一般セッション(口頭講演)
[10p-N304-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2021年9月10日(金) 13:30 〜 16:15 N304 (口頭)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
13:30 〜 13:45
高橋 俊範1、 〇土田 透子1、 羽深 等1、 後藤 昭広2 (1.横国大院理工、2.プレテック)
13:45 〜 14:00
〇根本 悠平1、 平川 雅章2、 池上 友佳子2 (1.芝浦メカトロニクス、2.東芝 生産技術センター)
14:00 〜 14:15
〇(M2)竹内 聡1、 大堀 大介1、 石田 昌久2、 田中 麻美2、 遠藤 和彦3、 寒川 誠二1,4 (1.東北大流体研、2.長瀬産業、3.産総研、4.東北大AIMR)
14:15 〜 14:30
〇有馬 健太1、 和田 陽平1、 佐野 修斗1、 川合 健太郎1、 山村 和也1 (1.阪大院工)
14:30 〜 14:45
〇(D)今井 友貴1、 牧原 克典1、 田岡 紀之1、 大田 晃生1、 宮﨑 誠一1 (1.名大院工)
15:00 〜 15:15
〇出口 拓実1,2、 小林 大輔2、 廣瀬 和之1,2 (1.東大院工、2.宇宙研)
15:15 〜 15:30
〇田中 一1、 森 伸也1 (1.阪大院工)
15:30 〜 15:45
〇(M2)Lim JIN HYONG1、 森 伸也1 (1.阪大院工)
15:45 〜 16:00
〇滝澤 諄弥1、 富田 基裕1、 山中 湧司1、 渡邉 孝信1 (1.早大理工)
16:00 〜 16:15
〇服部 淳一1 (1.産総研)