The Japan Society of Applied Physics

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[E-1-1] Physical effects limiting performance and reliability of GaN High Electron Mobility Transistors

E. Zanoni1、G. Meneghesso1、M. Meneghini1、D. Bisi1、A. Chini2、C. De Santi1、F. Rampazzo1、I. Rossetto1、A. Stocco1、G. Verzellesi3 (1.Univ. di Padova、2.Dipartimento di Ingegneria "Enzo Ferrari"、3.Dipartimento di Scienze e Metodi dell'Ingegneria, Universita di Modena e Reggio Emilia (Italy))

2014 International Conference on Solid State Devices and Materials |PDF ダウンロード

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