜 15:30

[10p-W521-7] h-BN/グラフェン界面電子状態のオペランド・ナノ光電子分光解析

〇鴨川貴優¹、水崎裕太郎¹、 Wang Shengnan²、高村真琴²、谷保芳孝²、永村直佳^3,4、尾嶋正治⁵、吹留博一¹ (1.東北大通研、2.NTT物性研、3.物質・材料研究機構、4.JSTさきがけ、5.東大物性研)

15:30 〜 15:45

△ [10p-W521-8] 還元型酸化グラフェン/シリコン複合体を負極材料に用いたリチウムイオン二次電池の充放電特性

〇行永滉平¹、今榮一郎¹ (1.広島大院工)

一般セッション(口頭講演)

[11a-W521-1~4] 17.2 グラフェン

2019年3月11日(月) 09:00 〜 10:00 W521 (W521)

吾郷浩樹(九大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

△ [11a-W521-1] 4H-SiC(000-1)上TaC薄膜のグラフェン化

〇(B)清水一矢¹、林直輝²、伊藤孝寛³、乗松航² (1.名大工、2.名大院工、3.名大SRセ)

09:15 〜 09:30

[11a-W521-2] ガリウムを触媒とするエタノール雰囲気中でのグラフェン膜CVD

〇辻友希¹、有馬健太¹、山村和也¹、川合健太郎¹ (1.大阪大)

09:30 〜 09:45

[11a-W521-3] 銅上CVDグラフェンにおけるTa誘起局所核生成のメカニズム

〇鈴木誠也¹、原正則²、吉村雅満² (1.物材機構、2.豊田工大)

09:45 〜 10:00

[11a-W521-4] 酸化グラフェン修復過程における六方晶窒化ホウ素の触媒作用

〇小幡誠司¹、渡邊賢司²、谷口尚²、塚越一仁²、斉木幸一朗¹ (1.東大新領域、2.物材機構)

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17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[9p-W521-1~16] 17.2 グラフェン

△ [9p-W521-4] ランダム積層グラフェンの量子ホール効果とバンド分散

△ [9p-W521-7] Polypropylene carbonate(PPC)を用いた原子層Dry release転写法による高品質グラフェン/h-BNファンデルワールスヘテロ構造の作製

▲ [9p-W521-9] Berry Curvature Study of hBN-Bilayer Graphene Heterostructure

▲ [9p-W521-14] Electrostatic properties of bilayer graphene nanoribbons under an external electric field

[10a-W521-1~12] 17.2 グラフェン

△ [10a-W521-2] グラフェンFETにおけるヒト血清中でのオープンサンドイッチ免疫測定法による低分子ペプチドの検出

△ [10a-W521-3] グラフェンバイオセンサ実用化にむけたFET特性ドリフトの抑制

△ [10a-W521-4] グラフェンFETを用いたppb領域メタンチオールガスの検出

△ [10a-W521-5] チアカリックスアレーン機能化グラフェンFETによる重金属センサの開発

△ [10a-W521-9] 高オンオフ比グラフェンナノリボントランジスタの集積化合成

▲ [10a-W521-10] Quantum Dot Formation in Locally Doped Graphene Nano Ribbons

▼ [10a-W521-11] Evaluation of IrO2 Activity as an Electrocatalyst for Oxygen Evolution Reaction by Heteroatom doped Reduced Graphene Oxide

[10p-W521-1~8] 17.2 グラフェン

△ [10p-W521-2] 電荷注入構造を用いたグラフェン中波長赤外光検出器

△ [10p-W521-3] 【注目講演】乱層積層グラフェンによる光ゲート型高感度光検出器

▲ [10p-W521-4] Ultraviolet Light Induced Electrical Hysteresis Effect in Graphene-GaN Heterojunction

△ [10p-W521-8] 還元型酸化グラフェン/シリコン複合体を負極材料に用いたリチウムイオン二次電池の充放電特性

[11a-W521-1~4] 17.2 グラフェン

△ [11a-W521-1] 4H-SiC(000-1)上TaC薄膜のグラフェン化

認証

▼ [10a-W521-11] Evaluation of IrO₂ Activity as an Electrocatalyst for Oxygen Evolution Reaction by Heteroatom doped Reduced Graphene Oxide