一般セッション(口頭講演)

[21a-C206-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2022年9月21日(水) 09:00 〜 12:30 C206 (C206)

嵯峨幸一郎(ソニー)、森伸也(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[21a-C206-1] 壁面排出孔によるシリコンウエハ湿式洗浄槽の水流単純化

土田透子¹、高橋俊範¹、〇羽深等¹、後藤昭広² (1.横国大院理工、2.プレテック)

09:15 〜 09:30

△ [21a-C206-2] マイクロコンタクトプリンティングを併用したシリコンの気相中酸化グラフェンアシストエッチング

〇窪田航¹、山岡遼也¹、宇都宮徹¹、一井崇¹、杉村博之¹ (1.京大院工)

09:30 〜 09:45

[21a-C206-3] ナノスケール領域のウェットエッチング現象におけるイオン拡散・水和挙動の影響

〇塙洋祐¹、上田大¹、春本晶子¹、田邉一郎²、福井賢一³ (1.SCREENホールディングス、2.立教大学理学部化学科、3.大阪大学大学院基礎工)

09:45 〜 10:00

[21a-C206-4] pH変化による極微量金属のウエーハ付着挙動

〇中津正人¹ (1.ﾕﾅｲﾃｯﾄﾞｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰｼﾞｬﾊﾟﾝ(株))

10:00 〜 10:15

[21a-C206-5] 制御した水分子吸着の履歴を持つGeO₂/Ge型MOS構造の作製と評価

〇(M1)佐野修斗¹、和田陽平¹、川合健太郎¹、孫栄硯¹、山村和也¹、有馬健太¹ (1.阪大院工)

10:15 〜 10:30

[21a-C206-6] 高温短時間熱処理による極薄SiO₂上に形成したa-Si膜の結晶化

〇(D)今井友貴¹、牧原克典¹、田岡紀之¹、大田晃生¹、宮﨑誠一¹ (1.名大院工)

10:45 〜 11:00

[21a-C206-7] 乱れたInP量子ドットのエネルギー分布解析

〇Lim JIN HYONG¹、森伸也¹ (1.阪大院工)

11:00 〜 11:15

[21a-C206-8] Ru配線の原子論的輸送計算に向けた反応力場構築

〇田中貴久¹、内田建¹ (1.東大工)

11:15 〜 11:30

△ [21a-C206-9] SiC 結晶表面におけるステップ・テラス構造による電子散乱の理論解析

〇内海慶祐¹、田中一¹、森伸也¹ (1.阪大院工)

11:30 〜 11:45

[21a-C206-10] MOS界面電荷クーロン遮蔽のシミュレーション

〇福田浩一¹、岡博史¹、服部淳一¹、浅井栄大¹、飯塚将太¹、太田裕之¹、森貴洋¹ (1.産総研)

11:45 〜 12:00

△ [21a-C206-11] リカレントニューラルネットワークを用いたランダム不純物分布を有するナノワイヤ中での電子密度分布の時間発展予測モデル

〇小林祐貴¹、原田和輝¹、伊藤佳卓¹、須子統太²、村口正和¹ (1.北科大工、2.早大)

12:00 〜 12:15

△ [21a-C206-12] フォノン散乱により生じるテール状態の輸送特性の非平衡グリーン関数解析

〇田中一¹、森伸也¹ (1.阪大院工)

12:15 〜 12:30

[21a-C206-13] SiとGeのナノシートを用いた相補型電界効果トランジスタの温度依存性

〇服部淳一¹、福田浩一¹、池上努¹、張文馨¹ (1.産総研)

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13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

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